芯矽科技文章

• 晶圓去除污染物有哪些措施2025-10-09 13:46

  

  晶圓去除污染物的措施是一個多步驟、多技術的系統(tǒng)工程，旨在確保半導體制造過程中晶圓表面的潔凈度達到原子級水平。以下是詳細的解決方案：物理清除技術超聲波輔助清洗利用高頻聲波（通常為兆赫茲范圍）在清洗液中產生空化效應，形成微小氣泡破裂時釋放的能量可剝離晶圓表面的顆粒物和有機膜層。該方法對去除光刻膠殘渣尤為有效，且能穿透復雜結構如溝槽和通孔進行深度清潔。高壓噴淋沖洗

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• 半導體器件清洗工藝要求2025-10-09 13:40

  

  半導體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關鍵基礎，其核心在于通過精確控制的物理化學過程去除各類污染物，同時避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術要點及實現(xiàn)路徑的詳細闡述：污染物分類與對應清洗策略半導體制造過程中產生的污染物可分為四類：顆粒物（灰塵/碎屑）、有機殘留（光刻膠/油污）、金屬離子污染、氧化層。針對不同類型需采用差異化的解決方案：顆粒物清除

  半導體器件 芯片制造 517瀏覽量

• 如何設定清洗槽的溫度2025-09-28 14:16

  

  設定清洗槽的溫度是半導體濕制程工藝中的關鍵環(huán)節(jié)，需結合化學反應動力學、材料穩(wěn)定性及污染物特性進行精準控制。以下是具體實施步驟與技術要點：1.明確工藝目標與化學體系適配性反應速率優(yōu)化：根據(jù)所用清洗液的活化能曲線確定最佳反應溫度區(qū)間。例如，酸性溶液（如H?SO?/H?O?混合液）通常在70–85℃時反應速率顯著提升，可加速有機物碳化分解；而堿性溶液（如NH?OH

  半導體 清洗 257瀏覽量

• 如何選擇合適的半導體槽式清洗機2025-09-28 14:13

  

  選擇合適的半導體槽式清洗機需要綜合考慮多方面因素，以下是一些關鍵的要點：明確自身需求清洗對象與工藝階段材料類型和尺寸：確定要清洗的是硅片、化合物半導體還是其他特殊材料，以及晶圓的直徑（如常見的12英寸、8英寸等）。不同材料和尺寸對設備的兼容性有要求，例如某些設備可能專為特定尺寸的晶圓設計，能更好地適配其形狀和重量，保證清洗效果和操作安全性。污染物種類及特性：

  半導體 晶圓 清洗機 310瀏覽量

• 半導體金屬腐蝕工藝2025-09-25 13:59

  

  半導體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術。以下是該工藝的核心要點及其實現(xiàn)方式：一、基礎原理與化學反應體系金屬腐蝕本質上是一種受控的氧化還原反應過程。常用酸性溶液（如HF、H?SO?）或堿性蝕刻液（KOH、TMAH）作為腐蝕介質，通過電化學作用溶解目標金屬材料。例如，在鋁互連工藝中，磷酸基蝕刻液能選擇性去除鋁層而保持下層介

  半導體 金屬腐蝕 集成電路 740瀏覽量

• 半導體腐蝕清洗機的作用2025-09-25 13:56

  

  半導體腐蝕清洗機是集成電路制造過程中不可或缺的關鍵設備，其作用貫穿晶圓加工的多個核心環(huán)節(jié)，具體體現(xiàn)在以下幾個方面：一、精準去除表面污染物與殘留物在半導體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會留下多種頑固雜質。例如，光刻后的未曝光區(qū)域需要剝離殘余的光刻膠及底層聚合物；刻蝕工序產生的金屬碎屑或反應副產物也可能附著在晶圓表面。腐蝕清洗機通過特定化學試劑（如硫酸、雙氧

  半導體 清洗機 352瀏覽量

• 再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別2025-09-23 11:14

  

  再生晶圓與普通晶圓在半導體產業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標及應用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產的硅基材料，由高純度多晶硅經拉單晶、切片、拋光等工序制成，未經任何使用歷史。其原材料通常來自二氧化硅礦石提煉的高純硅料，經過嚴格控溫的長晶過程形成圓柱形單晶硅棒，再切割成薄片后成為集成電路制造的基礎

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• 濕法去膠工藝chemical殘留原因2025-09-23 11:10

  

  濕法去膠工藝中出現(xiàn)化學殘留的原因復雜多樣，涉及化學反應、工藝參數(shù)、設備性能及材料特性等多方面因素。以下是具體分析：化學反應不完全或副產物生成溶劑選擇不當：若使用的化學試劑與光刻膠成分不匹配（如堿性溶液處理負性膠時溶解效率低），可能導致分解反應停滯，留下未反應的聚合物碎片。例如，某些強氧化體系（如硫酸-雙氧水混合液）在碳化嚴重的區(qū)域難以徹底氧化有機物，形成難溶

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• 硅片濕法清洗工藝存在哪些缺陷2025-09-22 11:09

  

  硅片濕法清洗工藝雖然在半導體制造中廣泛應用，但其存在一些固有缺陷和局限性，具體如下：顆粒殘留與再沉積風險來源復雜多樣：清洗液本身可能含有雜質或微生物污染；過濾系統(tǒng)的濾芯失效導致大顆粒物質未被有效攔截；設備管道內的積垢脫落進入清洗槽；氣液界面擾動時空氣中的微粒被帶入溶液。這些因素均可能造成顆粒附著于硅片表面。此外，若清洗后的沖洗不徹底或干燥階段水流速度過快產生

  半導體制造 硅片 385瀏覽量

• 如何選擇合適的半導體芯片清洗模塊2025-09-22 11:04

  

  選擇合適的半導體芯片清洗模塊需要綜合考慮工藝需求、設備性能、兼容性及成本效益等多方面因素。以下是關鍵決策點的詳細分析：1.明確清洗目標與污染物類型污染物特性決定清洗策略：若主要去除顆粒物（如硅微粉、金屬屑），優(yōu)先選擇物理作用強的超聲波或兆聲波模塊；針對有機殘留（光刻膠、樹脂）、油污等，則需化學溶解能力強的噴淋系統(tǒng)配合溶劑（如丙酮、NMP）。對于金屬離子污染，

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