芯矽科技文章

• 光刻膠剝離工藝2025-09-17 11:01

  

  光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等強極性溶劑溶脹并溶解光刻膠分子鏈，適用于傳統(tǒng)g線/i線正膠體系。例如，NMP因低蒸氣壓可加熱至80℃以增強對交聯(lián)型光刻膠的去除能力

  光刻膠 半導體制造 材料 933瀏覽量

• 不同尺寸晶圓需要多少轉速的甩干機？2025-09-17 10:55

  

  在半導體制造中，不同尺寸的晶圓對甩干機的轉速需求存在差異，但通常遵循以下規(guī)律：小尺寸晶圓（如≤8英寸）這類晶圓由于質(zhì)量較輕、結構相對簡單，可采用較高的轉速進行離心甩干。常見范圍為3000–10000轉/分鐘（rpm）。高速旋轉能快速剝離表面水分和殘留液體，配合熱氮氣吹掃可進一步提升干燥效率。不過需注意避免因離心力過大導致邊緣損傷或顆粒污染。大尺寸晶圓（如12

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• 濕法去膠第一次去不干凈會怎么樣2025-09-16 13:42

  

  在半導體制造過程中，若濕法去膠第一次未能完全去除干凈，可能引發(fā)一系列連鎖反應，對后續(xù)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量造成顯著影響。以下是具體后果及分析：殘留物導致后續(xù)工藝缺陷薄膜沉積異常：未清除的光刻膠殘留會作為異物存在于晶圓表面，影響后續(xù)沉積的薄膜（如金屬層或介電層）的均勻性和附著力。這可能導致薄膜出現(xiàn)針孔、剝落等問題，降低器件性能。例如，殘留的光刻膠區(qū)域可能阻礙濺射粒子的

  半導體制造 濕法 薄膜 316瀏覽量

• 有哪些常見的晶圓清洗故障排除方法？2025-09-16 13:37

  

  以下是常見的晶圓清洗故障排除方法，涵蓋從設備檢查到工藝優(yōu)化的全流程解決方案：一、清洗效果不佳（殘留污染物或顆粒超標）1.確認污染物類型與來源視覺初判：使用高倍顯微鏡觀察晶圓表面是否有異色斑點、霧狀薄膜或散射光異常區(qū)域，初步區(qū)分有機物、無機鹽還是金屬殘留。例如，油性光澤可能指向光刻膠殘余，而白色結晶多為銨鹽類無機物。儀器驗證：借助FTIR光譜分析官能團特征峰識

  半導體 晶圓 清洗 435瀏覽量

• 晶圓清洗后的干燥方式介紹2025-09-15 13:28

  

  晶圓清洗后的干燥是半導體制造過程中至關重要的環(huán)節(jié)，其核心目標是在不引入二次污染、不損傷表面的前提下實現(xiàn)快速且均勻的脫水。以下是幾種主流的干燥技術及其原理、特點和應用場景的詳細介紹：1.旋轉甩干（SpinDrying）原理：通過高速旋轉產(chǎn)生的離心力將液態(tài)水從晶圓表面甩離，同時結合熱風輔助加速蒸發(fā)。典型轉速可達數(shù)千轉/分鐘（RPM），配合溫控系統(tǒng)防止過熱變形。優(yōu)

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• 精密零件清洗的技術革新：破解殘留顆粒難題的新路徑2025-09-15 13:26

  

  精密零件清洗后仍存在殘留顆粒是一個復雜問題，通常由多環(huán)節(jié)因素疊加導致。以下是系統(tǒng)性分析及潛在原因：1.清洗工藝設計缺陷參數(shù)設置不合理超聲波頻率過低無法有效剝離頑固附著的顆粒（如燒結形成的氧化物結塊），或振幅不足導致空化效應弱化；反之，過高能量可能使微裂紋擴展并嵌入更深層的污染物。噴淋壓力與角度不匹配造成“陰影區(qū)”，例如深孔內(nèi)部因水流無法直射而形成清洗盲點，殘

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• 半導體rca清洗都有什么藥液2025-09-11 11:19

  

  半導體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種，每種均針對特定類型的污染物設計，并通過化學反應實現(xiàn)高效清潔：SC-1（堿性清洗液）成分組成：由氫氧化銨（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水按比例混合而成，常見配比為1:1:5至1:2:7（體積比）。核心作用：作為堿性溶液，主要用于去除顆粒、有機污染物及部分金屬雜質(zhì)。其機理在于雙氧水的強氧化性分解有機

  RCA 半導體 清洗工藝 1094瀏覽量

• 高壓噴淋清洗機有哪些特點2025-09-09 11:38

  

  高壓噴淋清洗機的工作原理是通過一系列協(xié)同作用的技術手段實現(xiàn)高效清潔，其核心流程如下：高壓水流生成：設備內(nèi)置的高壓水泵（如柱塞泵）在動力驅動下將普通水或混合清洗劑的液體加壓至特定壓力值，形成高速、集中的水射流。這種高壓使水從特制噴嘴噴出時具備極強的沖擊力，能夠穿透物體表面的污垢層。物理沖刷與剝離作用：當高壓水流接觸待清洗物體表面時，水的沖擊力會大于污垢與物體間

  工業(yè) 清洗機 482瀏覽量

• 如何提高光刻膠殘留清洗的效率2025-09-09 11:29

  

  提高光刻膠殘留清洗效率需要結合工藝優(yōu)化、設備升級和材料創(chuàng)新等多方面策略，以下是具體方法及技術要點：1.工藝參數(shù)精準控制動態(tài)調(diào)整化學配方根據(jù)殘留類型（正膠/負膠、厚膜/薄膜）實時匹配最佳溶劑組合。例如，對頑固性交聯(lián)結構可采用混合酸（如硫酸+雙氧水）增強氧化分解能力，而敏感金屬層則優(yōu)先選用中性緩沖氧化物蝕刻液（BOE）。通過在線pH計監(jiān)測反應活性，自動補液維持有

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• 如何優(yōu)化碳化硅清洗工藝2025-09-08 13:14

  

  優(yōu)化碳化硅（SiC）清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設備兼容性，以下是系統(tǒng)性的技術路徑和實施策略：1.精準匹配化學配方與反應動力學選擇性蝕刻控制：針對SiC表面常見的氧化層（SiO?）、石墨化殘留物及金屬雜質(zhì)，開發(fā)多組分混合酸液體系。例如，采用HF/HNO?/HAc緩沖溶液實現(xiàn)各向同性蝕刻，既能有效去除損傷層又不引入表面粗糙化。通過電化學阻抗譜監(jiān)測

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