芯矽科技文章

• 半導體外延和薄膜沉積有什么不同2025-08-11 14:40

  

  半導體外延和薄膜沉積是兩種密切相關但又有顯著區(qū)別的技術。以下是它們的主要差異：定義與目標半導體外延核心特征：在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結構的單晶薄膜（外延層），強調(diào)晶體結構的連續(xù)性和匹配性36；目的：通過精確控制材料的原子級排列，改善電學性能、減少缺陷，并為高性能器件提供基礎結構。例如，硅基集成電路中的應變硅技術可提升電子遷移率4。薄膜沉積核心特

  半導體 外延片 薄膜 1305瀏覽量

• 半導體外延工藝在哪個階段進行的2025-08-11 14:36

  

  半導體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝（FEOL）階段進行。以下是具體說明：所屬環(huán)節(jié)定位：作為核心步驟之一，外延屬于前端制造流程中的關鍵環(huán)節(jié)，其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延層。這一過程為后續(xù)晶體管、二極管等器件的構建提供基礎結構。工藝目標與作用：通過同質(zhì)外延（如Si/Si）或異質(zhì)外延（如SiGe/Si），結合分子束外延（MBE）、氣相外延

  半導體 外延芯片 集成電路 1166瀏覽量

• 濕法刻蝕sc2工藝應用是什么2025-08-06 11:19

  

  濕法刻蝕SC2工藝在半導體制造及相關領域中具有廣泛的應用，以下是其主要應用場景和優(yōu)勢：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過精確控制化學溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對特定材料的選擇性去除。例如，它能有效去除表面的薄金屬膜或氧化層，確保所需層結構更加均勻和平整，從而保持設計精度，減少干法刻蝕帶來的方向不清或濺射效應。應用意義：有助于提升芯片制造過程中各層的質(zhì)量和性能

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• 濕法刻蝕是各向異性的原因2025-08-06 11:13

  

  濕法刻蝕通常是各向同性的（即沿所有方向均勻腐蝕），但在某些特定條件下也會表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機制分析：晶體結構的原子級差異晶面原子排列密度與鍵能差異：以石英為例，不同晶面（如{100}、{110}、{111}）的表面原子分布和硅氧鍵角度存在顯著區(qū)別。例如，{111}面的原子堆積最緊密且鍵能較高，導致該晶面的刻蝕速率遠低于其他

  刻蝕 晶體 濕法 1267瀏覽量

• 芯片清洗要用多少水洗2025-08-05 11:55

  

  芯片清洗過程中用水量并非固定值，而是根據(jù)工藝步驟、設備類型、污染物種類及生產(chǎn)規(guī)模等因素動態(tài)調(diào)整。以下是關鍵影響因素和典型范圍：?1.主要影響因素（1）清洗階段不同預沖洗/粗洗：快速去除大塊顆?；蛩缮㈦s質(zhì)，用水量大但精度要求低；?例：噴淋式初洗可能使用5~10L/min的流量。精洗（如兆聲波清洗）：針對微觀污染物（納米級顆粒），需配合高純水與能量場協(xié)同作用，此

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• 濕法清洗過程中如何防止污染物再沉積2025-08-05 11:47

  

  在濕法清洗過程中，防止污染物再沉積是確保清洗效果和產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵。以下是系統(tǒng)化的防控策略及具體實施方法：一、流體動力學優(yōu)化設計1.層流場構建技術采用低湍流度的層流噴淋系統(tǒng)（雷諾數(shù)Re9），同時向溶液中通入微量陰離子表面活性劑，利用同種電荷相斥原理阻止帶電顆粒重返表面。此方法對去除堿性環(huán)境中的金屬氫氧化物特別有效。3.溶解度梯度管理采用階梯式濃度遞減的多級漂洗

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• 濕法刻蝕的主要影響因素一覽2025-08-04 14:59

  

  濕法刻蝕是半導體制造中的關鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細分析：1.化學試劑性質(zhì)與濃度•種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底）。例如，緩沖氧化物刻蝕液（BOE）通過添加NH?F穩(wěn)定反應速率。復合酸體系（如HNO?+HF+HAc）可實現(xiàn)各向異性刻蝕，適用于形成特定角度的溝槽結構。•濃度控制濃度

  刻蝕 半導體 濕法 1241瀏覽量

• 半導體濕法flush是什么意思2025-08-04 14:53

  

  在半導體制造中，“濕法flush”（WetFlush）是一種關鍵的清洗工藝步驟，具體含義如下：定義與核心目的字面解析：“Flush”意為“沖洗”，而“濕法”指使用液體化學品進行操作。該過程通過噴淋或浸泡的方式，用去離子水（DIWater）或其他溶劑清除晶圓表面的殘留物（如光刻膠碎片、蝕刻劑副產(chǎn)物、顆粒污染物等）。主要作用：確保前一道工序后的有害物質(zhì)被徹底去除

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• 光阻去除屬于什么制程2025-07-30 13:33

  

  光阻去除（即去膠工藝）屬于半導體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術流程中不可或缺的關鍵步驟。以下是其在整個制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟烘→曝光→硬烘→顯影→后烘→光阻去除核心目的：清除完成圖案轉(zhuǎn)移后剩余的光刻膠層，暴露出需要進一步加工（如蝕刻、離子注入或金屬沉積）的芯片區(qū)域。承上啟下作用：連接前期的光刻圖案化與后續(xù)的材料

  光刻 半導體制造 1011瀏覽量

• 光阻去除工藝有哪些2025-07-30 13:25

  

  光阻去除工藝（即去膠工藝）是半導體制造中的關鍵步驟，旨在清除曝光后的光刻膠而不損傷底層材料。以下是主流的技術方案及其特點：一、濕法去膠技術1.有機溶劑溶解法原理：利用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等強極性溶劑溶脹并溶解光刻膠分子鏈。適用于傳統(tǒng)g線/i線正膠體系。優(yōu)勢：成本低、設備簡單；可配合噴淋或浸泡模式批量處理。局限：對新型化學放大型抗蝕劑（C

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