芯矽科技文章

• 硅襯底的清洗步驟一覽2025-09-03 10:05

  

  預處理與初步去污將硅片浸入盛有丙酮或異丙醇溶液的容器中超聲清洗10–15分鐘，利用有機溶劑溶解并去除表面附著的光刻膠、油脂及其他疏水性污染物。此過程通過高頻振動加速分子運動，使大塊殘留物脫離基底進入溶液體系。隨后用去離子水（DIW）噴淋沖洗，配合氮氣槍吹掃表面以去除溶劑痕跡，完成基礎脫脂操作。標準RCA清洗協議實施第一步：堿性過氧化氫混合液處理（SC-1）配

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• 從襯底到外延：碳化硅材料的層級躍遷與功能分化2025-09-03 10:01

  

  碳化硅襯底和外延片是半導體產業(yè)鏈中的兩個關鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構成，但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與基礎作用不同碳化硅襯底：作為整個器件的基礎載體，是通過物理氣相傳輸法（PVT）生長出的單晶材料，主要為后續(xù)外延生長提供機械支撐、熱穩(wěn)定性和基礎電學性能。其核心價值在于晶體質量的控制，例如位錯密度、微管密度等指

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• 濕法刻蝕的工藝指標有哪些2025-09-02 11:49

  

  濕法刻蝕的工藝指標是確保半導體制造過程中圖形轉移精度和器件性能的關鍵參數，主要包括以下幾個方面：刻蝕速率定義與意義：指單位時間內材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影響生產效率和成本控制。該速率由化學試劑濃度、反應溫度及溶液流動性共同決定。例如，在較高溫度下，分子熱運動加劇會加速化學反應；而高濃度刻蝕液雖能提升速度，但可能引發(fā)過蝕風險。調控方式

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• 濕法腐蝕工藝處理硅片的原理介紹2025-09-02 11:45

  

  濕法腐蝕工藝處理硅片的核心原理是基于化學溶液與硅材料之間的可控反應，通過選擇性溶解實現微納結構的精密加工。以下是該過程的技術要點解析：化學反應機制離子交換驅動溶解：以氫氟酸（HF）為例，其電離產生的F?離子會與硅原子形成可溶性的絡合物SiF?²?，使硅基質逐漸分解進入溶液。硝酸（HNO?）作為氧化劑則加速這一過程，通過提供額外的空穴載流子增強反應活性。不同配

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• 濕法清洗尾片效應是什么原理2025-09-01 11:30

  

  濕法清洗中的“尾片效應”是指在批量處理晶圓時，最后一片（即尾片）因工藝條件變化導致清洗效果與前面片子出現差異的現象。其原理主要涉及以下幾個方面：化學試劑濃度衰減：隨著清洗過程的進行，槽體內化學溶液逐漸被消耗或污染（如反應產物積累、雜質融入），導致尾片所處的液體環(huán)境成分發(fā)生變化。例如，在RCA清洗中，SC-1溶液中的雙氧水因持續(xù)反應而濃度降低，減弱了對顆粒物的

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• 清洗芯片用什么溶液2025-09-01 11:21

  

  清洗芯片時使用的溶液種類繁多，具體選擇取決于污染物類型、基材特性和工藝要求。以下是常用的幾類清洗液及其應用場景：有機溶劑類典型代表：醇類（如異丙醇）、酮類（丙酮）、醚類等揮發(fā)性液體。作用機制：利用相似相溶原理快速溶解有機污漬（如油脂、光刻膠殘留物），適用于初步去脂或特定聚合物材料的清除。例如，在CCD芯片清洗中，常采用“蒸餾水→異丙醇→純丙酮”的順序循環(huán)噴淋

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• 潔凈工作臺塵埃粒子標準是多少2025-08-26 13:42

  

  潔凈工作臺的塵埃粒子標準因應用場景和行業(yè)規(guī)范而異，以下是不同潔凈級別的具體要求：百級潔凈度≥0.5μm的塵埃粒子數：應≤3,500,000個/立方米；≥5μm的塵埃粒子數：應≤20,000個/立方米。適用領域：半導體制造中的光刻、蝕刻等關鍵工藝環(huán)節(jié)，以及生物制藥領域的無菌藥品灌裝與分裝操作。該級別要求極高的空氣純凈度，以避免微小顆粒對精密元件或藥品造成污染。

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• 標準清洗液sc1成分是什么2025-08-26 13:34

  

  標準清洗液SC-1是半導體制造中常用的濕法清洗試劑，其核心成分包括以下三種化學物質：氨水（NH?OH）：作為堿性溶液提供氫氧根離子（OH?），使清洗液呈弱堿性環(huán)境。它能夠輕微腐蝕硅片表面的氧化層，并通過電化學作用使顆粒與基底脫離；同時增強對有機物的溶解能力124。過氧化氫（H?O?）：一種強氧化劑，可將碳化硅表面的顆粒和有機物氧化為水溶性化合物，便于后續(xù)沖洗

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• 半導體清洗選型原則是什么2025-08-25 16:43

  

  半導體清洗設備的選型是一個復雜的過程，需綜合考慮多方面因素以確保清洗效果、效率與兼容性。以下是關鍵原則及實施要點：污染物特性適配性污染物類型識別：根據目標污染物的種類（如顆粒物、有機物、金屬離子或氧化層）選擇對應的清洗方式。例如，RCA法中的SC-1溶液擅長去除顆粒和有機殘留，而稀HF則用于精確蝕刻二氧化硅層。對于頑固碳沉積物，可能需要采用高溫Piranha

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• 如何選擇合適的濕法清洗設備2025-08-25 16:40

  

  選擇合適的濕法清洗設備需要綜合評估多個技術指標和實際需求，以下是關鍵考量因素及實施建議：1.清洗對象特性匹配材料兼容性是首要原則。不同半導體基材（硅片、化合物晶體或先進封裝材料）對化學試劑的耐受性差異顯著。例如，砷化鎵等化合物半導體易被強酸腐蝕，需選用pH值中性的特殊配方清洗液；而標準硅基芯片可承受更高濃度的堿性溶液。設備內腔材質必須滿足抗腐蝕性要求，通常采

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