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半導(dǎo)體清洗機(jī)循環(huán)泵怎么用2025-07-29 11:10
半導(dǎo)體清洗機(jī)的循環(huán)泵是確保清洗液高效流動(dòng)、均勻分布和穩(wěn)定過(guò)濾的核心部件。以下是其正確使用方法及關(guān)鍵注意事項(xiàng)：一、啟動(dòng)前準(zhǔn)備系統(tǒng)檢漏與排氣確認(rèn)所有連接管路無(wú)松動(dòng)或泄漏（可用肥皂水涂抹接口檢測(cè)氣泡）；打開(kāi)泵體頂部的手動(dòng)排氣閥，向入口側(cè)注入高純DI水直至出水口連續(xù)流出無(wú)氣泡為止，排除空氣避免氣蝕現(xiàn)象。參數(shù)預(yù)設(shè)匹配工藝需求根據(jù)清洗配方設(shè)定流量范圍（通常5–20L/m -
半導(dǎo)體清洗機(jī)氮?dú)庠趺磁?/a>2025-07-29 11:05
半導(dǎo)體清洗機(jī)中氮?dú)馀欧诺南到y(tǒng)化解決方案，涵蓋安全、效率與工藝兼容性三大核心要素：一、閉環(huán)回收再利用系統(tǒng)通過(guò)高精度壓力傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)腔室內(nèi)氮?dú)鉂舛?，?dāng)達(dá)到設(shè)定閾值時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)循環(huán)模式。采用活性炭吸附柱對(duì)排出氣體進(jìn)行純化處理，去除微量水分及揮發(fā)性有機(jī)物后，經(jīng)冷干機(jī)進(jìn)一步脫水，最終通過(guò)變頻壓縮機(jī)重新壓回儲(chǔ)氣罐。此設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)95%以上的氮?dú)饣厥章?，顯著降低運(yùn)行成本。關(guān) -
晶圓清洗用什么氣體最好2025-07-23 14:41
在晶圓清洗工藝中，選擇氣體需根據(jù)污染物類型、工藝需求和設(shè)備條件綜合判斷。以下是對(duì)不同氣體的分析及推薦：1.氧氣（O?）作用：去除有機(jī)物：氧氣等離子體通過(guò)活性氧自由基（如O*、O?）與有機(jī)污染物（如光刻膠殘留）發(fā)生氧化反應(yīng)，生成CO?和H?O等揮發(fā)性物質(zhì)1。表面活化：增強(qiáng)晶圓表面親水性，為后續(xù)工藝（如CVD）提供更好的附著力3。優(yōu)勢(shì)：高效去除有機(jī)污染，適用于光晶圓 406瀏覽量 -
晶圓清洗工藝有哪些類型2025-07-23 14:32
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓清洗工藝可分為以下幾類：1.濕法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：將多片晶圓（通常25-50片）放入化學(xué)槽中，依次浸泡半導(dǎo)體 1102瀏覽量 -
晶圓清洗后表面外延顆粒要求2025-07-22 16:54
晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo)，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn)：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量小尺寸晶圓（2-6英寸）：允許顆粒尺寸通常≥1μm，數(shù)量控制在＜1000顆/cm²（具體取決于工藝節(jié)點(diǎn)）。部分應(yīng)用（如功率器件）可接受更低標(biāo)準(zhǔn)，但需避免肉眼可見(jiàn)污半導(dǎo)體制造 1298瀏覽量 -
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別2025-07-22 16:51
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn)：一、晶圓尺寸與清洗挑戰(zhàn)小尺寸晶圓（2-6英寸）特點(diǎn)：面積小、厚度較薄（如2英寸晶圓厚度約500μm），機(jī)械強(qiáng)度低，易受流體沖擊損傷。挑戰(zhàn)：清洗槽體積較小，易因流體不均勻?qū)е? -
硅清洗液不能涂的部位有哪些2025-07-21 14:42
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硅清洗機(jī)配件有哪些2025-07-21 14:38
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晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程2025-07-15 15:00
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面，形成所需的電路或結(jié)構(gòu)（如金屬線、介質(zhì)層、硅槽等）。材料去除：通過(guò)化學(xué)或物理方法選擇性去除暴露的薄膜或襯底。2.蝕刻分類干法蝕刻：依賴等離子體或離子束（如ICP、R -
晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些2025-07-15 14:59
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見(jiàn)的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠、有機(jī)殘留物和部分蝕刻產(chǎn)物。常用溶劑：丙酮（Acetone）：溶解正性光刻膠。醋酸乙酯（EthylAcetate）：替代丙酮的環(huán)保溶劑。N-甲基吡咯烷酮（NMP）
