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      三菱電機半導(dǎo)體

      文章：92 被閱讀：22.7w 粉絲數(shù)：14 關(guān)注數(shù)：0 點贊數(shù)：1

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      SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

      SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 02-26 15:07 ?1395次閱讀
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      三菱電機高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

      SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持17....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 02-12 11:26 ?1552次閱讀
      三菱電機高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

      三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

      三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-22 10:58 ?3385次閱讀
      三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

      三菱電機開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品

      三菱電機株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-17 09:36 ?1402次閱讀

      三菱電機超小型全SiC DIPIPM解析

      在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-08 13:48 ?2733次閱讀
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      三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

      三菱電機集團近日宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-25 15:59 ?1364次閱讀
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      一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)

      三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-18 17:35 ?2242次閱讀
      一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)

      三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

      1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-04 10:50 ?3023次閱讀
      三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

      三菱電機將新建功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠

      三菱電機集團近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-20 17:57 ?1998次閱讀

      一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

      柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個關(guān)注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-20 17:38 ?1797次閱讀
      一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

      三菱電機提供200Gbps PIN-PD芯片樣品

      三菱電機集團近日宣布提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 15:06 ?2016次閱讀
      三菱電機提供200Gbps PIN-PD芯片樣品

      三菱電機供應(yīng)12英寸功率半導(dǎo)體芯片

      三菱電機集團近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 15:03 ?1466次閱讀

      深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

      本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:59 ?3419次閱讀
      深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

      深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)

      SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:57 ?10067次閱讀
      深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)

      深度了解SiC材料的物理特性

      與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:55 ?3931次閱讀
      深度了解SiC材料的物理特性

      一文詳解SiC的晶體缺陷

      SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:53 ?4016次閱讀
      一文詳解SiC的晶體缺陷

      一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

      高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:51 ?3315次閱讀
      一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

      SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

      SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:49 ?2484次閱讀
      SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

      SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

      SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:46 ?2790次閱讀
      SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

      三菱電機提供SiC MOSFET裸片樣品

      近日，三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-14 14:43 ?2360次閱讀

      SiC的離子注入工藝及其注意事項

      離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮?...
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-09 11:09 ?2278次閱讀

      軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

      三菱電機新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-31 16:47 ?2233次閱讀
      軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

      三菱電機紅外傳感器國內(nèi)首次亮相

      三菱電機紅外傳感器采用三菱電機自主研發(fā)的熱敏二極管紅外傳感器技術(shù)，實現(xiàn)了高像素和高溫分辨率。即使在昏....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-13 10:50 ?1575次閱讀

      三菱電機發(fā)布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM

      三菱電機集團近日宣布，開始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-13 10:47 ?1636次閱讀

      三菱電機助力大功率逆變器開發(fā)

      三菱電機集團近日宣布，將推出一項基于網(wǎng)絡(luò)的服務(wù)，提供有關(guān)配備包含三個LV100絕緣柵雙極型晶體管（I....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-13 10:39 ?1542次閱讀
      三菱電機助力大功率逆變器開發(fā)

      三菱電機SiC器件的發(fā)展歷程

      三菱電機從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史，從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 07-24 10:24 ?1954次閱讀
      三菱電機SiC器件的發(fā)展歷程

      三菱電機功率器件發(fā)展史

      三菱電機從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 07-24 10:17 ?2104次閱讀
      三菱電機功率器件發(fā)展史

      三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

      三菱電機集團近日宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3k....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 06-12 14:17 ?1603次閱讀

      基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計

      功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 05-08 17:43 ?2135次閱讀
      基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計

      三菱電機出席第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學(xué)術(shù)年會

      4月12日至14日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學(xué)術(shù)年會在安徽宣城隆重舉辦，本屆會議由中國高校....
      的頭像 三菱電機半導(dǎo)體 發(fā)表于 04-16 11:10 ?1432次閱讀
      三菱電機出席第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學(xué)術(shù)年會