什么是MOS管
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(M....
利用電壓源設(shè)置電阻參數(shù)以及使用.OP分析創(chuàng)建可變電阻的方法
通常在 LTspice 中,電阻元件的參數(shù)被設(shè)置為常數(shù),例如 R = 10Ω,但也可以使用 R = ....

深度學(xué)習(xí)在語音增強中的應(yīng)用
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,語音作為新一代人機交互方式,成為人和智能設(shè)備、語音助手交流的重要接口,然而在真實....

用Behavioral Voltage Sources創(chuàng)建任意波形
通過使用 Behavioral Voltage Sources (BV),可以將 Excel 和函數(shù)....

TL43X分流型基準電壓源簡介
TL43X系列是三端可調(diào)并聯(lián)調(diào)節(jié)器,在適用的溫度范圍內(nèi)具有特定的熱穩(wěn)定性。通過兩個外部電阻器,可以設(shè)....

LTspice---DC-DC轉(zhuǎn)換器仿真
在實際器件上檢查以上要素是必不可少的步驟,但在制作電路板之前,通過在桌面上計算并驗證設(shè)計值同樣也非常....
三端穩(wěn)壓器與LDO穩(wěn)壓器的區(qū)別
典型三端穩(wěn)壓器(也稱標準穩(wěn)壓器)的輸出晶體管使用NPN型晶體管或N溝道MOSFET。
LDO簡介
LDO(Low Dropout Regulator)是嵌入式系統(tǒng)中廣泛使用的器件,也是最基本的模擬類....
如何通過一種系統(tǒng)化方法來量化電源噪聲電壓電平對相位噪聲的影響
大家知道,為實現(xiàn)低相位噪聲性能,尤其是超低相位噪聲性能,必須使用低噪聲電源才能達到最佳性能。
DPPM(動態(tài)電源路徑管理)與VINDPM(輸入電壓動態(tài)電源管理)區(qū)別
圖1顯示了使用DPM控制的高效開關(guān)模式充電器。MOSFET Q2、Q3與電感器L組成了一個同步開關(guān)降....
保護系統(tǒng)不受反向電流的影響
在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出....
N-MOS工藝芯片與P-MOS工藝芯片對比
低延時的驅(qū)動單元將功率管的柵極電壓拉低,達到限制Power NMOS電流的大小的目的
電路中品質(zhì)因數(shù)的定義
Q 值是為了更好的研究電路諧振時的性質(zhì)而引入的一個物理量,Q 是 Quality factor 的縮....