大家知道，為實(shí)現(xiàn)低相位噪聲性能，尤其是超低相位噪聲性能，必須使用低噪聲電源才能達(dá)到最佳性能。但文獻(xiàn)上沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明如何通過(guò)一種系統(tǒng)化方法來(lái)量化電源噪聲電壓電平對(duì)相位噪聲的影響。本文旨在改變這種狀況。

本文提出了電源調(diào)制比(PSMR)理論，用來(lái)衡量電源缺陷如何被調(diào)制到RF載波上。通過(guò)電源噪聲對(duì)RF放大器相位噪聲的貢獻(xiàn)來(lái)驗(yàn)證這一理論；測(cè)量結(jié)果表明，可以計(jì)算并且相當(dāng)準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)該貢獻(xiàn)。基于此結(jié)果，本文還討論了描述電源特性的系統(tǒng)化方法。

審核編輯：劉清