簡要描述離子注入的原理和優(yōu)缺點
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)....
半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)....
半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程....
半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余....
多晶硅蝕刻工藝講解
下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到....
半導(dǎo)體制造中的等離子體刻蝕過程
從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨使用時的刻蝕速....
純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕及反應(yīng)式離子刻蝕介紹
刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch....
等離子體刻蝕工藝簡介
鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,....
單晶硅刻蝕與多晶硅刻蝕的區(qū)別在哪？
磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨氣(NH3)這兩種副產(chǎn)品都可以溶于水。LOCOS工藝的場區(qū)氧化層生成....
濕法刻蝕工藝的流程包括哪些？
濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液....
刻蝕工藝基礎(chǔ)知識簡析
刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。
濕法和干法刻蝕圖形化的刻蝕過程討論
刻蝕是移除晶圓表面材料，達到IC設(shè)計要求的一種工藝過程?？涛g有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將....
等離子體工藝回顧
在ICP反應(yīng)室中加入射頻偏壓系統(tǒng)就可以產(chǎn)生自偏壓并控制離子的轟擊能量。由于在高密度等離子體中的離子轟....
半導(dǎo)體行業(yè)：等離子工藝（十一）
電介質(zhì)薄膜經(jīng)常使用氧氣濺射刻蝕反應(yīng)室進行某些處理，例如在間隙填充前首先在間隙邊緣形成傾斜的側(cè)壁，以及....
半導(dǎo)體制造之等離子工藝詳解
與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費用。
CVD過程中的等離子工藝
CVD過程中，不僅在晶圓表面出現(xiàn)沉積，工藝室的零件和反應(yīng)室的墻壁上也都會有沉積。
半導(dǎo)體行業(yè)：等離子工藝（七）
下圖顯示了在一個不對稱電極等離子體源中的電壓情況，這兩個電極具有不同面積。電流的連續(xù)性將產(chǎn)生所謂的自....
磁場中的帶電粒子介紹
低頻功率時，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應(yīng)時間，所以能把離子加速....
等離子第一個電子是從哪里及如何產(chǎn)生的？
當兩個電極通過射頻高電壓時，它們之間就產(chǎn)生一個交流電場。如果射頻功率足夠高，自由電子受到交流電場的影....
工商網(wǎng)監(jiān)