我們現(xiàn)在知道，一般的原子和物質(zhì)材料的結(jié)構(gòu)組成比玻爾模型復(fù)雜得多，質(zhì)子和中子也可以進(jìn)一步細(xì)分為更小的部....

半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點，使得半導(dǎo)....

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在20世紀(jì)80年代開始于美國和歐洲，并且長期維持主導(dǎo)地位，并逐漸的變?yōu)橐粋€全球性的產(chǎn)業(yè)。

在之前眾多技術(shù)的量變積累之上，終于觸發(fā)質(zhì)變效應(yīng)，仙童半導(dǎo)體公司引入了平面化技術(shù)，將之前的這些點技術(shù)集....

固態(tài)器件的制造分為以下五個不同的階段(如下圖所示

減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個好處。在電路性能水平上，有一個顯著的優(yōu)點就是可以增....

有人猜測芯片密度可能會超過摩爾定律的預(yù)測。佐治亞理工學(xué)院的微系統(tǒng)封裝研究指出，2004年每平方厘米約....

上回我們講到了在1959年，杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個集成電路芯片，標(biāo)志著半....

書接上回。我們提到了真空管的誕生催生了集成電路行業(yè)的發(fā)展，但是最初的真空管由于其體積較大、壽命較短、....

在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過程。從半導(dǎo)體主要制造階....

閃存芯片是非揮發(fā)存儲芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GP....

在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示....

內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NA....

摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同，還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關(guān)，舉個例子來說，NiPtSi，比N....

下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設(shè)計的區(qū)域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，....

? 三、 無源器件的大功率實時測量方法 無源器件的大功率性能可以通過其在大功率條件下S參數(shù)的變化量來....

對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k....

使用重離子可以形成源/漏擴(kuò)展(SDE)淺結(jié)(見下圖),通常PMOSSDE使用BF；,而NMOSSDE....

所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓，一片晶圓通過高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層，另一片晶圓在硅表....

有兩個因素影響CMOS集成電路的速度，即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關(guān)的時間;互連延遲....

CMOS集成電路芯片加工技術(shù)的幾個主要發(fā)展發(fā)生在20世紀(jì)90年代。

因為CMOS工藝易于集成化，并且相對較低的電路功耗，所以。個人電腦、互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字革命，強(qiáng)烈推動了對....

在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B1....

如果你是個跑步愛好者，你一定希望在運動過程中實時監(jiān)測自己的心率，而不是在運動結(jié)束后再用秒表來測量心率....

與高電壓或電流接觸會引起電擊、燒傷、肌肉和神經(jīng)損傷、心臟麻痹以及死亡。大約1mA的電流通過心臟就可能....

光電探測量采用脈沖激光照明半導(dǎo)體襯底并產(chǎn)生電子-空穴對。電子-空穴對擴(kuò)散到傳感器的電極，從而可以檢測....

摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定，....

對于許多仍在使用旋轉(zhuǎn)輪的離子注入設(shè)備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個高速導(dǎo)彈與建筑物的墻壁....

阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體....

當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進(jìn)入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電....