隨著SOC越來越復(fù)雜，包含的IP越來越多，單個(gè)SOC上實(shí)現(xiàn)了CPU, 射頻模塊，相機(jī)模塊，DDR控制....

CMOS 反相器的發(fā)展為集成電路提供了基本功能，是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。該邏輯電路突出了 CMOS ....

量子計(jì)算機(jī)要充分發(fā)揮潛力，需要數(shù)百萬(wàn)量子比特，而不是目前的數(shù)百量子比特。然而，通往量子計(jì)算機(jī)規(guī)?；?...

? 在使用高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮很多因素，其中 ADC 采樣時(shí)鐘的影響對(duì)于....

在本文中，我們將介紹低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器中噪聲和電源抑制比 (PSRR) 的影響。讓我們簡(jiǎn)單討....

LDO是Low Dropout Regulator的縮寫，意思是低壓差線性穩(wěn)壓器，LDO是用來做什么....

本文介紹了設(shè)計(jì)雙邊射頻放大器以實(shí)現(xiàn)最大增益的方法。在單邊設(shè)計(jì)方法中，可以使用單邊品質(zhì)因數(shù)（U）來評(píng)估....

本文介紹了在設(shè)計(jì)單向射頻放大器時(shí)增益分析的重要性。首先，在低頻放大器的分析相對(duì)簡(jiǎn)單，因?yàn)椴恍枰紤]信....

MOSFET的非理想特性對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面，包括電容、體....

本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成，有截止區(qū)、線性區(qū)和....

本文是關(guān)于相位噪聲建模、仿真和傳播在鎖相環(huán)中的應(yīng)用的第三部分。文章介紹了相位噪聲的理論和測(cè)量方法，并....

本篇文章是關(guān)于相位鎖定環(huán)(PLL)頻率合成器的設(shè)計(jì)和分析，重點(diǎn)討論了相位噪聲和頻率噪聲的測(cè)量、建模和....

盡管設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很復(fù)雜，SERDES 已成為 SoC 模塊不可或缺的一部分。隨著 SERDES IP ....

使用正弦直方圖測(cè)試方法可以確定模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）的參數(shù)，并優(yōu)于線性斜坡直方圖測(cè)試方法。

SerDes（Serialization/Deserialization）是一種在數(shù)字通信系統(tǒng)中提供....

電壓模式控制通過將輸出電壓反饋到誤差放大器來控制輸出電壓，而CMC則通過采樣電感電流來控制輸出電壓。

抖動(dòng)是指信號(hào)的跳邊時(shí)刻偏離其理想(ideal)或者預(yù)定(expected)時(shí)刻的現(xiàn)象。噪聲，非理想的....

直方圖測(cè)試是確定模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）靜態(tài)參數(shù)的最流行方法之一。

接收端均衡器的目標(biāo)和發(fā)送均衡器是一致的。對(duì)于低速(<5Gbps)SerDes，通常采用連續(xù)時(shí)間域，線性均衡器實(shí)現(xiàn)如尖峰放大器(peaking amplifier), 均衡器對(duì)高頻分量的增益大于對(duì)低頻分量的增益。圖2.8為一個(gè)線性均衡器的頻域特性。通常工廠會(huì)對(duì)均衡特性封裝為數(shù)種級(jí)別，可以動(dòng)態(tài)設(shè)置，以適應(yīng)不同的信道特性，如High/Med/Low等。

FPGA發(fā)展到今天，SerDes（Serializer-Deserializer）基本上是器件的標(biāo)配....

IBM 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建的設(shè)計(jì)可以在每個(gè)芯片上編碼 3500 萬(wàn)個(gè)相變存儲(chǔ)設(shè)備；換句話說，模型具有多達(dá) ....

伺服環(huán)路測(cè)試可以確定模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 傳遞函數(shù)。本文將介紹伺服環(huán)路 ADC 測(cè)試的基礎(chǔ)知識(shí)，并....

? GPT-4已經(jīng)會(huì)自己設(shè)計(jì)芯片了！芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的一個(gè)老大難問題HDL，已經(jīng)被GPT-4順利解決。并....

繼續(xù)深入研究一個(gè)可以產(chǎn)生負(fù)電源電壓的簡(jiǎn)單SPICE電路，我們將考慮振蕩器頻率對(duì)系統(tǒng)性能參數(shù)的影響。 ....

繼續(xù)深入研究一個(gè)可以產(chǎn)生負(fù)電源電壓的簡(jiǎn)單SPICE電路，我們將考慮振蕩器頻率對(duì)系統(tǒng)性能參數(shù)的影響。

了解如何使用 Y 因子方法測(cè)量噪聲系數(shù) (NF)。我們將深入研究如何使用它來查找噪聲因子、如何校準(zhǔn)噪....

NF 指標(biāo)使我們能夠表征 RF 組件和系統(tǒng)的噪聲性能。

芯片設(shè)計(jì)過程是一項(xiàng)復(fù)雜的多步驟工作，涉及從初始系統(tǒng)規(guī)格到制造的各個(gè)階段。

本文研究了奈奎斯特-香農(nóng)采樣定理的一個(gè)重要方面，并解釋了它與模數(shù)轉(zhuǎn)換中抗混疊濾波器需求的聯(lián)系。

在上一篇介紹奈奎斯特-香農(nóng)定理的文章中，我們看到當(dāng)以每個(gè)周期不提供至少兩個(gè)樣本的頻率對(duì)波形進(jìn)行采樣時(shí)....