導致醛類分子缺少ESPIT熒光發(fā)射帶的原因分析
通過密度泛函理論(DFT)和波函數(shù)從頭算方法(NEVPT2)，本項目研究了10 個酮分子和5個醛分子....
QM/MM幾何構(gòu)型優(yōu)化計算的python腳本
對于激發(fā)態(tài)我們往往需要得到理論預測的吸收譜峰形，也就是將每個激發(fā)態(tài)的吸收按一定的半峰寬進行高斯展寬。....
QUANTUMESPRESSO在Device Studio中的應(yīng)用
目前用戶可通過Device Studio進行 QUANTUM ESPRESSO 以下性質(zhì)的計算： 結(jié)....
一種普適的原子尺度氫脆量化機制
具體而言，對于完美晶體而言，當氫原子被金屬的晶格間隙捕獲，將會導致間隙局域電子密度增加，使得間隙處P....
Device Studio應(yīng)用實例之LAMMPS應(yīng)用實例
上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實例之Nanodcal應(yīng)用實例的內(nèi)容，本期將介....
Device Studio亮點功能
Device Studio在Windows系統(tǒng)下，針對Nanodcal、RESCU新增一鍵計算功能。....
異構(gòu)層狀材料微結(jié)構(gòu)與力學性能關(guān)聯(lián)的本構(gòu)建模分析
通過分析發(fā)現(xiàn)，層狀材料中界面引入的非均勻變形程度以及非均勻變形區(qū)域的大小是主導其單拉力學響應(yīng)的關(guān)鍵，....
Device Studio結(jié)構(gòu)操作內(nèi)容
對于結(jié)構(gòu)的操作，用戶可先仔細閱讀工具欄（Toolbars）中各快捷圖標的功能描述，再根據(jù)需要對結(jié)構(gòu)進....
Device Studio結(jié)構(gòu)操作的內(nèi)容
Device Studio支持從ZY、XY、XZ、YZ、YX和ZX面觀察結(jié)構(gòu)的3D視圖，如在3D顯示....
一種低成本的Co/Ni二元納米顆粒修飾的CW電極
本文通過木材基體上的羥基與浸泡金屬離子之間的配位鍵，得到了分布均勻的Co-Ni納米粒子。隨后，高溫煅....
節(jié)線拓撲半金屬擁有的電子結(jié)構(gòu)
拓撲材料作為一類具有獨特量子物態(tài)性質(zhì)的特殊材料，其相關(guān)研究受到科研人員的廣泛關(guān)注和重視。
三個不同激發(fā)態(tài)的D-A小分子材料
激發(fā)態(tài)的性質(zhì)對材料的光電性能起著決定性的作用，根據(jù)波函數(shù)的重疊程度，激發(fā)態(tài)可以被分為兩種經(jīng)典的類型，....
Device Studio支持的文件類型及結(jié)構(gòu)建模5.1-5.3的內(nèi)容
Device Studio支持從本地或在線數(shù)據(jù)庫導入結(jié)構(gòu)，或在導入結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上搭建新的結(jié)構(gòu)，支持創(chuàng)建....
Device Studio結(jié)構(gòu)建模5.7-5.8內(nèi)容
上一期的教程給大家介紹了Device Studio支持的文件類型及結(jié)構(gòu)建模5.4-5.6的內(nèi)容，本期....
利用高分辨率透射電鏡在UO2雙晶中觀察到了兩種特殊的GBs
研究發(fā)現(xiàn)對鈾原子在GB的分布是由鈾-氧相互作用造成的。CRG和Yakub勢的這種優(yōu)勢與之前的研究一致....
Device Studio簡介
彈出新建項目界面，用戶可使用該界面創(chuàng)建新的項目，項目文件的后綴名為 .hpf 。用戶可根據(jù)需要對該項....
Au納米晶體在剪切加載下通過孿晶界滑移主導的塑性變形機制
原子尺度動態(tài)分析表明，Au納米孿晶的塑性變形由4種特征的位錯機制參與（如示意圖2A）。這4種不同位錯....
Device Studio結(jié)構(gòu)建模5.4-5.6
若不知道NaCl晶體的空間群信息，在如圖5.4-1所示的界面中構(gòu)建NaCl晶體結(jié)構(gòu)，則可按照圖5.4....
工商網(wǎng)監(jiān)