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鴻之微

文章:347 被閱讀:67.1w 粉絲數(shù):51 關注數(shù):0 點贊數(shù):2

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吡啶環(huán)分子器件電子輸運特性研究

利用分子器件實現(xiàn)傳統(tǒng)電子元件的基本功能已被認為是分子電子學的研究目標,因而該研究領域備受關注,并發(fā)現(xiàn)....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-05 16:16 ?1138次閱讀
吡啶環(huán)分子器件電子輸運特性研究

AuToFF應用案例——冰融化模擬及TIP4P/ICE水模型使用

在模擬過程中,模擬步長設為2fs,采用Verlet算法來計算運動方程。模擬體系的三個方向均考慮周期性....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-03 10:51 ?7034次閱讀
AuToFF應用案例——冰融化模擬及TIP4P/ICE水模型使用

氯吸附單層黑磷烯的自旋輸運性質研究

本項目通過密度泛函理論結合非平衡格林函數(shù)方法研究了Cl原子吸附黑磷的自旋輸運性質,拓展了鹵素原子吸附....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-02 15:10 ?998次閱讀
氯吸附單層黑磷烯的自旋輸運性質研究

基于鴻之微RESCU程序包的第一原理方法

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? · 0 1?引言 ? 富鋰錳基三元材料是一種很有....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-02 14:54 ?836次閱讀
基于鴻之微RESCU程序包的第一原理方法

基于Cr2C的面內雙勢壘磁性隧道結中的巨遂穿磁阻

然而,關于基于2D磁性材料的平面內MTJ的報道很少。已報道的平面內MTJ Mn2CF2/Ti2CO2....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-01 16:47 ?1500次閱讀
基于Cr2C的面內雙勢壘磁性隧道結中的巨遂穿磁阻

不同BCC金屬和合金中的幾種不常見的孿晶動力學

體心立方(BCC)金屬具有不穩(wěn)定的本征堆垛層錯和對形變孿晶的高抵抗力,常引發(fā)復雜的孿晶動力學,這在經(jīng)....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-31 09:38 ?2767次閱讀
不同BCC金屬和合金中的幾種不常見的孿晶動力學

BN-STO和BN-XTO的發(fā)光量子效率不同的本質原因

0 1?引言?? 本項目研究對象為兩個多重共振型綠光有機電致發(fā)光小分子,利用MOMAP軟件計算了它們....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 10:55 ?1384次閱讀
BN-STO和BN-XTO的發(fā)光量子效率不同的本質原因

DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 10:49 ?1135次閱讀
DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算

固定電勢在電化學反應中的應用

在電化學界面反應過程中,由于電化學反應界面通常與恒定電極電勢的外電極相連,為確保電子的化學勢與外電極....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 09:44 ?2484次閱讀
固定電勢在電化學反應中的應用

基于密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法

本文使用鴻之微DS-PAW軟件并結合Nanodcal軟件研究鋸齒型石墨烯/氮化硼納米帶范德瓦爾斯異質....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-25 10:02 ?1398次閱讀
基于密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法

GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算(上)

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-25 09:17 ?1690次閱讀
GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算(上)

BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

?2022年,集成電路半導體行業(yè)最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖,成為行業(yè)發(fā)展的....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 11:06 ?3066次閱讀
BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

探究BSIM4模型

在BSIM3的基礎上,UC Berkley的BSIM小組緊接著又推出了BSIM4模型。
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 11:01 ?5096次閱讀
探究BSIM4模型

DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測

針對任一半導體,DASP軟件可以計算給出如下性質:熱力學穩(wěn)定性、元素化學勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 10:15 ?936次閱讀
DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測

有機半導體材料的分子結構與性能之間的關系

有機半導體材料可廣泛應用于OLED、OPVC或OFET中,為開發(fā)具有優(yōu)異光電性能的新型有機半導體材料....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 14:17 ?2487次閱讀
有機半導體材料的分子結構與性能之間的關系

雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 14:11 ?912次閱讀
雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測

催化劑分離和循環(huán)利用問題

? 烯烴是現(xiàn)代化工生產高附加值化學品的重要原料。生產烯烴最直接的方法就是通過烷烴直接脫氫生成烯烴。在....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 11:33 ?1184次閱讀
催化劑分離和循環(huán)利用問題

NTO表面和分子空位對其熱反應動力學的影響

在我們的工作中,基于自洽電荷密度泛函緊束縛(SCC-DFTB)的分子動力學模擬,研究了NTO晶體的熱....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 15:45 ?3220次閱讀
NTO表面和分子空位對其熱反應動力學的影響

ZnGeP2的本征缺陷計算之TSC模塊運行流程

TSC模塊將使用與 Materials Project 數(shù)據(jù)庫提供的輸入?yún)?shù)(INCAR,KPOIN....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:35 ?978次閱讀
ZnGeP2的本征缺陷計算之TSC模塊運行流程

ZnGeP2的本征缺陷計算之DEC模塊運行流程

確認TSC模塊完成后,回到ZnGeP2目錄,使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會在第....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:32 ?978次閱讀
ZnGeP2的本征缺陷計算之DEC模塊運行流程

ZnGeP2的本征缺陷計算之PREPARE模塊運行流程

新建目錄ZnGeP2,在./ZnGeP2/目錄內同時準備好以上的POSCAR文件與 dasp.in ....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:29 ?807次閱讀
ZnGeP2的本征缺陷計算之PREPARE模塊運行流程

ZnGeP2的本征缺陷計算之準PREPARE

ZnGeP2是一種非線性光學材料,但是其帶隙內存在的較多光吸收峰限制了其應用,實驗上認為這些吸收與點....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:25 ?819次閱讀
ZnGeP2的本征缺陷計算之準PREPARE

基于DASP ZnGeP2的本征缺陷計算

針對任一半導體,DASP軟件可以計算給出如下性質:熱力學穩(wěn)定性、元素化學勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 17:22 ?986次閱讀
基于DASP ZnGeP2的本征缺陷計算

華中科大《Acta Materialia》:首次報道低于2K的巨介電弛豫行為

不同的摻雜體系表現(xiàn)出不同的巨介電弛豫行為和缺陷偶極冷凍溫度Tf(如圖1所示),對應于不同的電子釘扎狀....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 11:05 ?1231次閱讀
華中科大《Acta Materialia》:首次報道低于2K的巨介電弛豫行為

金屬氧化物巨介電材料低于2K的缺陷偶極冷凍溫度Tf及非常規(guī)TADR行為

多層陶瓷電容器(MLCC)核心原料采用的主要是鈦酸鋇基鐵電體,由于存在靠近室溫的鐵電相變,使其介電常....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:51 ?707次閱讀
金屬氧化物巨介電材料低于2K的缺陷偶極冷凍溫度Tf及非常規(guī)TADR行為

DASP雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測

針對任一半導體,DASP軟件可以計算給出如下性質:熱力學穩(wěn)定性、元素化學勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:39 ?872次閱讀
DASP雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測

雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測(Cs2AgBiCl6 02)

TSC模塊將使用 Materials Project 數(shù)據(jù)庫提供的輸入?yún)?shù)(INCAR,KPOINT....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:38 ?1117次閱讀
雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測(Cs2AgBiCl6  02)

結構設計策略用于二元金屬硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

利用鴻之微Device Studio中的DS-PAW通過第一性原理計算對基于rGO媒介載體上構建的N....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:35 ?1251次閱讀
結構設計策略用于二元金屬硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測(Cs2AgBiCl6 01)

在以上的案例中,我們展示了TSC模塊可以計算元素化學勢,用于DEC模塊的缺陷形成能計算。此外,TSC....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-12 09:52 ?1233次閱讀
雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測(Cs2AgBiCl6  01)

面外變形對二維納米材料電子結構的影響機制研究

本項目采用基于密度密度泛函理論的第一性原理計算,對石墨烯中的“零維”面外變形效應進行了深入探究。首先....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-12 09:45 ?1063次閱讀
面外變形對二維納米材料電子結構的影響機制研究