開關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號(hào)具有兩種狀態(tài)的電路就是一種開關(guān)電路。邏輯門電路、雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器也都是開關(guān)電路。 開關(guān)電路的原理是由開關(guān)管和PWM（Pulse Width Modulatioon）控制芯片構(gòu)成振蕩電路，產(chǎn)生高頻脈沖。將高壓整流濾波電路產(chǎn)生的高壓直流電變成高頻脈沖直流電，送到主變壓器降壓，變成低頻脈沖直流電。

場(chǎng)效應(yīng)管做開關(guān)電路圖一

場(chǎng)效應(yīng)管要注意防靜電。很容易燒壞的。舉個(gè)例子：做一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的的開關(guān)電路，控制25w 24v的電磁鐵 ，電源 直流24v ，信號(hào)電壓 8v，最低1.7v ，信號(hào)和輸出都是兩個(gè) ，一個(gè)離合， 一個(gè)剎車 ，交替運(yùn)行 每秒大約5次。方法：1.7至8V的信號(hào)電壓通過限流電阻接至三極管基極，三極管集電極觸發(fā)由CD4013數(shù)字集成電路電路組成的單穩(wěn)態(tài)電路，數(shù)字電路4013的輸出端Q和Q非分別驅(qū)動(dòng)2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，二個(gè)效應(yīng)管均可驅(qū)動(dòng)電磁鐵線圈，使離合、剎車交替進(jìn)行，選取合適的單穩(wěn)態(tài)電阻和電容元件可以使離合 、剎車每秒1次以上。

場(chǎng)效應(yīng)管電壓控制元件，僅僅在開關(guān)時(shí)候需要從柵極吸收或者釋放電流，因此驅(qū)動(dòng)損耗較小。多子器件，沒有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，有一個(gè)近似線性I-V關(guān)系，導(dǎo)通壓降隨著電流增大增大。高耐壓的場(chǎng)效應(yīng)管的漂移區(qū)較厚，因此導(dǎo)通電阻較大。導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，并聯(lián)時(shí)候可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)均流。硅半導(dǎo)體的MOSFET耐壓等級(jí)為600V以下。這是因?yàn)閷?dǎo)通壓降和耐壓的關(guān)系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐壓等級(jí)可以做到1200V。對(duì)于高耐壓情況，IGBT結(jié)合了MOSFET和晶體管的特性，具有MOSFET優(yōu)異的開關(guān)性能和晶體管的靜態(tài)性能，在1000V~6000V應(yīng)用場(chǎng)合更受到青睞。

場(chǎng)效應(yīng)管做開關(guān)電路圖二

圖中電池的正電通過開關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，但由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的1腳柵極通過R20電阻提供一個(gè)正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過，所以此時(shí)是關(guān)機(jī)狀態(tài)。當(dāng)按下SW1開機(jī)按鍵時(shí)，正電通過按鍵、R11、R23、D4加到三極管Q2的基極，這時(shí)三極管Q2的基極得到一個(gè)正電位，三極管導(dǎo)通。而由于三極管的發(fā)射極直接接地，三極管Q2導(dǎo)通就相當(dāng)于Q1的柵極直接接地，加在它上面的通過R20電阻的電壓就直接入了地，Q1的柵極就從高電位變?yōu)榈碗娢?，Q1導(dǎo)通電就從Q1同過加到3v穩(wěn)壓IC的輸入腳，3v穩(wěn)壓IC就是那個(gè)U1輸出3v的工作電壓vcc供給主控，主控通過復(fù)位清0。通過讀取固件程序檢測(cè)等一系列動(dòng)作，輸出控制電壓到PWR_ON再通過R24、R13分壓送到Q2的基極，Q2一直保持導(dǎo)通狀態(tài)，即使你松開開機(jī)鍵斷開Q1的基極電壓，Q2的導(dǎo)通狀態(tài)還是能由主控電壓保持著，這時(shí)電源處于開機(jī)狀態(tài)。

SW1還同時(shí)通過R11、R30兩個(gè)電阻的分壓，給主控PLAYON腳送去時(shí)間長(zhǎng)短、次數(shù)不同的控制信號(hào)，主控通過固件鑒別是播放、暫停、開機(jī)、關(guān)機(jī)而輸出不同的結(jié)果給相應(yīng)的控制點(diǎn)，以達(dá)到不同的工作狀態(tài)。