隨著光電子技術(shù)的發(fā)發(fā)展，光電檢測(cè)在靈敏度、光譜響應(yīng)范圍及頻率等技術(shù)方面要求越來(lái)越高，為此，近年來(lái)出現(xiàn)了許多性能優(yōu)良的光伏檢測(cè)器，如硅鍺光電二極管、PIN光電二極管和雪崩光電二極管（APD）等。在材料方面-V族化合物及其他化合物制作的二極管也成為了最近研究的熱門（InGaAs、GaAs、InP等）。

　　光電晶體管由光電二極管和放大器集成在一個(gè)硅片上，它解決了光電二極管的主要的缺點(diǎn)：?jiǎn)挝辉鲆?，許多應(yīng)用要求光電探測(cè)器具有大信號(hào)輸出能力。光電二極管的信號(hào)可以用外部的運(yùn)放進(jìn)行放大，但是它不如光電晶體管經(jīng)濟(jì)實(shí)用。光電晶體管的典型增益為100到1500倍，它提高了模擬信號(hào)或者數(shù)字信號(hào)的輸出。

　　光電晶體管可以用于環(huán)境光探測(cè)器，當(dāng)在使用一個(gè)可控光源時(shí)（通常是IRED），它作為光隔離器，傳送型光開(kāi)關(guān)以及反射型光開(kāi)關(guān)的探測(cè)單元。

　　光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型等。

　　光電晶體管的優(yōu)點(diǎn)主要有以下幾點(diǎn)：

　　這種晶體管的效率比光電二極管高。 與光電二極管相比，晶體管的電流增益也更大。 即使入射光相同，光電晶體管也會(huì)產(chǎn)生更多的光電流。

　　與光電二極管相比，光電晶體管的響應(yīng)時(shí)間更長(zhǎng)。 因此，這意味著此類晶體管具有更快的響應(yīng)時(shí)間。

　　光電晶體管不受任何噪聲干擾。

　　光電晶體管的成本較低。

　　這種晶體管的電路不太復(fù)雜。

　　光電晶體管的缺點(diǎn)：

　　光電晶體管的效率隨著電磁場(chǎng)的干擾而降低。

　　在較高的頻率下，光電晶體管無(wú)法正常工作。 由于這個(gè)問(wèn)題，它不能有效地在高頻下轉(zhuǎn)換光電流。

　　高靈敏度：光電晶體管的靈敏度比光電二極管高得多，因?yàn)樗鼈兛梢苑糯蠊庑盘?hào)。

　　高速度：光電晶體管的響應(yīng)速度比光電二極管快得多，因?yàn)樗鼈兛梢苑糯蠊庑盘?hào)。

　　低噪聲：由于光電晶體管的靈敏度高，因此它們產(chǎn)生的噪聲也很小。

　　可控性：光電晶體管可以通過(guò)控制光源的強(qiáng)度來(lái)控制電流的大小，因此具有很好的可控性。

　　可靠性：光電晶體管不受電磁干擾的影響，因此具有很好的可靠性。

　　總之，光電晶體管具有高靈敏度、高速度、低噪聲、可控性和可靠性等優(yōu)點(diǎn)，因此在光電傳感器、光電開(kāi)關(guān)、光電隔離器等應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用。