市場研究機構 Yole Developpement 推出超結金氧半場效晶體管（Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET）的市場更新報告，深度剖析高壓（400伏特以上） SJ MOSFET 市場指標與預測、深溝式（Deep trench）與多磊晶（multi-epi）技術的差異以及新興業(yè)者的競爭分析。

Yole Developpement 指出，SJ MOSFET技術市場有2/3皆應用于消費型產品，像是臺式電腦或是游戲機的電源供應器，雖然這些產品的市場需求衰退，但SJ MOSFET在其它產品的應用卻如雨后春筍出現(xiàn)，其中以平板電腦的電源供應器最具增長空間，預估在2013至2018年間將有高達32%的復合年增長率。但SJ MOSFET目前最常被應用仍為個人電腦（桌電及筆電）之電源供應器與電視機，約占整體市場的一半以上。

Yole Developpement 功率電子領域分析師Alexandre Avron表示，SJ MOSFET之所以被前述產品廣泛應用最重要的原因在于其體積的優(yōu)勢，與平面式（Planar） MOSFET相比，SJ MOSFET因為發(fā)熱量低，所以體積能夠大幅的縮小。同時也不能忽視混合動力（Hybrid）車與電動車的市場，這些市場現(xiàn)在可能甚至不到500萬美元，但到2018年時卻將可能超過1億美元。

Yole Developpement這份報告也厘清SJ MOSFET在電動車與油電混合車市場的發(fā)展情形，明確地分析SJ MOSFET將如何被運用在直流/直流（DC/DC）轉換器及充電器，以及其精確市場指標的預測依據(jù)。

Avron指出，SJ MOSFET對產業(yè)應用來說卻不太有吸引力，主要因為這些應用的全橋電路（H-bridge）操作多不需以高頻轉換，只有在特定的拓撲像是多層次或低成本低電源的解決方案，如小型不斷電系統(tǒng) （UPS） 或住宅型太陽能系統(tǒng) （Residential PV） 才有用武之地，但平面型的MOSFET或是絕緣柵雙極晶體管（IGBT）就可以滿足這些應用技術層面的需求，成本還更加低廉，因此SJ MOSFET目前發(fā)展仍局限于高階的應用。

SJ MOSFET的技術主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴散形成一個氮摻雜（N-doped）平面。另一種技術則采用深反應離子蝕刻挖出溝槽狀結構，再將氮摻雜材料填補于溝槽，制造出超接面的結構，開發(fā)此科技的業(yè)者主要為東芝（Toshiba），快捷半導體（Fairchild Semiconductor） 及艾斯摩斯科技（IceMOS Technology）。

Avron指出，科技的進展使得多磊晶與深蝕刻技術發(fā)展越發(fā)競爭，東芝剛推出第4代DTMOS，是一種具備較小間距（pitch）的深溝槽結構MOSFET，可采用更小的晶粒且改善導通電阻（RdsON），雖然制造成本仍高于英飛凌的CoolMOS，但將會越來越具競爭力。

化合物半導體（compound semiconductor）是SJ MOSFET的強勁競爭對手，如碳化硅（SiC）因為能承受較高的電壓，有潛力應用于高階解決方案，預計到2015年前硅都還會是主流，另外IGBT兼具價格與轉換效率兩者優(yōu)勢，美商國際整流器（International Rectifier）正在研發(fā)足以與SJ MOSFET相抗衡的高速IGBTs，到頭來SJ MOSFET可能定位于這兩者中間，并視電壓、應用及轉頻的需求，而與碳化硅、高速IGBT、IGBT或氮化鎵相互競爭。

這份報告也包含封裝技術的革新，2010年意法半導體（ST Microelectronics）與英飛凌雙雙以極小尺寸的一般封裝技術保持領先地位，體積大小向來是消費型應用的關鍵，此技術提供的小體積優(yōu)勢與消費者應用需求完美契合。