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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管,實(shí)現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管,實(shí)現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

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化開(kāi)啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門(mén),其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低,與LDMOS相當(dāng),遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化。與此同時(shí),對(duì)于高功率射頻應(yīng)用,氮化的用例已經(jīng)擴(kuò)展到分立晶體管以外。 隨著氮化
2019-07-31 07:47:23

300W RMS功率放大器資料分享

描述300W RMS 功率放大器 - 2SC3858 和 2SA1494 晶體管該功放具有出色的音質(zhì),使用四個(gè)輸出功率晶體管, 在4歐姆 負(fù)載下 達(dá)到300W RMS的聲功率,采用對(duì)稱(chēng)電源供電。您可
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300W音頻功放電路圖,選用MJL4281A(NPN)和MJL4302A(PNP),具有高帶寬,良好的SOA(安全工作區(qū)),高線性和高增益。驅(qū)動(dòng)晶體管選用MJE15034(NPN)和MJE15035
2017-07-27 17:18:29

MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽

MACOM六十多年的技術(shù)傳承,運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù),提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

電子、汽車(chē)和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó),2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38

MACOM將在于夏威夷檀香山舉行的IMS 2017上展示業(yè)界領(lǐng)先的射頻和微波產(chǎn)品組合

) 2017上展示其業(yè)界領(lǐng)先的硅基氮化產(chǎn)品組合和其他高性能MMIC和二極產(chǎn)品。 MACOM展位將展示專(zhuān)為商業(yè)、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療射頻應(yīng)用而優(yōu)化的全新產(chǎn)品解決方案。敬請(qǐng)蒞臨1312#展位,與MACOM
2017-05-18 18:12:54

MACOM展示“射頻能量工具包”:將高性能、高成本效益的硅基氮化射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用

,可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā),使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平,從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM射頻能量工具包將其硅基氮化功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14

MACOM:GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用

的單端晶體管、雙端晶體管以及在對(duì)稱(chēng)和不對(duì)稱(chēng)架構(gòu)下峰值功率均可高達(dá)700W的單封裝Doherty器件。這些器件的物理尺寸與性能較低的LDMOS器件和性能相當(dāng)?shù)奶蓟杌?b class="flag-6" style="color: red">氮化器件尺寸相同。MACOM氮化
2017-08-30 10:51:37

MACOM:MAGe-1002425-300W器件

MAGe-1002425-300W器件是一款硅基氮化器件,工作電壓為50V,連續(xù)波工作功率300W時(shí)效率可達(dá)70%。此器件基于TO-272-4塑料封裝,這是一種極具成本效益的耐熱增強(qiáng)型封裝。我們
2017-09-06 14:44:16

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢(shì)

`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻功率器件(例如砷化GaAs)。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

(GaN)那么,問(wèn)題來(lái)了,怎么解決高昂的價(jià)格?首先,先了解下什么是硅基氮化,與硅器件相比,由于氮化晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場(chǎng)而不會(huì)崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20

射頻功率晶體管究竟有多耐用?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27

氮化: 歷史與未來(lái)

,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。 因此,氮化是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化還被用于藍(lán)光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54

氮化功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

本文討論了商用氮化功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì),高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29

氮化功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

功率密度,這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開(kāi)發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開(kāi)關(guān)設(shè)備。因此,開(kāi)始了氮化晶體管(GaN)的概念。  HD-GIT的概述和優(yōu)勢(shì)  松下混合漏極柵極注入晶體管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50

氮化GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

、Mcdodo麥多多45W氮化1A1C充電器49、Mcdodo麥多多65W氮化2C充電器50、NVIDIA英偉達(dá)300W氮化充電器51、PINEN品勝65W氮化充電器52、RAVPower
2020-03-18 22:34:23

氮化發(fā)展評(píng)估

。憑借高達(dá) 300W功率輸出能力和堅(jiān)固的塑料封裝,第四代氮化功率晶體管無(wú)疑已成為具有高成本效益的可信賴解決方案?!袌?chǎng)的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)——————在短期內(nèi),無(wú)線基站市場(chǎng)將繼續(xù)推動(dòng)氮化市場(chǎng)
2017-08-15 17:47:34

氮化場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔

本文展示氮化場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

氮化的卓越表現(xiàn):推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

應(yīng)對(duì)能力以及供應(yīng)鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施獨(dú)一無(wú)二的出色半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化有望以LDMOS成本結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的氮化性能,并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴(kuò)展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42

氮化芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?

2000 年代初就已開(kāi)始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無(wú)疑問(wèn),它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。 Keep Tops氮化有什么好處? 氮化的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18

AM81214-030晶體管

AM81214-030晶體管產(chǎn)品介紹AM81214-030報(bào)價(jià)AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司ASI為UHF,航空
2018-07-17 15:08:03

CG2H80015D-GP4 氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)

` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00

CGH40010F晶體管簡(jiǎn)介

Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50

CGH40010F氮化(GaN)高 電子遷移率晶體管

`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專(zhuān)為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45

CGHV40030氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是無(wú)與倫比的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專(zhuān)為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00

CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化高電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化
2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2晶體管

是碳化硅(SiC)襯底上的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內(nèi)匹配(IM)場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比,提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03

CGHV96100F2氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CHZ9012-QFA功率放大器

產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率W) 65歲PAE(%) 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08

CMPA801B025F氮化(GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

DU2840S射頻晶體管

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2018-05-25 17:03:59

IB0810M210功率晶體管

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于1997年,是一家通過(guò)ISO 9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤(pán)和高功率放大器(HPA)認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
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IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)

所需的功率模塊和各種控制單元模塊。與功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比,驅(qū)動(dòng)氮化功率晶體管存在諸多困難,這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來(lái)的電流變化率和電壓變化率
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IGN2856S40是高功率脈沖晶體管

,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
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2018-08-09 09:57:23

MRF151G射頻晶體管

商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機(jī)成為可能。產(chǎn)品型號(hào):MRF151G產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03

MRF154射頻晶體管

MRF154射頻晶體管產(chǎn)品介紹MRF154報(bào)價(jià)MRF154代理MRF154咨詢熱線MRF154現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MRF154主要用于2至100 MHz
2018-08-07 17:17:34

NPA1003QA射頻晶體管

NPA1003QA射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPA1003QA報(bào)價(jià)NPA1003QA代理NPA1003QA咨詢熱線NPA1003QA現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開(kāi)關(guān)
2018-09-03 12:04:40

NPT2020射頻晶體管

NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開(kāi)關(guān)和衰減器專(zhuān)用PIN二極
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NPT25100P射頻晶體管

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2018-09-26 08:54:30

NPTB00004D射頻晶體管

。MACOM公司提供采用硅、砷化或砷化鋁技術(shù)的這類(lèi)二極。產(chǎn)品型號(hào):NPTB00004D產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14

NPTB00004D射頻晶體管

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2018-09-26 09:31:14

NPTB00025B射頻功率晶體管介紹

和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過(guò)60年的傳統(tǒng),即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19

PH1214-220M脈沖功率晶體管現(xiàn)貨

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2018-05-21 15:49:50

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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2018-07-13 14:16:37

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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2018-07-06 09:46:43

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管現(xiàn)貨

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2018-11-12 11:02:34

QPD1004氮化晶體管

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2018-07-30 15:25:55

QPD1018氮化晶體管

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2018-07-27 09:06:34

QPD1018氮化晶體管

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2019-07-17 13:58:50

QPD1020射頻功率晶體管

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2018-07-27 11:20:12

SGK1314-25A砷化晶體管

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2018-08-06 11:45:41

SGK1314-30A砷化晶體管

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2018-08-06 11:48:15

SGK5254-120A-R砷化晶體管

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2018-08-13 10:23:05

SGM6901VU砷化晶體管

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2018-06-11 14:29:01

SGN2729-250H-R氮化晶體管

)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R氮化晶體管
2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶體管

)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R氮化晶體管
2021-03-30 11:24:16

SGNE045MK晶體管

)= + 25°CSGN19H181M1H砷化晶體管SGN19H240M1H砷化晶體管SGN21H180M1H砷化晶體管SGN21H121M1H砷化晶體管SGN21H181M1H砷化晶體管
2021-03-30 11:32:19

T2G6003028-FS射頻功率晶體管銷(xiāo)售

T2G6003028-FS射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹T2G6003028-FS報(bào)價(jià)T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48

TGF2023-2-20碳化硅晶體管

TGF2023-2-20碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-20報(bào)價(jià)TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨詢熱線TGF2023-2-20現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-22 11:09:47

TGF2040砷化晶體管

功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級(jí)別。產(chǎn)品型號(hào):TGF2040產(chǎn)品名稱(chēng):砷化晶體管
2018-07-18 12:00:19

TGF2160砷化晶體管

TGF2160砷化晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報(bào)價(jià)TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47

TGF2977-SM氮化晶體管

、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱(chēng):氮化晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 12 GHz輸出功率(p3db):6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

。 在器件層面,根據(jù)實(shí)際情況而言,歸一化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化充電器將能實(shí)現(xiàn)
2023-06-15 15:53:16

什么是氮化功率芯片?

包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能,消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過(guò)高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問(wèn)題。 納微推出的世界上首款氮化功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率,實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化(GaN)?

具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng),同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外,氮化比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16

什么是GaN透明晶體管

法,使用氨而不是更常見(jiàn)的氮來(lái)減少氮化晶體管在高溫退火過(guò)程中的表面損傷(見(jiàn)圖4)。我們通過(guò)優(yōu)化離子能量、劑量、活化退火熱預(yù)算和金屬退火后熱預(yù)算,實(shí)現(xiàn)了注入?yún)^(qū)在良好歐姆接觸和方阻方面都有優(yōu)良的結(jié)果(見(jiàn)表2
2020-11-27 16:30:52

供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲?。篘V6127屬性:氮化功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

固態(tài)射頻能量與傳統(tǒng)射頻的不同

小時(shí),磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產(chǎn)生的能量場(chǎng)受控制、高精度,對(duì)控制器的反應(yīng)非常敏感,從而實(shí)現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過(guò)使用RF能量代替磁控管,即可在微波爐中實(shí)現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪,微波爐內(nèi)
2018-08-21 10:57:30

固態(tài)射頻能量的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)用。應(yīng)用一:固態(tài)烹飪射頻能量的一個(gè)主要目標(biāo)應(yīng)用是傳統(tǒng)的微波爐,目前,標(biāo)準(zhǔn)連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物,考慮到每天準(zhǔn)備的餐具數(shù)量,磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管,射頻晶體管產(chǎn)生超高
2018-08-06 10:44:39

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

降低性能。行業(yè)內(nèi)外隨著射頻能量通過(guò)加大控制來(lái)改進(jìn)工藝的機(jī)會(huì)持續(xù)增多,MACOM將繼續(xù)與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作,以應(yīng)用最佳實(shí)踐并通過(guò)我們的硅基氮化(GaN-on-Si)解決方案實(shí)現(xiàn)射頻能量。確保了解有關(guān)射頻能量
2018-01-18 10:56:28

微波射頻能量:醫(yī)療應(yīng)用

我們?cè)凇叭粘I钪械奈⒉?b class="flag-6" style="color: red">射頻能量”系列此前的技術(shù)知識(shí)分享中有提到氮化(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢(shì)以及普遍認(rèn)為的氮化將對(duì)商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)產(chǎn)生變革的影響。在談?wù)撏黄菩缘陌雽?dǎo)體
2017-12-27 10:48:11

微波射頻能量:等離子照明

空置的地方,這進(jìn)一步延長(zhǎng)了燈泡的壽命。盡管這是一個(gè)極具吸引力的概念,但從以往記錄來(lái)看,固態(tài)芯片的成本結(jié)構(gòu)比磁控管更昂貴,這使射頻能量應(yīng)用成為一種奢侈品。然而,憑借MACOM氮化(以硅基的成本構(gòu)成實(shí)現(xiàn)
2017-12-14 10:24:22

微波的發(fā)展:從磁控管到固態(tài)能量

熱應(yīng)用。固態(tài)射頻晶體管能夠產(chǎn)生超精確、可控且響應(yīng)迅速的能量場(chǎng),使射頻能量能夠精確、合理地分布,從而按照精確規(guī)范將食物加熱到理想狀態(tài)。例如,在小分量的典型烹飪食譜中,MACOM的硅基氮化300W晶體管可在
2017-11-15 10:08:05

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計(jì)有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇  驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(dòng)硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異?! ◎?qū)動(dòng)氮化E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極。2010年,第一款增強(qiáng)型氮化晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化功率集成電路- 將GaN FET、氮化基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47

消費(fèi)類(lèi)電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管

(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管

針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

  導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管氮化器件

晶體管”?! ∫了孤兔资怖菍?duì)的。氮化的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量)和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場(chǎng)的能力,制造性能空前的器件。  如今,氮化是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36

300W晶體管正弦波逆變電源電路

300W晶體管正弦波逆變電源電路
2008-11-03 19:19:172403

MACOM推出用于無(wú)線基站的全新高性能氮化功率晶體管系列

中國(guó)上海,2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵(GaN)功率晶體管。
2016-02-24 10:40:21992

MACOM展示“射頻能量工具包”:通過(guò)將高性能、高成本效益的硅基氮化射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用,幫助客戶縮

,以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)等各種應(yīng)用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源,可使未來(lái)幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全新的性能水平和承受能力。
2017-06-12 15:58:571001

用于FM發(fā)射器的300W射頻功率放大器電路圖

這款用于FM發(fā)射器的300W射頻功率放大器具有2個(gè)TP9383晶體管。300W無(wú)線電功率放大器,適用于88–108MHz頻段。
2023-05-23 17:01:281459

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