埃賦隆半導體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:22
2012 在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內，性能強大的IDEV系列能夠提供高達2.2kW的連續(xù)波（CW）輸出功率，而且只采用一個陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機等大功率應用所需的射頻功率晶體管的總數量。
2021-08-13 11:24:033606 
深圳市三佛科技有限公司供應2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專為低頻或音頻放大，直流轉直流轉換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
80W晶體管與電子管混合純甲類功放電路[hide]80W晶體管電子管混合純甲類功放的制作[/hide]
2009-12-15 10:48:06
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
/無線廣播臺等。捕獲這類能量的能力有助于創(chuàng)建新的無電池設備，并允許電池供電設備通過無線方式實現(xiàn)點滴式充電。除了環(huán)境射頻能量外，還有一種方式是使用專門的發(fā)射器發(fā)送功率，這能使無線電源系統(tǒng)提供更高的性能
2019-07-04 08:02:48
輸出為1瓦至600瓦。產品型號: AM81214-030產品名稱：晶體管AM81214-030產品特性內部輸入/輸出匹配網絡PG＝7.2 dB，在5 W（峰值）/ 1400 MHzOMNIORD金屬化
2018-07-17 15:08:03
鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2840S產品名稱：射頻晶體管DU2840S產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構?DU2840S產品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2880V產品名稱：射頻晶體管DU2880V產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構
2018-08-08 11:48:47
。射頻功率晶體管在許多性能上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調過程中能對爐內的射頻功率電平和射頻能量投射方向進行更高的精度的控制。而今的微波爐對其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導致
2017-04-05 10:56:33
當今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產量遠超7000 萬臺，從低成本的消費類產品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類模式運行時，此通用基本設備可提供
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
`產品型號：IB3042-5產品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達系統(tǒng)設計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用
2019-04-15 15:12:37
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
650W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
，可提供至少250 W的峰值輸出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通過50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率，該晶體管封裝在帶有環(huán)氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導體產品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網絡、雷達、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領域。MACOM的產品線借助于
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統(tǒng)設計人員簡化和加快產品開發(fā)，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
商業(yè)和軍事應用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機成為可能。產品型號：MRF151G產品名稱：射頻晶體管MRF151G產品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內的線性大信號輸出級。產品型號：MRF154產品名稱：射頻晶體管MRF154產品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。?產品型號：NPA1003QA產品名稱：射頻晶體管NPA1003QA產品特性GaN上硅HEMT D模放大器適合線性和飽和應用20至1500兆赫的寬帶
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射頻晶體管產品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT25100P產品名稱：射頻晶體管NPT25100P產品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化和其他應用從2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPTB00004D產品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPTB00004D產品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
`產品型號：NPTB00025B產品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優(yōu)化散熱增強的行業(yè)標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導熱性和導電性等優(yōu)勢。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
，占空比高達10％。高壓操作：VDS = 50V大功率：600W（最?。〡 Pin = 12.6W（41dBm）高效率：65％（Typ。）@ Pin = 12.6W（41dBm）阻抗匹配Zin
2021-03-30 11:24:16
電子設備和測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號:T2G6003028-FS產品名稱：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
`內容簡介《射頻微波功率場效應管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構造，介紹了高功率場效應管的集約模型的構成；描述了功率管一般電氣參數的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內容簡介《射頻微波功率場效應管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構造，介紹了高功率場效應管的集約模型的構成；描述了功率管一般電氣參數的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
或電壓源，其工作機制是將不含內容的直流的能量轉化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別，這也是因為其能獲取
2019-06-11 09:56:19
電流密切相關。晶體管的實際功耗在使用時不允許超過PCM值，否則，晶體管會因過載而損壞。耗散功率PCM小于1W的晶體管通常稱為低功率晶體管，等于或大于1W。小于5W的晶體管稱為中等功率晶體管，PCM等于或
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
小時，磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產生的能量場受控制、高精度，對控制器的反應非常敏感，從而實現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過使用RF能量代替磁控管，即可在微波爐中實現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪，微波爐內
2018-08-21 10:57:30
應用。應用一：固態(tài)烹飪射頻能量的一個主要目標應用是傳統(tǒng)的微波爐，目前，標準連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物，考慮到每天準備的餐具數量，磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管，射頻晶體管產生超高
2018-08-06 10:44:39
情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規(guī)功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
是所謂的趨膚效應。通信設備利用10千赫至30千赫的不同頻譜，使用天線傳輸和/或接收數據。對于2.4 GHz 和900mhz 頻率，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間
2022-04-29 17:11:19
，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間距離為40m。在自由空間以外的環(huán)境中，信號的路徑損耗是不同的。表 1 顯示了不同的頻譜及其特殊的應用。不同的頻段有不同的應用，圖1
2021-12-28 09:53:09
表現(xiàn)為一個受控的電流源或電壓源，其工作機制是將不含內容的直流的能量轉化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別
2021-03-28 07:00:00
有沒有對射頻功放了解的大佬，可有償指導。謝謝
2019-11-26 15:57:15
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞。總之，與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數據表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
受控的電流源或電壓源，其工作機制是將不含內容的直流的能量轉化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別，這也
2019-12-27 07:00:00
是600W，工作電壓范圍是5.0-440.0V，工作電流范圍是62.5-0.84A。P6KE系列瞬態(tài)抑制二極管DO-204AC(DO-15)封裝，產品的額定工作功率是600W，工作電壓范圍
2014-06-30 16:35:36
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性?！ ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
你好。請問如何在ADS的庫中添加新的射頻晶體管（sp2和非線性模型）？編輯：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
80W晶體管電子管混合純甲類功放的制作:純甲類功放是古老、笨重、效率低的一種功放形式，但其高品質的重放效果是其他功放形式無法比擬的。本機利用電子管和場效應管組合，發(fā)
2009-11-27 12:05:53
35
600W射頻功率放大器電路圖
2009-04-08 09:17:335280 
600W音頻放大器電路 (600W Audio Amplifier)
2009-12-26 13:04:162790 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381186 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 射頻與微波晶體管振蕩器設計
2013-09-12 16:04:25326 （high electron mobility transistor，HEMT）技術的射頻（radio frequency，RF）功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設備中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。
2013-09-30 15:34:162478 晶體管，大功率，晶體管參數NPN型、大功率開關管、音頻功放開關、達林頓、音頻功放開關。
2015-11-09 16:22:150 。MRF1K50H可在50V電壓下提供1.50 kW CW功率，能夠減少高功率射頻放大器中的晶體管數量，從而減小放大器尺寸并降低物料成本。
2016-05-09 11:53:051173 全球最大的射頻功率晶體管供應商恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652 功率晶體管快速關斷研究
2017-09-12 11:13:567 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 應用的KW級固體放大器提供方便。而在十年前，半導體業(yè)只能供應峰值功率100W的射頻晶體管，為了獲得1000W的峰值功率，末級放大器的驅動級需要采用功率分配器，由10個功率晶體管構成5組獨立的推挽電路，再經功率合成器合成額定的輸出功率。
2017-11-25 15:30:223774 
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 安譜隆半導體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為
2018-05-02 14:44:004397 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912 固態(tài)技術為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來了增強的控制功能和可靠性，人們對此早有認識，但射頻功率晶體管缺少開發(fā)工具來幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢。全球最大的射頻功率晶體管供應商恩智浦半導體（NASDAQ
2018-06-30 09:18:004560 功放模塊在功能上可以分為射頻放大電路和直流饋電電路。射頻放大電路進行射頻信號功率放大，它是功放的主體部分，決定了功放的主要性能指標，如增益、輸出功率、功率平坦度、線性度等。直流饋電電路為功放管提供可調的電壓偏置，有合理的保護措施來防止功放管的損壞，提供溫度補償并采用負反饋技術以提高線性度。
2018-10-11 08:42:007726 的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用于各種工業(yè)、消費和專業(yè)烹飪射頻能量應用；由于它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此
2019-01-20 16:51:01994 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:061280 埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173333 當今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產量遠超7000 萬臺，從低成本的消費類產品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD600規(guī)格書
2021-12-14 14:57:101 這是一款基于射頻功率晶體管BLY94構建的100W射頻放大器。
2022-06-15 16:31:195086 
此圖是射頻放大電路的示意圖。該電路將射頻信號放大10倍左右，輸入功率為100mW，輸出功率為1.3W。它使用一個通用的NPN射頻晶體管2SC1970。您可以應用其他晶體管，例如 2N442。
2022-06-16 16:23:4912888 
這是一個基于射頻功率晶體管2SC2539的15W調頻射頻放大器電路。
2022-08-06 15:49:473401 
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。
2023-02-14 11:59:271357 TVS二極管瞬態(tài)功率在10/1000μs電流波形下，有200W、400W、500W、600W、1000W、1500W、3000W、3600W、4600W、5000W、6000W、6600W
2022-02-17 10:51:051726 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF428射頻功率晶體管規(guī)格書。主要設計用于高電壓應用，作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于船舶和基站設備?！ひ?guī)定的50伏、30 MHz特性-輸出功率=150 W（PEP）最小增益=13 db效率=45%·150 W時的互調失真
2023-07-24 14:26:520 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提供約
2023-07-28 17:04:194410 
TT Electronics (Semelab)的射頻功率 MOSFET 晶體管，包括 D2205UK、D2213UK 和 D2001UK。這些器件都是采用硅 (Si) 技術的 N-Channel DMOS FET，設計用于高頻通信應用，具有優(yōu)異的射頻性能和功率處理能力。
2024-04-26 11:53:172592 
它究竟有何獨特之處。 文件下載： BFU520YX.pdf 產品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族，適用于高達2 GHz的小信號到中功率應用。這種封裝形式不僅便于安裝，而且在一定程度上保護了晶體管，使其在各種環(huán)境下
2025-12-30 17:35:13413
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工商網監(jiān)
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