埃賦隆半導(dǎo)體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:22
2012 在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內(nèi)，性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波（CW）輸出功率，而且只采用一個(gè)陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機(jī)等大功率應(yīng)用所需的射頻功率晶體管的總數(shù)量。
2021-08-13 11:24:033606 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專(zhuān)為低頻或音頻放大，直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
80W晶體管與電子管混合純甲類(lèi)功放電路[hide]80W晶體管電子管混合純甲類(lèi)功放的制作[/hide]
2009-12-15 10:48:06
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
/無(wú)線(xiàn)廣播臺(tái)等。捕獲這類(lèi)能量的能力有助于創(chuàng)建新的無(wú)電池設(shè)備，并允許電池供電設(shè)備通過(guò)無(wú)線(xiàn)方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)滴式充電。除了環(huán)境射頻能量外，還有一種方式是使用專(zhuān)門(mén)的發(fā)射器發(fā)送功率，這能使無(wú)線(xiàn)電源系統(tǒng)提供更高的性能
2019-07-04 08:02:48
輸出為1瓦至600瓦。產(chǎn)品型號(hào): AM81214-030產(chǎn)品名稱(chēng)：晶體管AM81214-030產(chǎn)品特性?xún)?nèi)部輸入/輸出匹配網(wǎng)絡(luò)PG＝7.2 dB，在5 W（峰值）/ 1400 MHzOMNIORD金屬化
2018-07-17 15:08:03
鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2840S產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2880V產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
。射頻功率晶體管在許多性能上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調(diào)過(guò)程中能對(duì)爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進(jìn)行更高的精度的控制。而今的微波爐對(duì)其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導(dǎo)致
2017-04-05 10:56:33
當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場(chǎng)之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬(wàn)臺(tái)，從低成本的消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品到高端的專(zhuān)業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類(lèi)型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專(zhuān)為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類(lèi)模式運(yùn)行時(shí)，此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
`產(chǎn)品型號(hào)：IB3042-5產(chǎn)品名稱(chēng)：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場(chǎng)的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37
于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
650W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
，可提供至少250 W的峰值輸出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通過(guò)50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率，該晶體管封裝在帶有環(huán)氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類(lèi)操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線(xiàn)技術(shù)通過(guò)芯片和線(xiàn)材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線(xiàn)借助于
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機(jī)成為可能。產(chǎn)品型號(hào)：MRF151G產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線(xiàn)性大信號(hào)輸出級(jí)。產(chǎn)品型號(hào)：MRF154產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。?產(chǎn)品型號(hào)：NPA1003QA產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管NPA1003QA產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT D模放大器適合線(xiàn)性和飽和應(yīng)用20至1500兆赫的寬帶
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢(xún)熱線(xiàn)NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開(kāi)關(guān)和衰減器專(zhuān)用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPT25100P產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管NPT25100P產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化和其他應(yīng)用從2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00004D產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00004D產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
`產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00025B產(chǎn)品名稱(chēng): 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對(duì)DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測(cè)試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)。n具有中等功率能力的無(wú)鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢(xún)熱線(xiàn)QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
，占空比高達(dá)10％。高壓操作：VDS = 50V大功率：600W（最小）@ Pin = 12.6W（41dBm）高效率：65％（Typ。）@ Pin = 12.6W（41dBm）阻抗匹配Zin
2021-03-30 11:24:16
電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線(xiàn)性操作。產(chǎn)品型號(hào):T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱(chēng)：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類(lèi)和基本構(gòu)造，介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法，著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類(lèi)和基本構(gòu)造，介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法，著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
或電壓源，其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別，這也是因?yàn)槠淠塬@取
2019-06-11 09:56:19
電流密切相關(guān)。晶體管的實(shí)際功耗在使用時(shí)不允許超過(guò)PCM值，否則，晶體管會(huì)因過(guò)載而損壞。耗散功率PCM小于1W的晶體管通常稱(chēng)為低功率晶體管，等于或大于1W。小于5W的晶體管稱(chēng)為中等功率晶體管，PCM等于或
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
小時(shí)，磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產(chǎn)生的能量場(chǎng)受控制、高精度，對(duì)控制器的反應(yīng)非常敏感，從而實(shí)現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過(guò)使用RF能量代替磁控管，即可在微波爐中實(shí)現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪，微波爐內(nèi)
2018-08-21 10:57:30
應(yīng)用。應(yīng)用一：固態(tài)烹飪射頻能量的一個(gè)主要目標(biāo)應(yīng)用是傳統(tǒng)的微波爐，目前，標(biāo)準(zhǔn)連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物，考慮到每天準(zhǔn)備的餐具數(shù)量，磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管，射頻晶體管產(chǎn)生超高
2018-08-06 10:44:39
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
是所謂的趨膚效應(yīng)。通信設(shè)備利用10千赫至30千赫的不同頻譜，使用天線(xiàn)傳輸和/或接收數(shù)據(jù)。對(duì)于2.4 GHz 和900mhz 頻率，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間
2022-04-29 17:11:19
，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間距離為40m。在自由空間以外的環(huán)境中，信號(hào)的路徑損耗是不同的。表 1 顯示了不同的頻譜及其特殊的應(yīng)用。不同的頻段有不同的應(yīng)用，圖1
2021-12-28 09:53:09
表現(xiàn)為一個(gè)受控的電流源或電壓源，其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別
2021-03-28 07:00:00
有沒(méi)有對(duì)射頻功放了解的大佬，可有償指導(dǎo)。謝謝
2019-11-26 15:57:15
的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞?？傊c用于LLC拓?fù)鋺?yīng)用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價(jià)值。
2023-02-27 09:37:29
我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
受控的電流源或電壓源，其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別，這也
2019-12-27 07:00:00
是600W，工作電壓范圍是5.0-440.0V，工作電流范圍是62.5-0.84A。P6KE系列瞬態(tài)抑制二極管DO-204AC(DO-15)封裝，產(chǎn)品的額定工作功率是600W，工作電壓范圍
2014-06-30 16:35:36
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性?！ ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
你好。請(qǐng)問(wèn)如何在ADS的庫(kù)中添加新的射頻晶體管（sp2和非線(xiàn)性模型）？編輯：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
80W晶體管電子管混合純甲類(lèi)功放的制作:純甲類(lèi)功放是古老、笨重、效率低的一種功放形式，但其高品質(zhì)的重放效果是其他功放形式無(wú)法比擬的。本機(jī)利用電子管和場(chǎng)效應(yīng)管組合，發(fā)
2009-11-27 12:05:53
35
600W射頻功率放大器電路圖
2009-04-08 09:17:335280 
600W音頻放大器電路 (600W Audio Amplifier)
2009-12-26 13:04:162790 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱(chēng)集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381186 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 射頻與微波晶體管振蕩器設(shè)計(jì)
2013-09-12 16:04:25326 （high electron mobility transistor，HEMT）技術(shù)的射頻（radio frequency，RF）功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設(shè)備中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。
2013-09-30 15:34:162478 晶體管，大功率，晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開(kāi)關(guān)。
2015-11-09 16:22:150 。MRF1K50H可在50V電壓下提供1.50 kW CW功率，能夠減少高功率射頻放大器中的晶體管數(shù)量，從而減小放大器尺寸并降低物料成本。
2016-05-09 11:53:051173 全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652 功率晶體管快速關(guān)斷研究
2017-09-12 11:13:567 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 應(yīng)用的KW級(jí)固體放大器提供方便。而在十年前，半導(dǎo)體業(yè)只能供應(yīng)峰值功率100W的射頻晶體管，為了獲得1000W的峰值功率，末級(jí)放大器的驅(qū)動(dòng)級(jí)需要采用功率分配器，由10個(gè)功率晶體管構(gòu)成5組獨(dú)立的推挽電路，再經(jīng)功率合成器合成額定的輸出功率。
2017-11-25 15:30:223774 
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為
2018-05-02 14:44:004397 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912 固態(tài)技術(shù)為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來(lái)了增強(qiáng)的控制功能和可靠性，人們對(duì)此早有認(rèn)識(shí)，但射頻功率晶體管缺少開(kāi)發(fā)工具來(lái)幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢(shì)。全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體（NASDAQ
2018-06-30 09:18:004560 功放模塊在功能上可以分為射頻放大電路和直流饋電電路。射頻放大電路進(jìn)行射頻信號(hào)功率放大，它是功放的主體部分，決定了功放的主要性能指標(biāo)，如增益、輸出功率、功率平坦度、線(xiàn)性度等。直流饋電電路為功放管提供可調(diào)的電壓偏置，有合理的保護(hù)措施來(lái)防止功放管的損壞，提供溫度補(bǔ)償并采用負(fù)反饋技術(shù)以提高線(xiàn)性度。
2018-10-11 08:42:007726 的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用于各種工業(yè)、消費(fèi)和專(zhuān)業(yè)烹飪射頻能量應(yīng)用；由于它可以通過(guò)單個(gè)SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此
2019-01-20 16:51:01994 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類(lèi)最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:061280 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類(lèi)最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173333 當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場(chǎng)之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用。現(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬(wàn)臺(tái)，從低成本的消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品到高端的專(zhuān)業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類(lèi)型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD600規(guī)格書(shū)
2021-12-14 14:57:101 這是一款基于射頻功率晶體管BLY94構(gòu)建的100W射頻放大器。
2022-06-15 16:31:195086 
此圖是射頻放大電路的示意圖。該電路將射頻信號(hào)放大10倍左右，輸入功率為100mW，輸出功率為1.3W。它使用一個(gè)通用的NPN射頻晶體管2SC1970。您可以應(yīng)用其他晶體管，例如 2N442。
2022-06-16 16:23:4912888 
這是一個(gè)基于射頻功率晶體管2SC2539的15W調(diào)頻射頻放大器電路。
2022-08-06 15:49:473401 
功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。
2023-02-14 11:59:271357 TVS二極管瞬態(tài)功率在10/1000μs電流波形下，有200W、400W、500W、600W、1000W、1500W、3000W、3600W、4600W、5000W、6000W、6600W
2022-02-17 10:51:051726 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)
2023-07-24 14:27:530 MRF428射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)。主要設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用，作為2.0至30 MHz的高功率線(xiàn)性放大器。適用于船舶和基站設(shè)備?！ひ?guī)定的50伏、30 MHz特性-輸出功率=150 W（PEP）最小增益=13 db效率=45%·150 W時(shí)的互調(diào)失真
2023-07-24 14:26:520 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)
2023-07-24 14:24:070 這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過(guò) 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提供約
2023-07-28 17:04:194410 
TT Electronics (Semelab)的射頻功率 MOSFET 晶體管，包括 D2205UK、D2213UK 和 D2001UK。這些器件都是采用硅 (Si) 技術(shù)的 N-Channel DMOS FET，設(shè)計(jì)用于高頻通信應(yīng)用，具有優(yōu)異的射頻性能和功率處理能力。
2024-04-26 11:53:172592 
它究竟有何獨(dú)特之處。 文件下載： BFU520YX.pdf 產(chǎn)品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族，適用于高達(dá)2 GHz的小信號(hào)到中功率應(yīng)用。這種封裝形式不僅便于安裝，而且在一定程度上保護(hù)了晶體管，使其在各種環(huán)境下
2025-12-30 17:35:13413
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