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電子發(fā)燒友網(wǎng)>RF/無(wú)線(xiàn)>快速了解小型射頻功放晶體管可為射頻能量應(yīng)用提供600W功率

快速了解小型射頻功放晶體管可為射頻能量應(yīng)用提供600W功率

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2021-08-13 11:24:033606

2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管

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2025-06-05 10:18:15

80W晶體管與電子混合純甲類(lèi)功放電路

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射頻功率晶體管究竟有多耐用?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27

射頻能量采集技術(shù)的全面介紹

/無(wú)線(xiàn)廣播臺(tái)等。捕獲這類(lèi)能量的能力有助于創(chuàng)建新的無(wú)電池設(shè)備,并允許電池供電設(shè)備通過(guò)無(wú)線(xiàn)方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)滴式充電。除了環(huán)境射頻能量外,還有一種方式是使用專(zhuān)門(mén)的發(fā)射器發(fā)送功率,這能使無(wú)線(xiàn)電源系統(tǒng)提供更高的性能
2019-07-04 08:02:48

AM81214-030晶體管

輸出為1瓦至600瓦。產(chǎn)品型號(hào): AM81214-030產(chǎn)品名稱(chēng):晶體管AM81214-030產(chǎn)品特性?xún)?nèi)部輸入/輸出匹配網(wǎng)絡(luò)PG=7.2 dB,在5 W(峰值)/ 1400 MHzOMNIORD金屬化
2018-07-17 15:08:03

DU2840S射頻晶體管

鎵技術(shù)的這類(lèi)二極。產(chǎn)品型號(hào):DU2840S產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17

DU2880V射頻晶體管

公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極。產(chǎn)品型號(hào):DU2880V產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47

GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量及其在烹飪中的應(yīng)用【2】

射頻功率晶體管在許多性能上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管,包括在烹調(diào)過(guò)程中能對(duì)爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進(jìn)行更高的精度的控制。而今的微波爐對(duì)其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力,這將導(dǎo)致
2017-04-05 10:56:33

GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量的?如何在烹飪中的應(yīng)用的?

當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場(chǎng)之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?,F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬(wàn)臺(tái),從低成本的消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品到高端的專(zhuān)業(yè)和工業(yè)加熱爐,它的產(chǎn)品類(lèi)型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54

IB0810M210功率晶體管

脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100%屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29

IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件

匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49

IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件

匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42

IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管

`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管,專(zhuān)為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類(lèi)模式運(yùn)行時(shí),此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46

IB2729M170大功率脈沖晶體管

ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購(gòu)產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人:王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36

IB3042-5晶體管

`產(chǎn)品型號(hào):IB3042-5產(chǎn)品名稱(chēng):晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起,他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場(chǎng)的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37

IB3042-5晶體管

于1997年,是一家通過(guò)ISO 9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤(pán)和高功率放大器(HPA)認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13

IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管

650W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31

IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管

,可提供至少250 W的峰值輸出功率,通常具有> 24 dB的增益和75%的效率。它通過(guò)50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率,該晶體管封裝在帶有環(huán)氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32

IGN1090M800雷達(dá)晶體管

Technologies公司成立于1997年,是一家通過(guò)ISO 9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤(pán)和高功率放大器(HPA)認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS
2019-05-20 09:16:24

IGN2856S40是高功率脈沖晶體管

`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管,指定用于AB類(lèi)操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小40W的峰值脈沖功率,50V和3%的占空比。 該單元采用金線(xiàn)技術(shù)通過(guò)芯片和線(xiàn)材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55

IGT2731L120雷達(dá)晶體管現(xiàn)貨

IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年,是一家通過(guò)ISO 9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤(pán)和高功率放大器(HPA
2018-11-12 10:26:20

MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽

`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線(xiàn)借助于
2017-08-14 14:41:32

MACOM展示“射頻能量工具包”:將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用

,可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā),使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平,從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14

MRF151G射頻晶體管

商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機(jī)成為可能。產(chǎn)品型號(hào):MRF151G產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03

MRF154射頻晶體管

頻率范圍內(nèi)的線(xiàn)性大信號(hào)輸出級(jí)。產(chǎn)品型號(hào):MRF154產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特,30兆赫的特性-輸出功率600瓦,功率增益=17分貝(Typ),效率
2018-08-07 17:17:34

NPA1003QA射頻晶體管

。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極。?產(chǎn)品型號(hào):NPA1003QA產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPA1003QA產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT D模放大器適合線(xiàn)性和飽和應(yīng)用20至1500兆赫的寬帶
2018-09-03 12:04:40

NPT2020射頻晶體管

NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢(xún)熱線(xiàn)NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開(kāi)關(guān)和衰減器專(zhuān)用PIN二極
2018-09-26 09:04:23

NPT25100P射頻晶體管

。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極。產(chǎn)品型號(hào):NPT25100P產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPT25100P產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化和其他應(yīng)用從2100至
2018-09-26 08:54:30

NPTB00004D射頻晶體管

。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極。產(chǎn)品型號(hào):NPTB00004D產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14

NPTB00004D射頻晶體管

。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極。產(chǎn)品型號(hào):NPTB00004D產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14

NPTB00025B射頻功率晶體管介紹

`產(chǎn)品型號(hào):NPTB00025B產(chǎn)品名稱(chēng): 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對(duì)DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100%射頻測(cè)試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19

Nexperia 80 V,1 A NPN中功率晶體管

`NPN中功率晶體管系列,采用表面貼裝器件(SMD)塑料封裝,具有大電流,高功耗,出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)。n具有中等功率能力的無(wú)鉛超小型SMD塑料封裝(SOT1061)。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01

QPD1020射頻功率晶體管

QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢(xún)熱線(xiàn)QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W(p3db),50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12

SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管

,占空比高達(dá)10%。高壓操作:VDS = 50V大功率600W(最小)@ Pin = 12.6W(41dBm)高效率:65%(Typ。)@ Pin = 12.6W(41dBm)阻抗匹配Zin
2021-03-30 11:24:16

T2G6003028-FS射頻功率晶體管銷(xiāo)售

電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線(xiàn)性操作。產(chǎn)品型號(hào):T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱(chēng):射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率:直流至6千兆赫輸出功率(p3db):30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48

【下載】《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)的建模與特征》

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2017-09-07 18:09:11

【下載】《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)的建模與特征》

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2018-01-15 17:57:06

一文看懂射頻功率放大器(RF PA)

或電壓源,其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得,晶體管加以消耗,并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”,比如其承受功率的能力有區(qū)別,這也是因?yàn)槠淠塬@取
2019-06-11 09:56:19

什么是晶體管 晶體管的分類(lèi)及主要參數(shù)

電流密切相關(guān)。晶體管的實(shí)際功耗在使用時(shí)不允許超過(guò)PCM值,否則,晶體管會(huì)因過(guò)載而損壞。耗散功率PCM小于1W晶體管通常稱(chēng)為低功率晶體管,等于或大于1W。小于5W晶體管稱(chēng)為中等功率晶體管,PCM等于或
2023-02-03 09:36:05

什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59

固態(tài)射頻能量與傳統(tǒng)射頻的不同

小時(shí),磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產(chǎn)生的能量場(chǎng)受控制、高精度,對(duì)控制器的反應(yīng)非常敏感,從而實(shí)現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過(guò)使用RF能量代替磁控管,即可在微波爐中實(shí)現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪,微波爐內(nèi)
2018-08-21 10:57:30

固態(tài)射頻能量的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)用。應(yīng)用一:固態(tài)烹飪射頻能量的一個(gè)主要目標(biāo)應(yīng)用是傳統(tǒng)的微波爐,目前,標(biāo)準(zhǔn)連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物,考慮到每天準(zhǔn)備的餐具數(shù)量,磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管射頻晶體管產(chǎn)生超高
2018-08-06 10:44:39

基于MOS場(chǎng)效應(yīng)的大功率寬頻帶線(xiàn)性射頻放大器設(shè)計(jì)概述

情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放,采用場(chǎng)效應(yīng)(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單,正是基于場(chǎng)效應(yīng)輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

無(wú)線(xiàn)電射頻能量是如何被收集的

是所謂的趨膚效應(yīng)。通信設(shè)備利用10千赫至30千赫的不同頻譜,使用天線(xiàn)傳輸和/或接收數(shù)據(jù)。對(duì)于2.4 GHz 和900mhz 頻率,射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW,自由空間
2022-04-29 17:11:19

無(wú)線(xiàn)電射頻能量的收集[回映分享]

,射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW,自由空間距離為40m。在自由空間以外的環(huán)境中,信號(hào)的路徑損耗是不同的。表 1 顯示了不同的頻譜及其特殊的應(yīng)用。不同的頻段有不同的應(yīng)用,圖1
2021-12-28 09:53:09

最全射頻功率放大器知識(shí)點(diǎn)!

表現(xiàn)為一個(gè)受控的電流源或電壓源,其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得,晶體管加以消耗,并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”,比如其承受功率的能力有區(qū)別
2021-03-28 07:00:00

有沒(méi)有對(duì)射頻功放了解的大佬,可有償指導(dǎo)。

有沒(méi)有對(duì)射頻功放了解的大佬,可有償指導(dǎo)。謝謝
2019-11-26 15:57:15

概述晶體管

的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管功率晶體管,一般功率晶體管功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

換向故障損壞??傊c用于LLC拓?fù)鋺?yīng)用的Si和SiC晶體管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價(jià)值。
2023-02-27 09:37:29

求分享摩托羅拉收音機(jī)VHF射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表

我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表,有人可以幫我嗎?
2023-05-30 07:40:02

消費(fèi)類(lèi)電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管

(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16

牢記這幾步,射頻 PA 輕松擺脫“震蕩”

受控的電流源或電壓源,其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得,晶體管加以消耗,并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”,比如其承受功率的能力有區(qū)別,這也
2019-12-27 07:00:00

碩凱600W和1500W瞬態(tài)抑制二極

600W,工作電壓范圍是5.0-440.0V,工作電流范圍是62.5-0.84A。P6KE系列瞬態(tài)抑制二極DO-204AC(DO-15)封裝,產(chǎn)品的額定工作功率600W,工作電壓范圍
2014-06-30 16:35:36

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

,典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦,增益為16dB,并具備低熱阻特性?! ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管,額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26

請(qǐng)問(wèn)如何在ADS的庫(kù)中添加新的射頻晶體管

你好。請(qǐng)問(wèn)如何在ADS的庫(kù)中添加新的射頻晶體管(sp2和非線(xiàn)性模型)?編輯:vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03

80W晶體管電子混合純甲類(lèi)功放的制作

80W晶體管電子混合純甲類(lèi)功放的制作:純甲類(lèi)功放是古老、笨重、效率低的一種功放形式,但其高品質(zhì)的重放效果是其他功放形式無(wú)法比擬的。本機(jī)利用電子和場(chǎng)效應(yīng)組合,發(fā)
2009-11-27 12:05:5335

600W射頻功率放大器電路圖

600W射頻功率放大器電路圖
2009-04-08 09:17:335280

600W音頻放大器電路 (600W Audio Amplif

600W音頻放大器電路 (600W Audio Amplifier)
2009-12-26 13:04:162790

晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思

晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思 晶體管耗散功率也稱(chēng)集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979

恩智浦半導(dǎo)體推出LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BL

  恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381186

ST推出LET系列射頻(RF)功率晶體管

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156

射頻與微波晶體管振蕩器設(shè)計(jì)

射頻與微波晶體管振蕩器設(shè)計(jì)
2013-09-12 16:04:25326

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應(yīng)用提供無(wú)與倫比的高功率性能

(high electron mobility transistor,HEMT)技術(shù)的射頻(radio frequency,RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設(shè)備中,MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。
2013-09-30 15:34:162478

晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放

晶體管,大功率,晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開(kāi)關(guān)。
2015-11-09 16:22:150

恩智浦1500 kW射頻功率晶體管樹(shù)立新標(biāo)桿

。MRF1K50H可在50V電壓下提供1.50 kW CW功率,能夠減少高功率射頻放大器中的晶體管數(shù)量,從而減小放大器尺寸并降低物料成本。
2016-05-09 11:53:051173

恩智浦突破固態(tài)射頻能量極限

全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652

功率晶體管快速關(guān)斷研究

功率晶體管快速關(guān)斷研究
2017-09-12 11:13:567

射頻功率晶體管耐用性的驗(yàn)證

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738

晶體管射頻放大器參數(shù)測(cè)量的進(jìn)展和意義

應(yīng)用的KW級(jí)固體放大器提供方便。而在十年前,半導(dǎo)體業(yè)只能供應(yīng)峰值功率100W射頻晶體管,為了獲得1000W的峰值功率,末級(jí)放大器的驅(qū)動(dòng)級(jí)需要采用功率分配器,由10個(gè)功率晶體管構(gòu)成5組獨(dú)立的推挽電路,再經(jīng)功率合成器合成額定的輸出功率。
2017-11-25 15:30:223774

射頻功率晶體管耐用性的驗(yàn)證

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884

安譜隆半導(dǎo)體推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管

安譜隆半導(dǎo)體(Ampleon)宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為
2018-05-02 14:44:004397

安譜隆半導(dǎo)體宣布推出600W功率放大器晶體管

安譜隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912

智浦半導(dǎo)體推出RFE系列射頻能量系統(tǒng)解決方案

固態(tài)技術(shù)為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來(lái)了增強(qiáng)的控制功能和可靠性,人們對(duì)此早有認(rèn)識(shí),但射頻功率晶體管缺少開(kāi)發(fā)工具來(lái)幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢(shì)。全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NASDAQ
2018-06-30 09:18:004560

如何設(shè)計(jì)數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的75W射頻功放模塊

功放模塊在功能上可以分為射頻放大電路和直流饋電電路。射頻放大電路進(jìn)行射頻信號(hào)功率放大,它是功放的主體部分,決定了功放的主要性能指標(biāo),如增益、輸出功率、功率平坦度、線(xiàn)性度等。直流饋電電路為功放管提供可調(diào)的電壓偏置,有合理的保護(hù)措施來(lái)防止功放管的損壞,提供溫度補(bǔ)償并采用負(fù)反饋技術(shù)以提高線(xiàn)性度。
2018-10-11 08:42:007726

Ampleon推出大功率射頻晶體管,面向工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能量應(yīng)用

的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用于各種工業(yè)、消費(fèi)和專(zhuān)業(yè)烹飪射頻能量應(yīng)用;由于它可以通過(guò)單個(gè)SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW,因此
2019-01-20 16:51:01994

高效率750W射頻功率晶體管可實(shí)現(xiàn)更緊湊的功率放大器設(shè)計(jì)

荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%,為同類(lèi)最佳,其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:061280

Ampleon推出750W射頻功率晶體管 可減少定輸出功率所用能量

埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%,為同類(lèi)最佳,其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173333

烹飪應(yīng)用中的射頻能量介紹

當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場(chǎng)之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用。現(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬(wàn)臺(tái),從低成本的消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品到高端的專(zhuān)業(yè)和工業(yè)加熱爐,它的產(chǎn)品類(lèi)型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:000

如何驗(yàn)證射頻功率晶體管的耐用性

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2020-08-20 18:50:000

SPTECH硅NPN功率晶體管2SD600規(guī)格書(shū)

SPTECH硅NPN功率晶體管2SD600規(guī)格書(shū)
2021-12-14 14:57:101

基于BLY94構(gòu)建的100W射頻放大器電路

這是一款基于射頻功率晶體管BLY94構(gòu)建的100W射頻放大器。
2022-06-15 16:31:195086

1.3W射頻放大器的電路圖分享

此圖是射頻放大電路的示意圖。該電路將射頻信號(hào)放大10倍左右,輸入功率為100mW,輸出功率為1.3W。它使用一個(gè)通用的NPN射頻晶體管2SC1970。您可以應(yīng)用其他晶體管,例如 2N442。
2022-06-16 16:23:4912888

帶2SC2539的15W FM射頻放大器電路

這是一個(gè)基于射頻功率晶體管2SC2539的15W調(diào)頻射頻放大器電路。
2022-08-06 15:49:473401

請(qǐng)問(wèn)功率晶體管是什么?是二極嗎?

功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。
2023-02-14 11:59:271357

600W功率的瞬變抑制二極

TVS二極瞬態(tài)功率在10/1000μs電流波形下,有200W、400W、500W、600W、1000W、1500W、3000W、3600W、4600W、5000W、6000W、6600W
2022-02-17 10:51:051726

MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)

MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)
2023-07-24 14:27:530

MRF428射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)

MRF428射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)。主要設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用,作為2.0至30 MHz的高功率線(xiàn)性放大器。適用于船舶和基站設(shè)備?!ひ?guī)定的50伏、30 MHz特性-輸出功率=150 W(PEP)最小增益=13 db效率=45%·150 W時(shí)的互調(diào)失真
2023-07-24 14:26:520

MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)

MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)
2023-07-24 14:24:070

600W MOSFET功率放大器電路圖及PCB設(shè)計(jì)

這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過(guò) 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450,即可為提供
2023-07-28 17:04:194410

選型應(yīng)用:TT Electronics (Semelab)射頻功率 MOSFET 晶體管對(duì)比

TT Electronics (Semelab)的射頻功率 MOSFET 晶體管,包括 D2205UK、D2213UK 和 D2001UK。這些器件都是采用硅 (Si) 技術(shù)的 N-Channel DMOS FET,設(shè)計(jì)用于高頻通信應(yīng)用,具有優(yōu)異的射頻性能和功率處理能力。
2024-04-26 11:53:172592

探索BFU520Y:雙NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能

它究竟有何獨(dú)特之處。 文件下載: BFU520YX.pdf 產(chǎn)品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族,適用于高達(dá)2 GHz的小信號(hào)到中功率應(yīng)用。這種封裝形式不僅便于安裝,而且在一定程度上保護(hù)了晶體管,使其在各種環(huán)境下
2025-12-30 17:35:13413

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