全球兩大半導(dǎo)體公司上周在第64屆國際電子器件會(huì)議（IEDM）上展示了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。

英特爾在其22FFL工藝中描述了基于自旋轉(zhuǎn)移力矩（STT）-MRAM的非易失性存儲(chǔ)器的關(guān)鍵特性，稱其為“首個(gè)基于FinFET的MRAM技術(shù)?！睂⒃摷夹g(shù)描述為“生產(chǎn)”已經(jīng)準(zhǔn)備好了“英特爾沒有為這個(gè)流程命名任何代工廠客戶，但有多家消息人士表示，它已經(jīng)被用于現(xiàn)已發(fā)貨的產(chǎn)品中。

與此同時(shí)，三星在28納米FDSOI平臺(tái)上描述了STT-MRAM。STT-MRAM在可擴(kuò)展性，形狀依賴性和磁可擴(kuò)展性方面被認(rèn)為是最好的MRAM技術(shù)。

MRAM技術(shù)自20世紀(jì)90年代以來一直在發(fā)展，但尚未取得廣泛的商業(yè)成功。三星研發(fā)中心的首席工程師，該公司IEDM論文的主要作者Yoon Jong Song說：“我認(rèn)為現(xiàn)在是我們展示可制造和商業(yè)化的時(shí)候了?！?/p>

除了被視為獨(dú)立設(shè)備的有希望的候選者，以取代內(nèi)存芯片堅(jiān)定的DRAM和NAND閃存 - 隨著行業(yè)轉(zhuǎn)向更小的節(jié)點(diǎn)面臨嚴(yán)重的擴(kuò)展挑戰(zhàn) - MRAM，一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器，吸引人的作為一個(gè)嵌入式技術(shù)替代閃存和嵌入式SRAM，因?yàn)樗哂锌焖俚淖x/寫時(shí)間，高耐用性和強(qiáng)大的保留能力。嵌入式MRAM被認(rèn)為特別適用于諸如物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備之類的應(yīng)用。

自去年以來，Globalfoundries一直在其22FDX 22-nm FD-SOI工藝上提供嵌入式MRAM。但Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示，他并不知道Globalfoundries嵌入式MRAM技術(shù)的任何商業(yè)產(chǎn)品。

“沒有人提起它的原因是因?yàn)樗麄儽仨毺砑有虏牧?，”他說。

但隨著制造成本下降以及其他存儲(chǔ)器技術(shù)面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮?！爸匾氖?，憑借新的工藝技術(shù)，SRAM單元的尺寸不會(huì)隨著剩余的工藝而縮小，因此MRAM變得越來越有吸引力，”Handy說。

英特爾在其論文中表示，其嵌入式MRAM技術(shù)可在200攝氏度下實(shí)現(xiàn)10年的保留，并可在超過10 6個(gè)開關(guān)周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)10年的保持。該技術(shù)使用216×225 mm 1T-1R存儲(chǔ)單元。

與此同時(shí)，三星公司稱其8Mb MRAM的耐久性為10 6個(gè)周期，保留期為10年。

Song表示，三星技術(shù)最初將用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，并補(bǔ)充說在將其用于汽車和工業(yè)應(yīng)用之前必須提高可靠性。“我們已成功將該技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)移到工廠，并將在不久的將來將其推向市場?！?/p>

來源：朗銳智科