?。?）模式寄存器

　　L82C37A 內部每個通道都有一個6位的模式寄存器，其結構如圖3所示。

　　圖3　模式寄存器

　　該寄存器是確定工作模式的，這是一個D觸發(fā)器，其輸入/輸出均與數據總線相連。在輸入控制信號ME=1時，總線數據寫入寄存器。ME=0時數據鎖存。MS有效時，模式寄存器的數據送往相應控制的控制端。如果CPU查詢模式寄存器則可使EMR有效，將其內容讀到數據線上。

　　模式寄存器由A0-A3和D0、D1來選擇，當A0-A3為1101，D0 D1為00時，則選中通道0的模式寄存器。此時CPU可以對其進行讀/寫操作。

　　在DMA控制器中，還有命令寄存器、狀態(tài)寄存器、請求寄存器、屏蔽寄存器、暫存寄存器等。在此不贅述。

　　2.6　L82C37A版圖設計

　　L82C37A的版圖是采用2.0μm硅柵CMOS單層金屬布線規(guī)則進行設計的。

　　主要的設計規(guī)則如下（單位：μm）：

　　（1）N/P管溝道長度　　　　　　2.0/2.5

　?。?）多晶硅最小條寬/間距　　　2.0/3.0

　?。?）多晶硅包孔　　　　　　　1.25

　　（4）多晶硅在場區(qū)出頭　　　　2.0

　?。?）有源區(qū)最小寬/間距　　　　3.0/2.5

　?。?）P阱包N管有源　　　　　　3.0

　?。?）P阱距P管有源　　　　　　7.0

　?。?）P+包有源　　　　　　　　2.0

　?。?）孔最小尺寸　　　　　　　2.0×2.0

　?。?0）鋁最小寬/間距　　　　　4.0/4.0

　?。?1）鋁線包孔　　　　　　　　1.0

　?。?2）鈍化窗口尺寸　　　　　　100×100

　　L82C37A控制電路部分的版圖均由標準單元電路版圖構成，在版圖完成之后，對版圖進行了DRC、ERC、LVS檢查，以確保其正確性。

　　2.7　L82C37A工藝研制

　　L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅，晶向為〈100〉，電阻率為6～9Ω.cm。

　?。?）工藝流程

　　選片→一次氧化→光刻P阱→P阱注入→P阱推進→預氧化→LPCVDSi3N4→光刻有源→P管場注入→光刻→N管場注入→場氧化→預柵氧化→溝道→調整注入→柵氧化→多晶硅淀積→多晶硅摻磷→光刻多晶→光刻 P+區(qū)→P+注入→光刻N+區(qū)→N+注入→淀積二氧化硅→源漏區(qū)推進→光刻電極孔→濺射Al-Si膜→光刻→合金→鈍化→光刻→蒸金→中測→壓焊→封裝

　?。?）工藝參數和器件物理參數

　　一氧：100 nm

　　P阱結深：≥3.5μm

　　預氧：50nm

　　Si3N4：150nm

　　場氧：900nm

　　一柵：50nm

　　柵氧：450nm

　　多晶：400～450nm

　　摻磷：R□單晶≤8Ω/□ R□poly≤2.5Ω/□

　　LPSiO2:600 nm

　　Si-Al:1.4 μm

　　鈍化（LPSiO2/PESi3N4）： 300/500 nm

　　VTN:0.6～0.9V

　　ΒVDSN≥16V

　　VNTL Al/Si≥16V

　　VTP:0.8～1.2V

　　ΒVDSP≥18V

　　2.8　測試

　　2.8.1　測試程序

　　L82C37A的工作方式比較復雜，時序要求比較繁瑣，測試脈沖的調制也比較嚴格。對于不同的輸入端，根據時序的要求，進行7種不同時序調制，并同時進行兩次分級調制。對于I/O讀和I/O寫分別采用150ns和100ns的歸零取反調制，地址線A0-A3采用雙向的歸零調制。對于數據總線D7-D0也采用歸零調制。其它輸入采用不歸零調制。

　　2.8.2　測試碼點

　　L82C37A由于功能比較復雜，時序要求又比較嚴格，測試碼點的產生比較長。根據L82C37A的功能特性要求，分成4種不同類型的測試碼點圖形，有利于進行測試分析。

　　2.8.3　交、直流參數測試

　　L82C37A電路的交、直流參數測試是按照參數手冊的交、直流參數要求進行測試的。

　　3　結束語

　　L82C37A電路在DIC-8032大型測試系統(tǒng)上完全按照手冊要求，進行全功能、全參數測試。測試結果表明，各項參數指標均達到國外同類產品的性能參數規(guī)范，可替換使用。L82C37A能在-55℃～+125℃全溫區(qū)、8MHz頻率條件下可靠地工作，達到了用戶要求，可批量生產.