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3A3000的性能有了很大的進(jìn)步但仍存在缺陷

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2019-12-20 15:35:1016333

龍芯發(fā)布新一代通用CPU產(chǎn)品3A4000/3B4000

據(jù)介紹,龍芯3A4000/3B4000使用與上一代產(chǎn)品3A3000/3B3000相同的28nm工藝,采用龍芯最新研制的新一代處理器核GS464V,主頻1.8GHz-2.0GHz,SPEC
2019-12-30 09:56:335742

F-35飛機的自主后勤信息系統(tǒng)還存在著約4700個缺陷

據(jù)飛行國際3月18日報道,洛克希德·馬丁公司對F-35的自主后勤信息系統(tǒng)(ALIS)進(jìn)行了幾項改進(jìn),該技術(shù)仍然存在約4700個缺陷
2020-03-18 10:28:031316

如何應(yīng)對我國虛擬現(xiàn)實產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的問題?

低端硬件泛濫,優(yōu)質(zhì)內(nèi)容產(chǎn)品相對匱乏。我國VR硬件產(chǎn)品性能尚不完善,容易造成眩暈感,國內(nèi)VR硬件市場存在大量廉價“山寨”產(chǎn)品,主要性能指標(biāo)與國際主流產(chǎn)品差距很大,參數(shù)造假和夸大宣傳的行為屢見不鮮。
2020-07-27 10:01:532716

AMD 公司通過 20 年積累完成 CPU 性能“補課”

必須說明的是,3A4000 的工藝是 28nm,潛力很大,換 12/16nm 工藝提升主頻就能把單核性能提升到 25 分——龍芯 3A5000 對內(nèi)核小改后,換 12/16nm 工藝,性能有望達(dá)到 25 至 27 分,龍芯 PPT 里 30 分的規(guī)劃偏樂觀。
2020-08-12 14:07:271041

比亞迪純國產(chǎn)筆記本核心配置性能如何

的PMH(納米注塑)技術(shù),它可以讓塑料和金屬無縫粘合。 CPU 這款筆記本用到了龍芯3A4000芯片,28nm制程,工作主頻1.5GHz。 64KB私有一級指令緩存; 64KB私有一級數(shù)據(jù)緩存; 256KB私有二級緩存; 共享8MB三級緩存; 較上代3A3000相比3A4000性能提升100%。根據(jù)
2020-10-30 12:30:104604

LoRaWAN技術(shù)方面存在哪些缺陷

LoRaWAN雖然是由LoRaAlliance的專家們(主要是Semtech、IBM、Actility)建設(shè)的,忽視技術(shù)的復(fù)雜性和硬件的昂貴,在以下技術(shù)方面存在缺陷
2020-11-17 17:17:078976

智慧路燈存在的隱患缺陷及處理措施

本頁介紹智慧路燈存在的問題有哪些?說明了智慧路燈存在問題的隱患和缺陷,提供智慧路燈隱患的解決方案措施,如果你對智慧路燈網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)有興趣,可登入網(wǎng)站查閱。
2022-12-05 11:42:323

智慧路燈存在的隱患缺陷問題有哪些?解決智慧路燈隱患處理措施!

本頁介紹智慧路燈存在的問題有哪些?說明了智慧路燈存在問題的隱患和缺陷,提供智慧路燈隱患的解決方案措施,如果你對智慧路燈網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)有興趣,可登入網(wǎng)站查閱。
2022-12-04 20:16:083606

TS3000B3A 數(shù)據(jù)表

TS3000B3A 數(shù)據(jù)表
2023-04-17 20:09:560

并聯(lián)電容器在生產(chǎn)制造中存在哪些缺陷

并聯(lián)電容器能否安全運行,取決于電容器的設(shè)計、生產(chǎn)工藝、原材料和生產(chǎn)過程。盡管電力電容器廠家十分重視以上因素,電容器生產(chǎn)制造時仍然會出現(xiàn)一些缺陷。那么并聯(lián)電容器生產(chǎn)制造中存在哪些缺陷呢? 電容器生產(chǎn)
2023-04-20 16:01:251343

淺談限制顯微鏡性能的主要缺陷

由于透鏡的缺陷,必須對所有理想光路圖進(jìn)行修正。這些缺陷限制顯微鏡的分辨率,矛盾的是,它有助于從顯微鏡獲得更好的焦深和景深。
2023-08-18 11:31:081659

龍芯3a5000和3a3000的區(qū)別

龍芯3a5000和3a3000的區(qū)別如下: 龍芯3A5000是面向個人計算機、服務(wù)器等信息化領(lǐng)域的通用處理器,基于龍芯自主指令系統(tǒng)(LoongArch?)的LA464微結(jié)構(gòu),并進(jìn)一步提升頻率,降低
2023-10-16 16:09:333694

電極片常見缺陷 電極片缺陷檢測方法 電極片缺陷對電池性能的影響

電極片常見缺陷 電極片缺陷檢測方法 電極片缺陷對電池性能的影響? 電極片是電池的重要組成部分之一,其質(zhì)量和性能直接影響到電池的工作效率和穩(wěn)定性。然而,電極片在制造和使用過程中常常會出現(xiàn)各種缺陷,這些
2023-11-10 14:54:132712

AMD發(fā)布23.11.1版顯卡驅(qū)動:AI性能飛躍

ai系列的情況是,改進(jìn)和優(yōu)化了RX 600M、RX 700M、RX 6000、RX 7000系列對DirectML的支持,Stable Diffusion、Adobe Lightroom、Davinci Resolve、Procyon AI性能有很大的提高,沒有公布具體的數(shù)據(jù)。
2023-11-13 10:04:333046

時鐘抖動對ADC性能有什么影響

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《時鐘抖動對ADC性能有什么影響.pdf》資料免費下載
2023-11-28 10:24:101

AMD銳龍9000系列處理器:性能飛躍,游戲領(lǐng)域待挑戰(zhàn)

在科技飛速發(fā)展的今天,AMD作為全球知名的芯片制造商,始終致力于為用戶帶來卓越性能的產(chǎn)品。近日,AMD發(fā)布備受矚目的銳龍9000系列處理器,再次展現(xiàn)其在處理器領(lǐng)域的強大實力。然而,盡管新款處理器在游戲性能上有所提升,與上一代銳龍7000X3D系列相比,存在一定的差距。
2024-06-12 17:20:102080

驅(qū)動電流對MOSFET性能有什么影響

驅(qū)動電流對MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開關(guān)元件,其性能直接決定系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)分析驅(qū)動電流對MOSFET性能的影響。
2024-07-24 16:27:591631

一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-11-14 14:53:373525

A/B型缺陷和D/V類缺陷介紹

在直拉法(cz)和區(qū)熔法(Fz)制成的單晶硅錠中內(nèi)生微缺陷都由V/G控制,其中,V是結(jié)晶前沿晶體生長速率,G是晶體中固液界面附近的軸向溫度梯度。 如果V/G低于臨界值,則形成的缺陷A型漩渦缺陷或B
2024-11-14 16:41:431808

硅片濕法清洗工藝存在哪些缺陷

硅片濕法清洗工藝雖然在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用,存在一些固有缺陷和局限性,具體如下:顆粒殘留與再沉積風(fēng)險來源復(fù)雜多樣:清洗液本身可能含有雜質(zhì)或微生物污染;過濾系統(tǒng)的濾芯失效導(dǎo)致大顆粒物質(zhì)未被有效攔截
2025-09-22 11:09:21509

深度剖析TS3USB3000:一款高性能的USB與MHL開關(guān)芯片

深度剖析TS3USB3000:一款高性能的USB與MHL開關(guān)芯片 在電子設(shè)備的設(shè)計中,對于信號切換和傳輸?shù)男枨笕找嬖鲩L,尤其是在處理高速信號時,需要一款性能卓越的開關(guān)芯片。TI公司
2025-12-23 14:25:16194

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