何時可以得到

　　第三個關鍵的工藝問題并不是技術上的；它是可用性問題。特別是器件仿真模型規(guī)劃、測試芯片、實例，以及代工線產品等必須要滿足系統(tǒng)設計人員的開發(fā)計劃要求。必須盡早為FPGA設計人員提供工藝模型，以便他們估算芯片能夠實現(xiàn)多高的性能，在系統(tǒng)設計流程早期將這一信息傳遞給系統(tǒng)規(guī)劃人員。必須為硬件原型開發(fā)提供實例和開發(fā)套件，以便開始硬件和軟件集成。當然，進行系統(tǒng)投產時，應能夠批量提供 FPGA。

　　“可用性”是回答上面討論的問題的答案——為什么不采用FinFET來開發(fā)所有的東西？但還有另外一種回答。在目前的很多應用中，現(xiàn)有的28nm或新出現(xiàn)的20nm平面FET工藝能夠滿足系統(tǒng)設計的特殊需求。這些系統(tǒng)設計不需要等待FinFET工藝。為了解這是怎樣工作的，我們需要查看現(xiàn)代FPGA中的每一類結構。

　　FPGA內部

　　半導體工藝的技術特征表現(xiàn)在系統(tǒng)行為上，就是影響FPGA內部的很多不同結構。在以前的工藝代中，認為FPGA是統(tǒng)一的可編程邏輯架構，周圍是通用I/O可配置環(huán)，這種看法當時是正確的。但在今天，這種模型已經不正確。

　　現(xiàn)代FPGA含有四種不同類型的功能模塊：可編程邏輯架構、基于單元的數字知識產權（IP）、手動設計的模塊RAM，以及定制模擬IP（圖2）。這些都會對新工藝特性有不同的影響。

　　圖2.現(xiàn)代FPGA混合了可編程邏輯、基于單元的IP以及模擬模塊，如這一Altera Stratix V圖所示。

　　FPGA 邏輯架構實際上是大量經過復制的定制設計邏輯單元（LE）陣列——微小SRAM，復用器和寄存器，以及交換結構，覆蓋了非常復雜的多層金屬。因此，可編程架構的設計是要在LE實現(xiàn)多少功能以及單元需要多少互聯(lián)之間達到很好的平衡。對于某一體系結構，架構的總密度對底層和中間金屬層的層距非常敏感。但是，由于規(guī)劃人員嘗試使用互聯(lián)堆疊下面所有的可用區(qū)域，因此，對于LE中晶體管的封裝密度也非常敏感。用戶在邏輯架構中實現(xiàn)的電路的速度和功效取決于晶體管特性，也與架構密度，互聯(lián)RC產品和晶體管驅動電流有關。

　　因此，一般而言，能夠提供較小金屬層距以及封裝更緊密的晶體管的工藝可以實現(xiàn)密度較高的邏輯架構，對于用戶電路，性能更好，功耗更低。泄漏電流是邏輯架構的一個特殊問題，這是因為，芯片設計人員并不知道用戶怎樣使用可編程邏輯，他們使用電路級功耗管理技術來降低基于單元的設計的靜態(tài)功耗，這種方法能力有限。

　　相反，基于單元的數字IP有關鍵通路，這些通路主要是通過本地短互聯(lián)或者底層金屬直接互相連接的快速晶體管。現(xiàn)代FPGA中的這一類結構包括數字信號處理（DSP）模塊、I/O和存儲器控制器、增強CPU內核，等等。這些IP模塊的大小主要受仔細封裝的標準單元庫的密度的影響，以及庫中各種單元的影響。在可編程架構中，用戶可以開發(fā)需要的任何電路，而基于單元的硬核IP是預先定義好的，因此，芯片設計人員可以采用所有的功耗管理技術。這樣，硬核數字IP將極大的受益于更小的工藝尺寸以及更高的晶體管速度，在系統(tǒng)層，可以使用功耗管理技術，調整平面FET較大的泄漏電流。

　　模塊RAM是一類特殊的基于單元的IP。一般使用代工線提供的，經過手動優(yōu)化的SRAM單元進行開發(fā)，但是，F(xiàn)PGA設計人員通常會調整陣列，在模塊應用的范圍內，優(yōu)化速度、密度和功耗。由于模塊非常靈活，因此，很難在FPGA RAM上實現(xiàn)功耗管理策略。FPGA中的其他結構可能不會對晶體管的所有特性變化敏感。

　　這些考慮意味著，某一系統(tǒng)應用FPGA的最佳工藝選擇取決于系統(tǒng)設計對可編程架構和基于單元的邏輯的相對壓力。對系統(tǒng)總體性能還有一定影響的是在架構中實現(xiàn)的模塊的行為，28nm或者20nm工藝中端FPGA能夠以較低的成本在較短的時間內實現(xiàn)所需要的系統(tǒng)性能。

　　最后，還有高性能模擬IP的問題，這些IP是目前鎖相環(huán)（PLL）和串化器解串器（SerDes）電路的主要構成。這些設計并沒有采用最小層距，相反，使用了各種尺寸的晶體管、電路布局和金屬層間距，這些通常涉及到了手動布局。它們對于晶體管的電氣行為非常敏感，包括，數字工程師不太關心的一些參數。數字設計人員仿真邏輯功能，模擬設計人員仿真晶體管。對于模擬設計人員，另一個絕對關鍵的問題是一致性：很多標準電路依靠密切匹配的成對的晶體管來實現(xiàn)。

　　在 finFET上還有一些爭論。某些模擬設計人員指出，您不能為FinFET選擇任意寬度。由于晶體管是豎立在側面，意味著是在縱向測量寬度，因此，它們必須有相同的寬度。您可以使用一個最小寬度的FinFET，或者，您希望電流更大，可以將幾個并聯(lián)起來使用。這些設計人員擔心，模擬設計人員很難甚至無法在其熟悉的電路拓撲中使用這些新晶體管。

　　但是，其他有經驗的模擬設計人員指出，更高的速度、更強的溝道控制，以及，特別是 FinFET更好的一致性，對于模擬設計都非常有利，遠遠抵消了晶體管寬度的量化問題。爭論還在繼續(xù)，而Intel在CPU中模擬結構上的工作表明，它們使用其22nm三柵極工藝開發(fā)了這一結構，三柵極晶體管極大的提高了高精度模擬設計的性能。