我們都知道電力電子裝置中換流回路的雜散電感對(duì)器件的開關(guān)過(guò)程影響非常大，如果前期設(shè)計(jì)不注意，后期麻煩事會(huì)非常多，例如：器件過(guò)壓高、振蕩嚴(yán)重，EMI超標(biāo)等。為了解決這些問(wèn)題，還要加各種補(bǔ)救措施，例如
2021-02-22 16:01:56
13579 鎖相環(huán) (PLL) 和壓控振蕩器 (VCO) 輸出特定頻率的RF信號(hào)，理想情況下此信號(hào)應(yīng)當(dāng)是輸出中的唯一信號(hào)。但事實(shí)上，輸出中存在干擾雜散信號(hào)和相位噪聲。本文討論最麻煩的雜散信號(hào)之一——整數(shù)邊界雜散，它如何仿真與消除，你真的搞清楚了？
2023-05-22 11:10:3510630 
在整個(gè)PCBA生產(chǎn)制造過(guò)程中， PCB 設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的一部分，今天主要是關(guān)于 PCB 雜散電容、影響PCB 雜散電容的因素，PCB 雜散電容計(jì)算，PCB雜散電容怎么消除。
2023-09-11 09:41:202916 
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout、材料及連接方式引入，會(huì)導(dǎo)致開關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測(cè)量偏差。
2025-06-04 15:07:311751 
EVAL-AD7175SDZ評(píng)估板的信號(hào)鏈測(cè)試中，在60 kHz附近捕獲到一簇雜散信號(hào)，如圖5所示。圖5.EVAL-AD7175-2SDZ評(píng)估板上觀察到的雜散問(wèn)題。經(jīng)過(guò)評(píng)估發(fā)現(xiàn)，AD7175-2 ADC的電源和模擬
2019-02-14 14:18:45
我司某款產(chǎn)品做摸底測(cè)試時(shí)，發(fā)現(xiàn)RE超標(biāo)，主要表現(xiàn)為單頻點(diǎn)： 根據(jù)RE實(shí)驗(yàn)報(bào)告來(lái)看，根據(jù)干擾頻點(diǎn)及現(xiàn)象可以懷疑是有時(shí)鐘等諧振頻率造成的，經(jīng)過(guò)查看原理圖，網(wǎng)絡(luò)交換芯片采用25MHz的晶振，因此懷疑是晶振
2019-05-21 10:41:44
系統(tǒng)主要就是2個(gè)網(wǎng)口，RGMII接口，跑100M，所以時(shí)鐘和信號(hào)都是25M，但是FPGA內(nèi)部時(shí)鐘是125M。 做RE測(cè)試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)125M的3/5/7次諧波超標(biāo)。。。 已經(jīng)改過(guò)網(wǎng)口的時(shí)鐘幅度，能小一點(diǎn)點(diǎn)，但還是超。 調(diào)整RGMII phy tx方向的串聯(lián)電阻，無(wú)效或更糟。 請(qǐng)高手賜招！！
2019-04-16 10:29:33
本帖最后由 anflower 于 2016-12-6 17:56 編輯
1、控制電機(jī)PWM信號(hào)為10KHz現(xiàn)在RE測(cè)試還有超標(biāo)，請(qǐng)各位大神指教！此圖為示波器測(cè)量圖1、紫色為電機(jī)兩端波形2、黃色為輸入電源兩端波形3、橙色和藍(lán)色為FFT波形
2016-12-06 17:51:25
雜散測(cè)試線損問(wèn)題？ 有的時(shí)候是一個(gè)范圍，怎么確定線損呢？
2020-05-08 05:55:31
雜散測(cè)試線損問(wèn)題？ 有的時(shí)候測(cè)得是一個(gè)范圍，怎么確定線損呢？
2016-09-11 23:41:06
位雜散的來(lái)源，適當(dāng)?shù)母牟蓸訒r(shí)鐘的頻率并做同樣的記錄可以更好的定位問(wèn)題來(lái)源。 [size=18.6667px]Q：數(shù)字地是怎樣影響模擬地的？A：有觀點(diǎn)認(rèn)為是高頻電流引起的地彈影響了模擬地平面, 如果兩種
2019-01-16 12:27:07
寄存器的值，改變輸出頻率，看雜譜如何變化！雜散隨主頻變化以定位雜散的來(lái)源，適當(dāng)?shù)母牟蓸訒r(shí)鐘的頻率并做同樣的記錄可以更好的定位問(wèn)題來(lái)源。Q：數(shù)字地是怎樣影響模擬地的？A：有觀點(diǎn)認(rèn)為是高頻電流引起的地彈
2017-04-27 15:58:16
出現(xiàn)一個(gè)與基帶信號(hào)相關(guān)的雜散點(diǎn)幅度-50dBm左右，影響了射頻輸出的Sfdr。具體現(xiàn)象:
輸出2.2ghz點(diǎn)頻時(shí)，雜散點(diǎn)在2.6GHz
輸出2.3ghz點(diǎn)頻時(shí)，雜散在2.5ghz
輸出2.4ghz點(diǎn)頻
2023-12-04 07:39:16
各位大牛，請(qǐng)教一下。我現(xiàn)在用AD9467-250，采樣時(shí)鐘用AD9517-3出的200MHz，采集70M、0dBm單音信號(hào)。頻譜上出現(xiàn)較多的雜散。ADC前端電路按照AD9467手冊(cè)推薦的設(shè)計(jì)。ADC
2019-01-25 08:21:14
近日通過(guò)多次測(cè)試，發(fā)現(xiàn)AD9912的DAC輸出端雜散比較大。望幫忙分析分析 環(huán)境條件如下：1、3.3v，1.8v均為L(zhǎng)DO電源供電；原理圖參考的是官方提供的文件。2、外部1G時(shí)鐘輸入，旁路內(nèi)部PLL
2019-03-08 15:14:23
的雜散抑制，請(qǐng)問(wèn)，雜散抑制只能做到這個(gè)程度還是我哪個(gè)地方?jīng)]有做好？雜散的位置隨著頻率的不同而不同，比如在18.185MHz處的雜散主要是250HZ，500Hz；而在18.818MHz處的雜散有30Hz
2019-02-22 08:27:59
我使用ADF4351,其輸出在中心頻率偏移184k附近有雜散輸出,通過(guò)減小環(huán)路帶寬,減小充電電流等,雜散有一定的降低, 此時(shí)帶來(lái)靠近中心頻率出的噪聲升高,通過(guò)對(duì)比不同的板卡,都存在類似的現(xiàn)象,環(huán)路
2018-10-12 09:24:23
了一塊故障單板，發(fā)現(xiàn)故障單板近端依舊存在雜散
2、將故障單板和好的單板的DAC3482_DIGVDD_1V2的電源芯片（TPS74801）對(duì)調(diào)后測(cè)試，發(fā)現(xiàn)好的單板和故障單板近端都出現(xiàn)了雜散
2）之后將電源
2024-12-16 06:23:44
DAC38J84測(cè)試時(shí)有雜散和諧波，雜散的大小影響了SFDR,目前輸出60/50/70MHz IF點(diǎn)頻信號(hào)。在這些頻點(diǎn)中雜散點(diǎn)均有出現(xiàn)，通過(guò)大量測(cè)試，這些雜散點(diǎn)有一定規(guī)律，下圖是60M輸出時(shí)，頻偏
2024-11-18 06:37:09
，需要完全依托工程師的直覺和經(jīng)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行判斷。第二：比較測(cè)試，根據(jù)測(cè)試儀器所提供的數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行分析問(wèn)題。02 PART EMC整改流程1、RE超標(biāo)整改流程：2、電線電纜超標(biāo)整改流程：3、信號(hào)電纜整改流程
2023-02-13 09:30:53
本帖最后由 EMChenry 于 2015-8-6 10:17 編輯
EMC案例之輻射雜散測(cè)試
2015-08-06 10:15:32
產(chǎn)品內(nèi)部包含一個(gè)工作頻率為13.56Mhz的RFID模塊，在RE測(cè)試時(shí)，其倍頻點(diǎn)135.6M超標(biāo)，不想問(wèn)整改，我想問(wèn)的是135.6M是怎么產(chǎn)生的？有哪些因素會(huì)導(dǎo)致頻率發(fā)生倍頻？
2019-09-18 21:39:39
整機(jī)的HDMI線路連接方式如上圖所示，EMC測(cè)試時(shí)，輻射超標(biāo)。
圖中X86主板是外購(gòu)的，無(wú)法在上面進(jìn)行整改；整機(jī)帶屏蔽外殼的。
目前嘗試了以下兩種方式：
將整機(jī)內(nèi)部HDMI線換成質(zhì)量更好
2024-09-11 15:34:10
~2MHz 現(xiàn)象：輸出10025MHz和10075MHz時(shí)在主頻兩邊相隔512KHz處有雜散，大小約50dBc,(測(cè)試排除電源引入的可能)當(dāng)輸出偏50Hz（10025MHz+-50Hz，10075MHz+-50Hz）時(shí)雜散消失 輸出為10050MHz時(shí)沒有雜散 請(qǐng)問(wèn)可能是什么原因？
2019-02-21 14:05:56
小弟最近做試驗(yàn)（RE）發(fā)現(xiàn)，發(fā)現(xiàn)低頻發(fā)射超標(biāo)，經(jīng)常排查是LIN通信芯片，在20KHZ時(shí)，超標(biāo)5dB。請(qǐng)問(wèn)各位有沒有思路如何進(jìn)行整改？
2019-01-04 08:55:23
在測(cè)試評(píng)估版時(shí)，不同頻率下整數(shù)邊界雜散差別很大。
下表是100M鑒相頻率下，偏離1M的雜散抑制：
頻率320133013401350136013701380139014001
雜散
2024-11-13 07:43:14
3GPP TS 36.104以Band40為例，基于傳統(tǒng)的共址雜散測(cè)試方案，探討了一種新型的共址雜散測(cè)試方案，采用了雙工器和低噪放相結(jié)合的方法。在此方案中，雙工器的主要作用是將載波信號(hào)和雜散發(fā)
2020-12-03 15:58:08
人體監(jiān)測(cè)儀EMC測(cè)試，EMC整改，電磁兼容空間輻射測(cè)試不通過(guò)超標(biāo)了怎么辦？
什么是EMC測(cè)試？
EMC（電磁兼容性）的全稱是Electro Magnetic Compatibility， 其定義為
2023-06-13 09:45:16
、驗(yàn)證中尋找出合適的、較優(yōu)的、低成本的方案從而縮短開發(fā)周期，進(jìn)而搶先獲得消費(fèi)市場(chǎng)認(rèn)可。本案例向我們揭示了一種通過(guò)使用頻譜儀和近場(chǎng)探頭測(cè)試解決方案來(lái)完成無(wú)線智能通訊設(shè)備的輻射雜散調(diào)試的方法。一個(gè)快速精準(zhǔn)
2018-03-27 14:30:31
輸入，設(shè)備里面還有電源DC/DC模塊。在做RE102的實(shí)驗(yàn)的時(shí)候，在頻率是550MHZ-750MHZ的時(shí)候，分別在600MHZ、640MHZ、680MHZ、720MHZ上有很高的脈沖，超過(guò)了標(biāo)準(zhǔn)值。這
2012-12-12 20:37:25
摘要: 針對(duì)某型號(hào)發(fā)動(dòng)機(jī)電控系統(tǒng)在電磁兼容測(cè)試試驗(yàn)中CE102和RE102 兩項(xiàng)指標(biāo)在部分頻段出現(xiàn)的超標(biāo)現(xiàn)象, 對(duì)電控系統(tǒng)組成和電磁兼容環(huán)境進(jìn)行了分析、研究。作了多種方案的改進(jìn)設(shè)計(jì)并逐一進(jìn)行了試驗(yàn)
2015-08-06 10:27:32
在一個(gè)發(fā)射系統(tǒng)中，有很多射頻接口，那么究竟哪個(gè)接口是測(cè)試者所關(guān)心的呢？讓我們通過(guò)下圖來(lái)討論各測(cè)試點(diǎn)對(duì)系統(tǒng)雜散測(cè)試的意義。由多工器的無(wú)源互調(diào)所產(chǎn)生的雜散端口1和端口2具有同等地位，從端口1（或2）可以
2017-11-15 10:35:09
DDS的工作原理是什么？如何抑制DDS輸出信號(hào)中雜散問(wèn)題？
2021-05-26 07:15:37
具有一定的現(xiàn)實(shí)意義。本文將以摩爾實(shí)驗(yàn)室多年的EMC經(jīng)驗(yàn), 以信息技術(shù)產(chǎn)品為例簡(jiǎn)單介紹輻射騷擾的測(cè)試方法以及如何查找失敗原因和我們常用的整改對(duì)策等。一、RE測(cè)試場(chǎng)地布局如下三、輻射騷擾整改的一般步驟1
2020-10-22 07:39:25
直接數(shù)據(jù)頻率合成器（DDS）因能產(chǎn)生頻率捷變且殘留相位噪聲性能卓越而著稱。另外，多數(shù)用戶都很清楚DDS輸出頻譜中存在的雜散噪聲，比如相位截?cái)?b class="flag-6" style="color: red">雜散以及與相位-幅度轉(zhuǎn)換過(guò)程相關(guān)的雜散等。此類雜散是實(shí)際
2023-12-15 07:38:37
`相關(guān)推薦：http://t.elecfans.com/topic/45.html?elecfans_trackid=bbs_toptxt開關(guān)電源傳導(dǎo)和輻射超標(biāo)整改方案（史上最全）簡(jiǎn)潔明了的列出測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題，以及整改辦法篇幅短，價(jià)值高！[hide][/hide]`
2015-08-25 09:23:49
雜散測(cè)試的一些資料，期刊論文，有需要的朋友自行下載吧
2018-09-26 10:15:21
各位大神： 我有個(gè)機(jī)箱在按GJB151A做RE102測(cè)試時(shí)，結(jié)果超標(biāo)（如下圖所示），請(qǐng)問(wèn)下該如何分析解決此問(wèn)題？
2016-01-11 17:16:32
傳導(dǎo)和輻射
雜散的FCC限值是什么情況，沒看懂，求指點(diǎn)。另外，2G和3G的
雜散測(cè)試，除了
測(cè)試頻率范圍不同外，還有哪些不同，提前謝謝大神?。。。。。。?/div>
2013-03-10 21:38:03
小弟正在調(diào)試一款X波段（9.6-10.8GHz）的鎖相環(huán)，采用的是內(nèi)部集成VCO的HMC778LP6CE芯片。在調(diào)試中，我發(fā)現(xiàn)在距中心頻率50Hz整數(shù)倍的頻率處有很多雜散，請(qǐng)問(wèn)各位大神這些雜散
2014-07-21 15:47:54
（1）外觀判斷法對(duì)埋地管道來(lái)說(shuō)，如果受到直流雜散電流的腐蝕，其外觀是：孔蝕傾向大，創(chuàng)面光滑、邊緣比較整齊，有時(shí)有金屬光澤，腐蝕產(chǎn)物似炭黑色粉末，無(wú)分層現(xiàn)象，有水存在且腐蝕激烈時(shí)，可以明顯觀察到電解
2020-12-01 16:22:35
，CPU 增加高頻濾波電容的單板全配置測(cè)試。4、單板地連接，CPU 增加高頻濾波電容，網(wǎng)口變壓器中差分線對(duì)地加電容，電話口信號(hào)線串磁珠的單板全配置測(cè)試。四 最終整改方案1、 在主芯片的上面增加高頻濾波電容
2016-05-31 15:08:44
，如果系統(tǒng)板布局規(guī)劃不當(dāng)，ADC的數(shù)字輸出端有可能耦合回輸入端。外部噪聲也可能耦合到ADC的基準(zhǔn)電壓源、電源或接地域上。如果噪聲足夠大且具有半周期性，則會(huì)在系統(tǒng)的頻域中表現(xiàn)為無(wú)用的SFDR限制雜散
2018-11-01 11:31:37
貴公司的專家們好，我最近在做的項(xiàng)目使用的AD9914芯片，芯片使用3.2GHz參考時(shí)鐘，DDS輸出950MHz信號(hào)時(shí)150MHz,200MHz,處有-65dBc左右的雜散，300MHz處有
2018-11-13 09:35:04
HMC833低雜散(1)HMC833是否有低雜散模式。（2）改變seed in fraction是否有作用？
2019-01-15 08:42:05
各位好我在看模擬對(duì)話的時(shí)候，看到邊帶雜散和開關(guān)雜散不太明白，請(qǐng)問(wèn)大家這其中的含義以及它將導(dǎo)致什么后果？謝謝大家了?。?！
2019-01-09 09:29:01
超聲波霧化器re整改措施總結(jié)日前成功整改了一款超聲波霧化器的EMI問(wèn)題（B標(biāo)），現(xiàn)做簡(jiǎn)單的歸納總結(jié)。先說(shuō)re（輻射），未作任何措施時(shí)的檢測(cè)結(jié)果如下:可見是在低頻段超標(biāo)。30M-40M的噪聲可能
2016-03-02 10:54:18
我在看ADC供電部分的時(shí)候，看到邊帶雜散和開關(guān)雜散這兩詞不知道它的含義。請(qǐng)問(wèn)下大家它們的含義以及它們將會(huì)對(duì)電路造成什么影響？
謝謝大家了?。。。。?
2024-12-31 06:32:31
了，最好能抑制再高些。 常用的抑制鑒相頻率雜散的方法是環(huán)路濾波器的多級(jí)設(shè)計(jì)，如3級(jí)。在鑒相頻率固定、3級(jí)環(huán)路濾波器固定且濾波器帶寬已經(jīng)10KHz不能再低的條件下，還有哪些方法可以改善上面提到的這些雜散呢
2018-11-07 09:03:01
直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)推動(dòng)了頻率合成領(lǐng)域的高速發(fā)展，但固有的雜散特性極大的限制了其應(yīng)用發(fā)展。在分析DDS工作原理及雜散噪聲來(lái)源的基礎(chǔ)上，介紹了幾種雜散抑制的方法，
2010-07-31 10:36:19
32 產(chǎn)品電磁兼容（EMC）認(rèn)證的最大難點(diǎn)往往在于干擾超標(biāo)后的整改。電磁干擾測(cè)試-輻射與傳導(dǎo)騷擾整改-預(yù)掃描與認(rèn)證一站式服務(wù)，正是為解決這一痛點(diǎn)而生。廣電計(jì)量不僅
2025-12-10 09:25:40
無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)
SFDR（無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍）衡量的只是相對(duì)于轉(zhuǎn)換器滿量程范圍(dBFS)或輸入信號(hào)電平(dBc)的最差頻譜偽像。比較ADC時(shí)
2011-01-01 12:14:5614336 系統(tǒng)地研究了快速跳頻PLL 中雜散來(lái)源,給出了環(huán)路雜散模型,定義了雜散抑制比。定性分析了MF2SK2FH 通信系統(tǒng)檢測(cè)誤碼率Pe 與雜散抑制比之間的關(guān)系,并通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助分析,定量計(jì)算出誤
2011-09-01 16:30:4546 雜散抑制是PLL 頻率合成器的幾個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)之一。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,雜散的輸出種類比較多,產(chǎn)生的原因也各不一樣,但是它們中的大多數(shù)并不常見。首先從雜散的基本概念出發(fā),詳細(xì)地介紹了
2011-09-01 16:34:5669 直接數(shù)據(jù)頻率合成器(DDS)因能產(chǎn)生頻率捷變且殘留相位噪聲性能卓越而著稱。另外，多數(shù)用戶都很清楚DDS輸出頻譜中存在的雜散噪聲，比如相位截?cái)?b class="flag-6" style="color: red">雜散以及與相位-幅度轉(zhuǎn)換過(guò)程相關(guān)的
2012-02-02 10:41:2144 新大管道雜散電流干擾影響研究新大管道雜散電流干擾影響研究
2015-11-16 14:43:220 壓接式IGBT模塊具有散熱性能好、雜散電感小、短路失效直通等特點(diǎn)，在柔性直流輸電等大容量電力電子變換系統(tǒng)中具有極為重要的應(yīng)用潛能。然而，目前學(xué)術(shù)界和工業(yè)界尚未很好地理解壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)
2017-12-26 14:16:013 通過(guò)一個(gè)案例，使用是德科技測(cè)試測(cè)量解決方案，完成無(wú)線智能終端產(chǎn)品的輻射雜散的最終優(yōu)化。
2018-07-13 16:37:208878 
5G基站雜散OTA測(cè)試要掃幾萬(wàn)個(gè)TRP？
2020-07-23 10:26:004 根據(jù)3GPP 38141-2的要求，雜散測(cè)試結(jié)果要測(cè)TRP啦。根據(jù)筆者的統(tǒng)計(jì)，如果按照極限測(cè)法，就是每個(gè)頻點(diǎn)都掃描，單單通用雜散一項(xiàng)，1-O站型從30MHz-1GHz每100kHz一測(cè)，1G到26.5GHz每1MHz一測(cè)，總共要測(cè)大概35198個(gè)頻點(diǎn)的TRP值。
2020-07-08 09:29:244410 
鎖相環(huán) （PLL） 和壓控振蕩器 （VCO） 輸出特定頻率的RF信號(hào)，理想情況下此信號(hào)應(yīng)當(dāng)是輸出中的唯一信號(hào)。但事實(shí)上，輸出中存在干擾雜散信號(hào)和相位噪聲。本文討論最麻煩的雜散信號(hào)之一——整數(shù)邊界雜散——的仿真與消除。
2020-09-09 10:09:564998 
如何定位 EMC 整改計(jì)劃可以分為兩點(diǎn)：第一就是根據(jù)以往的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行判斷。第二，比較測(cè)試，測(cè)試結(jié)束后根據(jù)測(cè)試儀器提供的數(shù)據(jù)進(jìn)行問(wèn)題分析。下面介紹兩種常見的 EMC 整改流程。 RE 超標(biāo)整改流程
2020-10-30 04:39:531546 換流回路中的雜散電感會(huì)引起波形震蕩，EMI或者電壓過(guò)沖等問(wèn)題。因此在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測(cè)量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)中雜散電感的定義方法。 圖1為半橋電路的原理電路以及
2021-10-13 15:36:135840 
測(cè)試數(shù)據(jù)中，1、2、3、5這幾個(gè)超標(biāo)點(diǎn)都是單支(窄帶干擾)，其頻率間隔是125MHz，所以是板子上125MHz時(shí)鐘的倍頻引起的超標(biāo)。超標(biāo)的頻率范圍是500-900MHz，屬于高頻范圍，而低頻幾乎沒有噪聲(125MHz，250MHz，375MHz并不超標(biāo)，甚至沒有噪聲)，為什么呢?
2022-04-27 10:56:2014698 對(duì)無(wú)線電管理工作來(lái)說(shuō)，雜散發(fā)射是產(chǎn)生干擾的重要原因 . 在無(wú)線電發(fā)射設(shè)備檢測(cè)過(guò)程中，雜散測(cè)試是一個(gè)重要的必測(cè)項(xiàng)目。雜散是指在工作帶寬外某個(gè)頻點(diǎn)或某些頻率上的發(fā)射，其發(fā)射電平可降低但不影響相應(yīng)的信息傳遞。包括：諧波發(fā)射、寄生發(fā)射、互調(diào)產(chǎn)物、以及變頻產(chǎn)物，但帶外發(fā)射除外。
2022-09-16 15:49:555437 換流回路中的雜散電感會(huì)引起波形震蕩，EMI或者電壓過(guò)沖等問(wèn)題。
2023-02-07 16:43:475657 
因芯片NC引腳線路導(dǎo)致RE測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題案例
2023-04-28 16:39:522545 
因測(cè)試布置不規(guī)范導(dǎo)致RE102測(cè)試FAIL案例
2023-06-10 16:46:411935 
-本文要點(diǎn)理解電路中的雜散電容。了解雜散電容如何影響電子電路。探索減少電路中雜散電容的策略。雜散電容就像被遺棄的寵物流浪在街道和巷子里一樣，它們潛伏在電路中。本文將了解電子電路中的雜散電容是如何產(chǎn)生
2023-01-05 15:45:294611 
【電磁兼容知識(shí)要點(diǎn)分享】因芯片NC引腳線路導(dǎo)致RE測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題案例
2023-04-14 09:29:152106 
【電磁兼容技術(shù)案例分享】因測(cè)試布置不規(guī)范導(dǎo)致RE102測(cè)試FAIL案例
2023-07-31 16:58:134388 某風(fēng)機(jī)產(chǎn)品CE電流法測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題整改分析案例
2023-08-14 10:03:323074 、PCBA、有安裝元器件的板之間以及元器件封裝(尤其是IC)中的SMD組件套件之間可能存在雜散電容。雜散電容是電子電路和電路板固有的物理屬性之一。那么如何減少PCB雜散電容的影響呢?今天深圳PCBA工廠就為大家解答一下吧! 減少PCB雜散電容的PCB設(shè)計(jì)方法 1、移除內(nèi)層接
2023-08-24 08:56:321437 什么是無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍 (SFDR)？為什么SFDR很重要？ 無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍（SFDR）是指模擬信號(hào)中最大的無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍。它是在硬件設(shè)備中測(cè)量的。它是指能夠測(cè)量的模擬信號(hào)的最大幅度范圍，其中沒有雜散
2023-10-31 09:34:2910716 輻射RE整改有哪些方法？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC
2023-10-31 10:57:583071 
EMC測(cè)試超標(biāo)如何整改？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC
2023-12-13 10:32:214027 
EMC輻射發(fā)射RE整改方法
2023-12-14 10:09:172902 
【電磁兼容技術(shù)案例分享】某控制器RE超標(biāo)問(wèn)題整改案例
2024-03-06 08:16:062107 CAN不通訊導(dǎo)致CE電流法測(cè)試超標(biāo)整改分析案例
2024-07-05 08:17:412181 【電磁兼容技術(shù)案例分享】因喚醒線導(dǎo)致的CE電壓法測(cè)試超標(biāo)整改分析案例
2024-09-28 08:03:551290 說(shuō)到射頻的難點(diǎn)不得不提雜散，雜散也是射頻被稱為“玄學(xué)”的來(lái)源。雜散也是學(xué)習(xí)射頻必經(jīng)的一個(gè)難點(diǎn)。本篇文章就來(lái)講一下雜散。
2024-11-05 09:59:346929 
RE測(cè)試中出現(xiàn)超標(biāo)情況時(shí)，使用近場(chǎng)探頭查找干擾源成為解決問(wèn)題的有效手段。 一、 RE測(cè)試簡(jiǎn)介 RE測(cè)試主要用于評(píng)估電子設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中向周圍空間輻射的電磁能量強(qiáng)度，其目的在于確保設(shè)備產(chǎn)生的電磁輻射不會(huì)對(duì)周邊其他電子設(shè)備或無(wú)線通信
2025-09-22 09:26:55546 
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