絕緣柵雙極晶體管（IGBT 或IGT — Insulated Gate Bipolar Transistor），是80 年代中期發(fā)展起來的一種新型復(fù)合器件。IGBT 綜合了MOSFET 和GTR 的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性。

　　目前IGBT 的電流/電壓等級已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大。這些優(yōu)越的性能使得IGBT 稱為大功率開關(guān)電源、逆變器等電力電子裝置的理想功率器件。

　　IGBT 的驅(qū)動(dòng)方式與可控硅有著明顯的不同，導(dǎo)致控制電路有著很大的差異。可控硅采用強(qiáng)上升沿的窄脈沖信號驅(qū)動(dòng)，而IGBT 采用方波驅(qū)動(dòng)。

　　IGBT是一種可控硅，它具有良好的絕緣性能、耐壓性能和耐溫性能，可以有效防止電路中的短路、過載和過熱。IGBT的使用主要是用于控制電路的開關(guān)和電流，可以實(shí)現(xiàn)更高的電壓和電流控制，從而提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。IGBT的保護(hù)主要是防止過載、過壓和過熱，可以使用電路保護(hù)器、熔斷器和溫度傳感器等設(shè)備來實(shí)現(xiàn)。

　　IGBT 的保護(hù)措施

　　由于IGBT 具有極高的輸入阻抗，容易造成靜電擊穿，將IGBT 用于電力變換時(shí)，為了防止異?，F(xiàn)象造成器件損壞，通常采用下列保護(hù)措施：

　　1）通過檢出的過電流信號切斷柵極信號，實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù)；

　　2）利用緩沖電路抑制過電壓，并限制過高的dv/dt;

　　3）利用溫度傳感器檢測IGBT 的外殼溫度，當(dāng)超過允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)。由于IGBT 具有正溫度系數(shù)和良好的并聯(lián)工作特性，IGBT 多采用多只元件并聯(lián)工作，主電路除對稱性外，無其他特殊要求。

　　從目前的使用情況看，采用IGBT 作為開關(guān)元件的靜止變頻電源的故障率明顯較低，元器件損壞的較少，維修費(fèi)用也較低，是靜止變頻技術(shù)新的發(fā)展方向。