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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
面向大功率家電，ST推出第二代IH系列1600V IGBT
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，意法半導(dǎo)體推出了一款面向大功率家電應(yīng)用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2，該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涓咝н\(yùn)行等優(yōu)勢(shì)，特...
TO-252封裝N溝道MOSFET，智能機(jī)器人領(lǐng)域的首選器件
從工廠流水線到家庭服務(wù)，人形機(jī)器人正掀起新一輪革命。但無(wú)論是奔跑跳躍的關(guān)節(jié)電機(jī)，還是精準(zhǔn)避障的傳感器，背后都離不開(kāi)最基礎(chǔ)的“隱形功臣”——二極管、三極管、MOS管。這些看似簡(jiǎn)...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。...
2025-01-20 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器功率器件熱設(shè)計(jì) 1446
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說(shuō)明
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗等； 2、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容、復(fù)...
MOSFET規(guī)格書(shū)中單脈沖雪崩能量EAS如何理解？電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會(huì)損壞嗎？
單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱是EAS，這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù)，我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過(guò)壓耐受能力，進(jìn)而來(lái)評(píng)估器件在異常瞬態(tài)過(guò)壓情...
2024-11-25 標(biāo)簽：MOSFET電路設(shè)計(jì)MOSEAS 6130
聚焦綠色能源四大細(xì)分市場(chǎng)，英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會(huì)
在PCIM Asia展上，英飛凌展示了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率電子產(chǎn)品組合，其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者...
發(fā)力新能源汽車和儲(chǔ)能市場(chǎng)，威兆半導(dǎo)體推出新一代700V SiC MOSFET
8月27日，在Elexcon2024深圳國(guó)際電子展上，威兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，這款產(chǎn)品采用了緊湊高效的SOT-227封裝，專為追求能效與高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)而...
2024-09-02 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFETIGBTSiC儲(chǔ)能碳化硅威兆半導(dǎo)體 6793
MOS管為什么還要考慮電流大小呢？
當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，我們會(huì)使用推挽電路來(lái)放大電流，但是MOS管明明是壓控型器件，為什么要去考慮電流大小呢？...
2024-04-28 標(biāo)簽：三極管電流MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 2494
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢？
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。...
MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的作用
MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件，在開(kāi)關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài)：導(dǎo)通和截止，以控制電流的通斷。這種切換過(guò)程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。...
2024-04-25 標(biāo)簽：集成電路MOSFET開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓電源MOSFET開(kāi)關(guān)電源電壓電源穩(wěn)壓電源集成電路 2589
如何選擇開(kāi)關(guān)電源的MOSFET
DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。...
2024-04-25 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)電源控制電路DCDC開(kāi)關(guān)控制器 5558
普通三極管電路的步驟
三極管是晶體管的一種，三極管的三個(gè)極分別是基極（Base）、發(fā)射極（Emitter）、集電極（Collector）。...
高效大電流穩(wěn)壓器電路設(shè)計(jì)方案
LT1083穩(wěn)壓器（參見(jiàn)圖1中的符號(hào)和引腳排列）允許調(diào)整正電壓，并能高效地提供高達(dá)7.5 A的電流。內(nèi)部電路設(shè)計(jì)用于輸入和輸出之間以高達(dá)1 V的壓差工作。...
2024-04-25 標(biāo)簽：二極管負(fù)載電流穩(wěn)壓器二極管低電流穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器負(fù)載電流 1407
常用的MOS做電源開(kāi)關(guān)的電路分享
由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS，所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。...
2024-04-25 標(biāo)簽：電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開(kāi)關(guān)MOS低導(dǎo)通電阻 5340
比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測(cè)指南
.通電導(dǎo)通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT，用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“～”之間的導(dǎo)通性，顯示導(dǎo)通，壓降為0.379 V。...
恒流電路設(shè)計(jì)三種常用方案解析
運(yùn)放的恒流電路，主要是利用運(yùn)放的“電壓跟隨特性”，即運(yùn)放的兩個(gè)輸入引腳Pin3與Pin2電壓相等電路特性；當(dāng)在電阻R4輸入Vin穩(wěn)定電源電壓時(shí)，電阻R7兩端的電壓也為Vin不變，因此無(wú)論外界電路...
2024-04-23 標(biāo)簽：三極管穩(wěn)壓二極管電壓電源三極管恒流電路電壓電源穩(wěn)壓二極管 885
信號(hào)線上串聯(lián)小電阻的作用與意義
為了保護(hù)接口，抵抗小能量電壓脈沖，防止信號(hào)脈沖損壞接口的。 舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子： 一個(gè)串口通訊的提示信號(hào)，當(dāng)接上串口時(shí)，因?yàn)樗查g的插拔產(chǎn)生了一個(gè)很窄的電壓脈沖...
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。...
2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET電容雙極晶體管電壓驅(qū)動(dòng)MOSFET雙極晶體管柵極驅(qū)動(dòng)電路電壓驅(qū)動(dòng)電容 4372
二極管保護(hù)電路的工作原理
二極管是一種允許電流流經(jīng)一個(gè)方向但不允許另一方向流過(guò)的器件，因此，它可以用于電路中，僅允許電流僅在正向流動(dòng)，而在反向流動(dòng)中阻止電流。當(dāng)電路中的組件可能會(huì)因反向（錯(cuò)誤）方向...
常見(jiàn)的電平轉(zhuǎn)換方法
當(dāng) 3.3V 器件輸出高電平信號(hào)，由于上拉 5V 作用，信號(hào)輸入器件被上拉為 5V 電平。 當(dāng) 3.3V 器件輸出低電平信號(hào)，使 OUTPUT 信號(hào)被拉低，從而信號(hào)輸入器件信號(hào)被拉低。...
2024-04-22 標(biāo)簽：三極管二極管上拉電阻MOS電平轉(zhuǎn)換 4964
關(guān)于MOS管電路工作原理的講解
MOS管的話題雖說(shuō)是老生常談，但這份資料幾年前就有人給我分享過(guò)，這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識(shí)別，到極性的分辨，再到常用功能，應(yīng)用電路等等...
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