功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來,由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展,它的性能不斷提高:如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
2193 1、 正向偏置安全工作區(qū)正向偏置安全工作區(qū),如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線Ⅱ、
2017-10-26 11:35:19
10930 
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件,在應(yīng)用的時候把它當(dāng)作一個開關(guān)就可以了,但估計(jì)很少人能夠說出IGBT和MOSFET工作區(qū)的命名和區(qū)別,同時由于不同參考書對工作區(qū)的命名又有很多種,很容易讓人混淆。
2021-01-01 17:34:00
25187 
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作,即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37
2911 
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管
2023-08-16 09:22:21
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本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對不同驅(qū)動電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細(xì)節(jié),展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關(guān)系。
2023-11-15 09:30:47
14210 
SOA區(qū)指的是MOSFET的安全工作區(qū),其英文單詞是Safe Operating Area。也有一些廠家叫ASO區(qū),其英文單詞是Area of Safe Opration,總之,兩者是一個意思,下面我們統(tǒng)一稱為SOA區(qū)
2024-03-11 09:16:33
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以下是這期文章的目錄:①什么是MOS管的SOA區(qū)?②SOA曲線的幾條限制線的意思?1、什么是MOS管的SOA區(qū),有什么用?SOA區(qū)指的是MOSFET的安全工作區(qū),其英文單詞
2024-07-09 08:05:00
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海飛樂技術(shù)20V MOSFET場效應(yīng)管現(xiàn)貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開關(guān)用
2020-03-03 17:36:16
.MOSFET的 工作原理 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管
2019-06-14 00:37:57
金屬-氧化層半導(dǎo)體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路
2020-07-06 11:28:15
MOSFET管的耐壓在150左右,電流在80A左右,MOSFET管怎么選擇?什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝??
2016-12-24 14:26:59
規(guī)格書中最大脈沖電流會定義在最大持續(xù)電流的4倍,并且隨著脈沖寬度的增加,最大脈沖電流會隨之減少,主要原因就是MOSFET的溫度特性,這一點(diǎn)可以從之后講到的安全工作區(qū)圖形中清楚看到。理想情況下,理論上
2018-07-12 11:34:11
率損耗對溫度關(guān)系圖
圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區(qū)示意圖,其安全區(qū)主要由四個條件所決定:導(dǎo)通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓 VBR
2025-03-24 15:03:44
文章,這么看來,也不算是巧合)之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶,這是因?yàn)槊總€供應(yīng)商都有各自生成SOA曲線的方法,并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
,這些材料在生產(chǎn)方便性和可靠性上都更具有優(yōu)勢。不妨礙對MOSFET結(jié)構(gòu)和基本工作原理的理解,在此仍認(rèn)為其是金屬材料。和結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣,在MOSFET中載流子也是從源極經(jīng)過溝道流向漏極,所以與源極
2024-06-13 10:07:47
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。?有五個SOA的制約要素,不滿足其中任何一個要素的要求都有可能會造成損壞
2022-07-26 18:06:41
著一定的飽和程度,也對應(yīng)著跨導(dǎo)限制的最大電流。恒流區(qū)也被稱為放大區(qū),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET也可以作為信號放大元件,可以工作在和三極管相類似的放大狀態(tài),MOSFET的恒流區(qū)就相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。另外恒流區(qū)還可
2016-12-21 11:39:07
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
電壓。導(dǎo)通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻,和上述的線性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。功率MOSFET的內(nèi)部二極管導(dǎo)通的反向工作狀態(tài),因?yàn)槠銼、D極的電壓為二極管的壓降,因此并沒有線性區(qū)的過程,也就
2017-04-06 14:57:20
`<p><font face="Verdana">功率MOSFET管<br/>
2010-08-12 13:58:43
穩(wěn)定一些。這也就是為什么過了平臺區(qū)之后,管子不怎么震蕩了,這也和上面這幅圖表達(dá)的含義有關(guān)系的。上面這幅圖相對來說比較關(guān)鍵。它是MOSFET工作的一個安全區(qū)域。MOSFET選型的合適與否,就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
MOSFET的安全工作區(qū)為什么SOA對于熱插拔應(yīng)用非常重要?
2021-03-08 07:49:01
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系,就必須對這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解,下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT:雙極性晶體管,俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)(以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
運(yùn)動。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區(qū),而不像結(jié)型場效應(yīng)管那樣橫跨PN結(jié)。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道,其工作可以是耗盡型或者增強(qiáng)型
2012-01-06 22:55:02
運(yùn)動。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區(qū),而不像結(jié)型場效應(yīng)管那樣橫跨PN結(jié)。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道,其工作可以是耗盡型或者增強(qiáng)型
2012-12-10 21:37:15
1、功率MOSFET安全工作區(qū)SOA曲線功率MOSFET數(shù)據(jù)表中SOA曲線是正向偏置的SOA曲線,即FBSOA曲線,那么這個安全工作區(qū)SOA曲線是如何定義的呢?這個曲線必須結(jié)合前面討論過的功率
2016-10-31 13:39:12
。選取相關(guān)元件參數(shù)后,對電路進(jìn)行測試,直到滿足設(shè)計(jì)要求。負(fù)載開關(guān)穩(wěn)態(tài)功耗并不大,但是瞬態(tài)功耗很大,特別是長時間工作在線性區(qū),會產(chǎn)生熱失效問題。因此,要校核功率MOSFET管的安全工作區(qū)SOA性能,同時
2025-11-19 06:35:56
,二邊的P區(qū)中間夾著一個N區(qū),由于二個P區(qū)在外面通過S極連在一起,因此,這個結(jié)構(gòu)形成了標(biāo)準(zhǔn)的JFET結(jié)構(gòu)。 4 隔離柵SGT場效應(yīng)晶體管 功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個相互
2016-10-10 10:58:30
簡單;2.輸入阻抗高,可達(dá)108Ω以上;3.工作頻率范圍寬,開關(guān)速度高(開關(guān)時間為幾十納秒到幾百納秒),開關(guān)損耗??;4.有較優(yōu)良的線性區(qū),并且場效應(yīng)管(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多
2011-12-19 16:52:35
;gt;圖1-6:柵極電荷特性<br/>(8)正向偏置安全工作區(qū)及主要參數(shù)<br/>MOSFET和雙極型晶體管一樣,也有它的安全工作區(qū)
2009-05-12 20:38:45
所示。Q1為放電管,使用N溝道增強(qiáng)型MOSFET,實(shí)際的工作中,根據(jù)不同的應(yīng)用,會使用多個功率MOSFET并聯(lián)工作,以減小導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻,LP為電池引線電感?! ≌?b class="flag-6" style="color: red">工作
2018-09-30 16:14:38
微波功率管是什么?微波功率管的安全工作區(qū)是什么?微波功率管在使用中會遇到哪些問題?
2021-04-21 07:09:41
怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時出現(xiàn)的問題? 來糾正傳統(tǒng)認(rèn)識的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
與歸一化瞬態(tài)熱阻關(guān)系圖SOA注意事項(xiàng)功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊中,相關(guān)極限參數(shù)和安全工作區(qū)SOA曲線都是基于工作溫度TC =25 ℃下的計(jì)算值。例如,一款MOS管的BVDSS為600V,但這個600V
2020-04-22 07:00:00
各位前輩,請問關(guān)于晶閘管的安全工作區(qū)(SOA)應(yīng)該怎么刻畫呢?
2017-06-20 15:40:06
MOSFET工作也可以工作在飽和區(qū),即放大區(qū)恒流狀態(tài),此時,電流受到溝道內(nèi)電子數(shù)量的限制,改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區(qū)進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作可變電阻區(qū),此時,VGS驅(qū)動電壓對應(yīng)的的放大恒流狀態(tài)
2016-08-15 14:31:59
可以工作在三個區(qū):關(guān)斷區(qū)、線性區(qū)(恒流區(qū))和可變電阻區(qū),線性區(qū)(恒流區(qū))相當(dāng)于三極管的放大區(qū),有時候也稱為放大區(qū);可變電阻區(qū)相當(dāng)于三極管的飽和區(qū),在這個區(qū)域MOSFET基本上完全導(dǎo)通。 當(dāng)驅(qū)動開通脈沖
2016-11-29 14:36:06
個寄生的晶體管,當(dāng)IC大到一定程度,寄生晶體管導(dǎo)通,柵極失去控制作用。此時,漏電流增大,造成功耗急劇增加,器件損壞。安全工作區(qū)隨著開關(guān)速度增加將減小。 (6)柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
請問如何在軟件中找到下圖的MOSFET管?這種MOSFET管型號是什么?
2021-07-02 20:09:43
小弟是電子初學(xué)者,經(jīng)常在設(shè)計(jì)電路時MOSFET管出現(xiàn)損壞,請問造成MOSFET管損壞有哪些原因?
2019-02-19 10:15:25
陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng),可以測試Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOSFET的FBSOA
2024-08-01 13:50:58
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X基礎(chǔ)信息Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOS-FET的FBSOA(正向偏置安全工作區(qū))測試 
2024-08-02 16:17:38
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理
1、? 引言
半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:42
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火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題??刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFET 開關(guān)緩慢接通,這樣,流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
2017-01-23 14:10:00
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嗨,我的FET狂熱愛好者同行們,歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第2部分!作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營銷工程師,在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中,除了電流額定值(本博客系列中的下一篇文章,這么看來,也不算是巧合)之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。
2017-04-18 11:35:01
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。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著很大的功耗,一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增,晶圓結(jié)溫急劇上升,如果散熱不及時,就會導(dǎo)致器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸,非常危險。這里就衍生一個概念,安全工作區(qū)。 一、什么是安全工作區(qū)? 安
2017-11-08 11:42:18
2 火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題??刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFET 開關(guān)緩慢接通,這樣,流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。 圖1:可插入電路板的熱插
2017-11-10 11:23:31
0 摘要:本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路
2017-12-03 19:17:49
3515 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積(SOA)下
2018-08-23 05:27:00
2868 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積(SOA)上
2019-04-23 06:19:00
2711 
Hot Swap?電路設(shè)計(jì)中最具挑戰(zhàn)性的方面通常是驗(yàn)證不會超過MOSFET的安全工作區(qū)(SOA)。與LTspice IV ?一起分發(fā)的SOAtherm工具簡化了這項(xiàng)任務(wù),使電路設(shè)計(jì)人員能夠立即評估應(yīng)用的SOA要求以及所選N溝道MOSFET的適用性。
2019-04-16 08:22:00
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除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)(SOA)曲線,該曲線同時描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系?;旧希琒OA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。
2019-06-18 14:40:21
8178 本文首先闡述了晶體管的用途及重要性,另外還分析了晶體管的三個工作區(qū)。
2020-03-14 10:31:50
23792 作為一名功率 MOSFET 的產(chǎn)品營銷工程師,在 FET 數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中,除了電流額定值之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解
2021-01-06 00:09:00
16 MOSFET 安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
2021-03-20 08:32:33
16 為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。 二什么是功率MOSFET的放大區(qū)? MOSFET線性工作區(qū)和三極管放大區(qū)工作原理一樣,如IB=1mA,電流放大倍數(shù)為100,
2021-06-28 10:43:39
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MOSFET的失效機(jī)理 本文的關(guān)鍵要點(diǎn) ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:07
3370 看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—安全工作區(qū) (SOA) 圖
2022-11-03 08:04:45
8 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《安全工作區(qū)開源分享.zip》資料免費(fèi)下載
2022-11-04 14:22:58
1 每個 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊都包含一個 SOA 圖,該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長時間。圖1顯示了恩智浦半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N溝道
2023-01-04 15:08:12
4154 
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:04
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MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。
2023-02-13 09:30:07
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整流器的反向偏置安全工作區(qū) (SOA)-AN90015_ZH
2023-02-16 21:18:03
1 MOS管的3種工作狀態(tài):截止區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、可變電阻區(qū),這個想必大家都知道。但光知道這個還不太夠,還需要清楚進(jìn)入相應(yīng)工作區(qū)的充分條件。
2023-02-20 09:27:35
7061 整流器的反向偏置安全工作區(qū) (SOA)-AN90015
2023-02-20 18:44:48
0 MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。
2023-02-22 15:46:47
5145 今天,本文就和大家嘮一嘮IGBT的安全工作區(qū),英文全稱safe operating area,簡稱SOA。顧名思義,也就是說只要使用的條件(電壓、電流、結(jié)溫等)不
超出SOA圈定的邊界,IGBT
2023-02-24 09:35:20
13 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會有一個看似復(fù)雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:31
2645 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理,還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時的特性,會出現(xiàn)與結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09
2558 
了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這篇文章中,我們將全面討論MOSFET數(shù)據(jù)表中
2022-05-11 09:59:02
2551 
MOSFET安全工作區(qū)域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這篇文章中
2023-05-09 09:47:03
3266 
電力MOSFET輸出特性曲線分為哪三個區(qū)?? 電力MOSFET是一種晶體管,用于控制電壓和電流。它們被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、電機(jī)控制、照明系統(tǒng)和各種其他工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。電力MOSFET的輸出特性曲線
2023-09-21 16:09:32
5636 電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用,例如電源、驅(qū)動電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場效應(yīng)管的晶體管,其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19
1755 MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件,通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34
1890 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)有很大
2023-11-22 17:33:30
5061 MOSFET工作在飽和區(qū)時,具有信號放大功能,柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導(dǎo)保持一定的約束關(guān)系,柵極的電壓和漏極的電流的關(guān)系就是MOSFET的傳輸特性。
2023-11-27 18:03:10
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Q A 問: IGBT 的安全工作區(qū) 在 ? IGBT ? 的規(guī)格書中,可能會看到安全工作區(qū)(SOA, Safe Operating Area),例如 ? ROHM
2023-12-13 20:15:02
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在電源測試中,我們除了對電源模組的輸入、器件及輸出端測試外,還有一個比較關(guān)鍵的測試,即安全工作區(qū)測試,它可以綜合評估整個電源設(shè)備能否安全工作。 安全工作區(qū)(SOA),顧名思義就是設(shè)備在不發(fā)生自損壞或
2023-12-20 09:55:02
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SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。要想安全使用MOSFET,就需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET,超過這個范圍就有可能造成損壞。
2024-01-06 11:31:27
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穩(wěn)壓管正常工作時為什么能夠處于反向擊穿區(qū)? 穩(wěn)壓管是一種用于穩(wěn)定電壓的電子器件,能夠?qū)⒉环€(wěn)定的輸入電壓轉(zhuǎn)換為相對穩(wěn)定的輸出電壓。通常情況下,穩(wěn)壓管處于正向擊穿區(qū)域產(chǎn)生工作穩(wěn)定的輸出電壓,但有
2024-01-16 13:50:49
4944 極(Gate極)、一個隔離的絕緣層和P型或N型的半導(dǎo)體材料組成。這兩個區(qū)域分別稱為漏區(qū)(Drain Region)和源區(qū)(Source Region)。 MOSFET的工作原理依賴于柵極對漏極和
2024-01-31 13:39:45
3609 它們對飽和區(qū)的定義有一些差別。 首先,讓我們從基本原理開始理解飽和區(qū)。在晶體管中,飽和區(qū)是電流最大的區(qū)域,通常被用來實(shí)現(xiàn)開關(guān)操作。晶體管在飽和區(qū)工作時,處于最低的電壓狀態(tài),導(dǎo)通電流較大。然而,飽和區(qū)的定義在IGBT和MOSFET之間有所區(qū)別。 IGBT是一種三極管結(jié)構(gòu)
2024-02-18 14:35:35
4111 什么是MOS管亞閾值電壓?MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的?亞閾值區(qū)在 MOSFET器件中的作用及優(yōu)點(diǎn)? MOS管亞閾值電壓指的是在MOSFET器件中的亞閾值區(qū)域工作時,門極電壓低于閾值電壓
2024-03-27 15:33:19
7047 具有更高的電壓和電流承受能力。功率MOSFET的工作區(qū)域主要包括截止區(qū)、飽和區(qū)、線性區(qū)和擊穿區(qū)。 截止區(qū)(Cutoff Region) 截止區(qū)是指功率MOSFET的柵極電壓(Vgs)小于閾值電壓(Vth
2024-07-11 15:12:44
3462 的工作過程中,其導(dǎo)電狀態(tài)可以分為三個區(qū)域:截止區(qū)、恒流區(qū)和飽和區(qū)。 一、場效應(yīng)管的基本概念 1.1 場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管主要分為兩大類:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。JFET的柵極是通過PN結(jié)實(shí)現(xiàn)的,而MOSFET的柵極則是通過金屬氧化物層
2024-07-14 09:17:48
4318 流區(qū),也稱為飽和區(qū)或線性區(qū),是場效應(yīng)管工作的一個區(qū)域,其中漏極電流(ID)與柵極電壓(VG)成線性關(guān)系,而與漏極-源極電壓(VDS)無關(guān)。在恒流區(qū),場效應(yīng)管可以作為一個恒流源使用。 場效應(yīng)管的工作原理 結(jié)構(gòu) :場效應(yīng)管主要由源
2024-07-14 09:21:43
4031 分為三個區(qū)域:截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。正確判斷場效應(yīng)管的工作狀態(tài)對于電子電路的設(shè)計(jì)和調(diào)試至關(guān)重要。 一、場效應(yīng)管的工作原理 結(jié)構(gòu):場效應(yīng)管主要由源極(Source)、漏極(Drain)、柵極(Gate)和襯底(Substrate)組成。其中,源極和漏極是兩個主要的電流通道,柵
2024-07-14 09:23:08
5545 直接影響到LDO的性能和效率。 LDO功率管的工作狀態(tài)可以分為三個區(qū)域:截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。下面我們將介紹這三個區(qū)域的特點(diǎn)和工作原理。 截止區(qū) 截止區(qū)是指功率管處于完全關(guān)閉的狀態(tài),此時功率管的漏極(D)和源極(S)之間沒有電流流過
2024-07-14 09:59:01
3948 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運(yùn)行區(qū)域,這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制,以確保其穩(wěn)定運(yùn)行并防止損壞。
2024-07-24 10:52:00
4308 PNP型晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體組成,具有三個主要區(qū)域:發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。PNP型晶體管的工作區(qū)主要包括截止區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)和反向偏置區(qū)。下面
2024-08-23 11:13:35
6786 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在設(shè)計(jì)中使用MOSFET安全工作區(qū)曲線.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-07 10:55:44
2 )的不同,可以工作在三種主要狀態(tài):截止?fàn)顟B(tài)、線性區(qū)和飽和區(qū)。 1. 截止?fàn)顟B(tài) 工作狀態(tài)描述 : 當(dāng)VGS小于MOSFET的開啟電壓(VGS(TH))時,MOSF
2024-10-06 16:51:00
9767 電力場效應(yīng)管(特別是MOSFET)的安全工作區(qū)(SOA,Safe Operating Area)是指在該區(qū)域內(nèi),MOSFET能夠安全、穩(wěn)定地工作,而不會因過熱、過壓或過流等條件導(dǎo)致?lián)p壞。SOA對于
2024-09-13 14:23:34
1519 區(qū)(夾斷區(qū))、可變電阻區(qū)(非飽和區(qū))和恒流區(qū)(飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū))。此外,還有一些特殊情況下的工作區(qū)域,如擊穿區(qū),但這不是MOS管正常工作時所期望的區(qū)域。
2024-09-14 17:10:58
14952 MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下,其導(dǎo)電性能隨輸入電壓(通常是柵源電壓Vgs)和輸出電壓(漏源電壓Vds)的變化而保持近似線性的區(qū)域。
2024-09-14 17:12:14
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