探索KYOCERA AVX薄膜RF/微波低通濾波器的卓越性能 在當今高速發(fā)展的電子科技領域，RF/微波濾波器對于保障信號的穩(wěn)定傳輸和處理起著至關重要的作用。KYOCERA AVX推出的一系列0805
2026-01-05 17:00:17
57 探索HMC1082CHIP：5.5 GHz - 18 GHz GaAs pHEMT MMIC中功率放大器 在微波和射頻領域，高性能的放大器一直是關鍵組件。今天要給大家詳細介紹的是Analog
2026-01-05 14:55:1518 2 GHz to 28 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器ADL9006：特性、應用與設計要點 引言 在射頻與微波電路設計領域，低噪聲放大器（LNA）起著至關重要的作用，它能夠在放大
2026-01-05 11:10:2488 。今天要給大家介紹的就是這樣一款器件——Analog Devices的HMC788A，一款0.01 GHz到10 GHz的MMIC（單片微波集成電路）RF增益模塊。 文件下載： HMC788A.pdf 一
2026-01-04 16:15:0246 探索HMC462：2 - 20 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器 在電子工程領域，低噪聲放大器（LNA）是射頻（RF）和微波系統(tǒng)中至關重要的組件。它能夠在放大微弱信號的同時，盡可能
2026-01-04 10:00:0765 的LP0603系列低通無鉛薄膜RF/微波濾波器，分享這款濾波器的設計特點、應用場景以及測試方法等內容。 文件下載： LP0603N5200ANTR.pdf 1. LP0603系列濾波器概述 LP0603系列濾波器采用集成薄膜（ITF）無鉛焊球柵陣列（LGA）封裝，基于薄膜多層技術制造。這種技術使得
2025-12-31 16:05:2264 薄型RF/微波低通濾波器LP0603系列：特性、應用與測試全解析 在電子設備飛速發(fā)展的今天，RF/微波濾波器在無線通信、衛(wèi)星電視等眾多領域發(fā)揮著至關重要的作用。今天，我們就來詳細探討一下AVX公司
2025-12-29 16:35:12125 的低矮高度，在 5G 毫米波天線模塊等應用中表現出色。本文將詳細介紹這款連接器的特點、應用、規(guī)格以及使用注意事項。 文件下載： Panasonic Industrial Devices RF4窄腳距射頻
2025-12-22 09:25:07205 探索LP0603系列薄膜RF/微波低通濾波器：特性、應用與測試 作為電子工程師，在設計高頻無線系統(tǒng)時，濾波器的選擇至關重要。今天我們就來深入了解一下AVX的LP0603系列薄膜RF/微波低通濾波器
2025-12-18 16:20:16164 F2970 75 Ohm SP2T RF開關：高性能與廣泛應用的完美結合 在電子工程領域，RF開關是許多應用中不可或缺的組件。今天我們要介紹的F2970 75 Ohm SP2T RF開關，以其卓越
2025-12-17 16:05:06141 瑞薩 F2912：高性能 SP2T RF 開關的卓越之選 在無線通信和射頻應用領域，高性能的 RF 開關至關重要。瑞薩的 F2912 作為一款高可靠性的單刀雙擲（SP2T）RF 開關，憑借其出色
2025-12-16 17:55:12578 1.?雙向開關前置升壓 APFC 由來
雙向開關前置升壓 APFC 是無橋 APFC 拓撲中的一種，從拓撲結構上來說實際就是Boost 電路的變形，只是交流輸入的正負半周各自對應不同的電路，此拓撲
2025-12-15 18:35:01
北京2025年12月15日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技在2025 re:Invent全球大會上宣布推出兩項全新的Amazon Lambda功能——Amazon Lambda持久化函數
2025-12-15 17:08:35323 （HPA）單片微波集成電路（MMIC），主要面向 4.5-6.8GHz 頻段應用，采用 GaN-on-SiC HEMT 工藝并帶濕度保護，封裝為 QFN 塑封。具備高功率輸出、高效率及寬電壓工作范圍等
2025-12-12 09:40:25
RFLUPA01050是RF-LAMBDA推出的一款寬帶中等功率放大器模塊，憑借其覆蓋低頻到高頻的寬工作帶寬、穩(wěn)定的信號增益特性及集成化的保護功能，可高效滿足通用通信、雷達探測及軍用射頻系統(tǒng)等場景
2025-11-28 09:20:44
云鎵半導體應用指導CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如大幅提升的開關速度和顯著降低的開關損耗，從而
2025-11-11 13:45:04193 
云鎵半導體應用指導CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如大幅提升的開關速度和顯著降低
2025-11-11 13:44:52207 云鎵半導體應用指導CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如大幅提升的開關速度和顯著降低
2025-11-11 13:44:41242 。技術優(yōu)勢GaAs MMIC工藝：采用砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）技術，具備高頻、低噪聲和低損耗特性。反射式關斷設計：在“關斷”狀態(tài)下，RF1和RF2端口反射短路，簡化電路設計，無需額外匹配
2025-10-31 09:26:45
電子發(fā)燒友網為你提供()PHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.02–3 GHz相關產品參數、數據手冊，更有PHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.02–3 GHz的引腳圖、接線圖
2025-10-30 18:30:29
電子發(fā)燒友網為你提供()GaAs 高隔離 SPDT 非反射開關 0.1 - 6 GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs 高隔離 SPDT 非反射開關 0.1 - 6 GHz的引腳圖、接線圖、封裝
2025-10-22 18:33:29
電子發(fā)燒友網為你提供()0.9-4.0 GHz、100 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.9-4.0 GHz、100 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT
2025-10-22 18:32:48
，開關速度可達硅基的10倍。這一特性使得GaN模塊在高頻應用中損耗更低，允許通過提升開關頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動元件尺寸，從而直接提升功率密度。磁集成與拓撲優(yōu)化：
Leadway
2025-10-22 09:09:58
常見誤區(qū)：用微波傳地下數據（衰減超標）、用低頻做車載雷達（精度不足）。規(guī)避關鍵：通信看 “距離 + 速率”，傳感看 “精度 + 環(huán)境”。
RF 射頻無優(yōu)劣，只看適配度。選頻段前先想 傳多遠？要多快 / 多準？有無遮擋？，匹配特性才能讓 RF 射頻在通信與傳感中 “物盡其用”。
2025-10-16 11:28:091939 
GaN-MOSFET 的結構設計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應用場景，核心差異體現在結構設計、性能特點和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
TDK-Lambda可編程直流電源以其出色的性能和靈活性，在電子測試與研發(fā)、工業(yè)自動化、通信設備和LED照明等領域得到廣泛應用。它采用高效能開關模式設計，具備高精度、高效率的特點，能夠為用戶提供穩(wěn)定、可靠的電源輸出。
2025-08-22 16:21:43767 
電子發(fā)燒友網為你提供()GaAs SPDT 開關 100 MHz–2.5 GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs SPDT 開關 100 MHz–2.5 GHz的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文
2025-08-19 18:32:53
電子發(fā)燒友網為你提供()pHEMT GaAs IC 1 W 高線性度 0.1–6.0 GHz SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有pHEMT GaAs IC 1 W 高線性度 0.1–6.0
2025-08-19 18:32:13
電子發(fā)燒友網為你提供()pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1–3.0 GHz相關產品參數、數據手冊，更有pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1–3.0 GHz的引腳圖
2025-08-19 18:31:32
電子發(fā)燒友網為你提供()PHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1 至 3 GHz相關產品參數、數據手冊，更有PHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1 至 3 GHz的引腳圖
2025-08-19 18:30:53
電子發(fā)燒友網為你提供()pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1–3 GHz相關產品參數、數據手冊，更有pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1–3 GHz的引腳圖、接線圖、封裝
2025-08-19 18:29:59
電子發(fā)燒友網為你提供()pHEMT GaAs IC 高功率 SP5T 開關 0.1–2 GHz相關產品參數、數據手冊，更有pHEMT GaAs IC 高功率 SP5T 開關 0.1–2 GHz的引腳
2025-08-18 18:35:31
電子發(fā)燒友網為你提供()GaAs SP4T 吸收式開關 20 MHz–2.5 GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs SP4T 吸收式開關 20 MHz–2.5 GHz的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-08-18 18:34:42
電子發(fā)燒友網為你提供()20 MHz-6.0 GHz GaAs SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有20 MHz-6.0 GHz GaAs SPDT 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
2025-08-15 18:37:12
電子發(fā)燒友網為你提供()20 MHz-6.0 GHz GaAs SP4T 開關相關產品參數、數據手冊，更有20 MHz-6.0 GHz GaAs SP4T 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
2025-08-15 18:35:10
電子發(fā)燒友網為你提供()pHEMT GaAs IC 高功率 4-CTL DPDT 開關 LF–6GHz相關產品參數、數據手冊，更有pHEMT GaAs IC 高功率 4-CTL DPDT 開關 LF
2025-08-15 18:33:38
電子發(fā)燒友網為你提供()GaAs SPDT 7 W 開關 20 MHz - 5 GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs SPDT 7 W 開關 20 MHz - 5 GHz的引腳圖、接線圖、封裝
2025-08-15 18:31:46
電子發(fā)燒友網為你提供()用于超寬帶 （UWB） 3–8 GHz 的 GaAs SP2T 開關相關產品參數、數據手冊，更有用于超寬帶 （UWB） 3–8 GHz 的 GaAs SP2T 開關的引腳圖
2025-08-15 18:30:58
電子發(fā)燒友網為你提供()0.5-6.0 GHz、150 W 高功率硅 PIN 二極管 SPST 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.5-6.0 GHz、150 W 高功率硅 PIN 二極管 SPST
2025-08-15 18:29:58
電子發(fā)燒友網為你提供()0.05-2.70 GHz，100 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.05-2.70 GHz，100 W 高功率硅 PIN 二極管
2025-08-14 18:35:16
電子發(fā)燒友網為你提供()0.9-4.0 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.9-4.0 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT
2025-08-14 18:35:03
電子發(fā)燒友網為你提供()pHEMT GaAs IC 高線性度 3 V 控制 SPDT 開關 0.1–2.5 GHz相關產品參數、數據手冊，更有pHEMT GaAs IC 高線性度 3 V 控制
2025-08-14 18:33:25
電子發(fā)燒友網為你提供()PHEMT GaAs IC 高線性度 3 V 控制 SPDT 0.1–2.5 GHz 開關芯片相關產品參數、數據手冊，更有PHEMT GaAs IC 高線性度 3 V 控制
2025-08-14 18:33:03
MADR-009150-TR1000內容介紹： 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款高功率 PIN 二極管開關的 20 - 50 V 驅動器
2025-08-12 10:24:22
增強型GaN HEMT具有開關速度快、導通電阻低、功率密度高等特點，正廣泛應用于高頻、高效率的電源轉換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（通常在1V到2V之間）、耐受電壓低（通常-5V到7V）等特點，使得驅動電路設計時需格外注意，防止開關過程中因誤導通或振蕩而導致器件失效。
2025-08-08 15:33:512705 
電子發(fā)燒友網為你提供()0.02 – 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.02 – 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關的引腳圖
2025-08-07 18:33:58
電子發(fā)燒友網為你提供()0.01-6.0 GHz GaAs SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.01-6.0 GHz GaAs SPDT 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-08-06 18:34:29
電子發(fā)燒友網為你提供()2.0-6.0 GHz GaAs SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有2.0-6.0 GHz GaAs SPDT 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-08-06 18:33:21
電子發(fā)燒友網為你提供()0.1-6.0 GHz GaAs SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.1-6.0 GHz GaAs SPDT 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-08-06 18:32:34
電子發(fā)燒友網為你提供()0.1-3.0 GHz GaAs SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.1-3.0 GHz GaAs SPDT 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-08-06 18:31:33
電子發(fā)燒友網為你提供()20 MHz 至 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關相關產品參數、數據手冊，更有20 MHz 至 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關的引腳
2025-08-06 18:31:03
電子發(fā)燒友網為你提供()GaAs SPDT 開關 20 MHz–2.5 GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs SPDT 開關 20 MHz–2.5 GHz的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
2025-08-06 18:30:00
電子發(fā)燒友網為你提供()0.9 至 4.0 GHz、125 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.9 至 4.0 GHz、125 W 高功率硅 PIN 二極管
2025-08-05 18:34:39
電子發(fā)燒友網為你提供()0.05-2.70 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.05-2.70 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二極管
2025-08-05 18:34:27
電子發(fā)燒友網為你提供()0.02-2.7 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.02-2.7 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT
2025-08-05 18:33:48
電子發(fā)燒友網為你提供()0.9-4.0 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有0.9-4.0 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT
2025-08-05 18:32:58
電子發(fā)燒友網為你提供()PHEMT GaAs IC 高功率轉換開關 0.1–6 GHz相關產品參數、數據手冊，更有PHEMT GaAs IC 高功率轉換開關 0.1–6 GHz的引腳圖、接線圖、封裝
2025-08-05 18:32:18
電子發(fā)燒友網為你提供()單正對照 pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.5–3 GHz相關產品參數、數據手冊，更有單正對照 pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.5–3 GHz
2025-08-05 18:32:04
電子發(fā)燒友網為你提供()pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1–4 GHz相關產品參數、數據手冊，更有pHEMT GaAs IC SPDT 開關 0.1–4 GHz的引腳圖、接線圖、封裝
2025-08-05 18:31:03
電子發(fā)燒友網為你提供()GaAs IC 高隔離正控制 SPDT 非反射開關 DC–4.0GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs IC 高隔離正控制 SPDT 非反射開關 DC–4.0GHz的引腳
2025-08-05 18:30:41
電子發(fā)燒友網為你提供()PHEMT GaAs IC SPDT 開關 300 KHz–2.5 GHz相關產品參數、數據手冊，更有PHEMT GaAs IC SPDT 開關 300 KHz–2.5
2025-08-05 18:30:03
電子發(fā)燒友網為你提供()20 MHz 至 6.0 GHz GaAs SPDT 開關相關產品參數、數據手冊，更有20 MHz 至 6.0 GHz GaAs SPDT 開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-08-04 18:30:05
電子發(fā)燒友網為你提供()GaAs 高隔離 SPDT 非反射開關 100 MHz-6 GHz相關產品參數、數據手冊，更有GaAs 高隔離 SPDT 非反射開關 100 MHz-6 GHz的引腳圖
2025-07-31 18:31:21
MASW-011052 是由MACOM推出的 HMIC?硅 PIN 二極管 SP2T 寬帶開關，選用 MACOM 專利技術的 HMIC（異石微波集成電路）工藝技術，工作頻率范圍為 2-18 GHz
2025-07-18 08:57:26
電子發(fā)燒友網為你提供()大信號開關塑料封裝 PIN 二極管相關產品參數、數據手冊，更有大信號開關塑料封裝 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，大信號開關塑料封裝 PIN 二極管真值表，大信號開關塑料封裝 PIN 二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-16 18:33:13
電子發(fā)燒友網為你提供()快速開關速度、低電容、塑料封裝 PIN 二極管相關產品參數、數據手冊，更有快速開關速度、低電容、塑料封裝 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，快速
2025-07-16 18:31:45
電子發(fā)燒友網為你提供()用于高功率開關應用的表面貼裝 PIN 二極管相關產品參數、數據手冊，更有用于高功率開關應用的表面貼裝 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于高功率
2025-07-15 18:35:00
電子發(fā)燒友網為你提供()開關和衰減器塑料封裝 PIN 二極管相關產品參數、數據手冊，更有開關和衰減器塑料封裝 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，開關和衰減器塑料封裝 PIN 二極管真值表，開關和衰減器塑料封裝 PIN 二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-15 18:34:47
小功率高效率E-GaN開關電源管理方案：U8723AH+U7116W小功率開關電源的效率是一個重要的設計指標，它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率，可以選擇低損耗的開關管和電感，減小輸出端紋波
2025-07-10 16:15:36571 
功率密度等特點，因此日益受到歡迎。
如今，市面上有眾多基于GaN技術的開關可供選擇。然而，與傳統(tǒng)的MOSFET相比，由于需要采用不同的驅動方式，這些開關的應用在一定程度上受到了限制。
圖1.SMPS中
2025-06-11 10:07:24
RFLUPA18G40GD寬帶固態(tài)功率放大器18GHz-40GHzRFLUPA18G40GD是一款由 RF-Lambda 生產的寬帶固態(tài)功率放大器，頻率范圍為18至40GHz
2025-06-09 08:49:58
和極低直流功耗的電池供電應用。RF1140具有低插入損耗、低控制電壓、高線性和非常好的諧波特性。此外，RF1140DS集成了解碼邏輯，只允許開關控制所需的兩條控制線。該部件基于RFMD的GaAs
2025-06-06 09:19:12
**：N型。- **品牌**：RF-Lambda。### 應用場景RFLUPA1260G51A 窄帶功率放大器適用于以下領域：- **無線通信**：用于信號增強和基站
2025-05-21 15:47:13
RFLUPA0001GK 是一款由 RF-Lambda 公司生產的寬帶功率放大器，以下是其詳細的技術參數和應用場景信息：### 技術參數- **工作頻率范圍**：20 MHz 至 1000 MHz
2025-05-21 15:22:44
RFLNPA535W100 是一款由 RF-Lambda 公司生產的寬帶功率放大器，以下是其主要技術參數和應用場景：### 技術參數- **頻率范圍**：0.020 GHz 至 0.520 GHz
2025-05-21 15:15:11
RFLNPA4547A 是一款由 RF-Lambda 公司生產的窄帶功率放大器，以下是其主要技術參數和應用場景：### 技術參數- **頻率范圍**：0.450 GHz 至 0.470 GHz
2025-05-21 15:13:11
RFLUPA250K220MA是一款高性能的L波段寬帶功率放大器，由RF-LAMBDA公司設計，專為滿足現代通信系統(tǒng)的需求而開發(fā)。以下是其主要特性：### 性能參數- **工作頻率范圍
2025-05-21 15:11:22
以進一步分成兩類——直流變換器和交流變換。常見的開關電源拓撲大約有10種，每種拓撲都有自己的特點和適用場合。 在選用時需要注意哪些問題呢?首先是輸入電壓范圍：一般情況下，輸入電壓為220V,240v或
2025-05-12 16:04:14
HMC424A芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC)，以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。
2025-04-24 14:44:51851 
電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關）。這是一種較為新型的GaN功率器件產品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 電子設計創(chuàng)新大會（EDICON China），展示多款模塊化射頻微波開關和微波開關設計工具Microwave Switching Design Tool（MSDT），MSDT是向所有用戶開放的免費在線
2025-04-17 09:27:13377 
ADMV1012 是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)雙邊帶(DSB)下變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，針對輸入頻率范圍為17.5 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優(yōu)化。
2025-03-27 16:51:58799 
ADMV1010 是一款采用砷化鎵 (GaAs) 設計的緊湊式微波單片集成電路 (MMIC) 單邊帶 (SSB) 降頻器，它采用符合 RoHS 指令的封裝，專門針對點對點微波無線電設計進行優(yōu)化，工作頻率范圍為 12.6 GHz 至 15.4 GHz。
2025-03-27 14:17:32753 
HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模塊、單芯片微波集成電路(MMIC)放大器，采用砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)技術制造。
此款2 mm × 2
2025-03-21 14:33:54862 
HMC347ALP3E單刀雙擲SPDT射頻開關ADI
HMC347ALP3E是Analog Devices（ADI）公司精心打造的一款寬帶、高隔離度的非反射型GaAs pHEMT SPDT（單刀雙擲
2025-03-14 09:45:46
基于LTSpice的GaN開關損耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318 
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件
2025-03-12 18:47:172082 
HMC641ALC4是一款寬帶反射GaAs pHEMT SP4T開關，采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為DC至20 GHz，具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。 該開關還集成
2025-03-07 16:55:33826 
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX7006單刀雙擲射頻開關NX7006芯片概述納祥科技NX7006是一款單刀雙擲（SPDT）LTE多模多頻帶(MMMB)開關。其切換功能由集成的通用
2025-03-07 16:46:371164 
GHz的信號，尤其適合IF和RF應用，包括RFID、ISM、汽車和電池供電標簽和筆記本電腦。 “關斷”狀態(tài)下，RF1和RF2反射斷開。 “導通”狀態(tài)下，該開關所需直流電流極低，并與CMOS和一些TTL
2025-03-07 16:21:50845 
3.0 GHz的信號，尤其適合IF和RF應用，包括蜂窩/3G、ISM、汽車和筆記本電腦。 該設計提供出色的插入損耗性能，非常適合濾波器和接收機開關應用。 “關斷”狀態(tài)下，RF1和RF2反射短路。 兩個控制電壓所需的直流電流非常小，并與CMOS和一些TTL邏輯系列兼容。
2025-03-07 15:53:391025 
0.5 dB的450、900、1900、2300和2700 MHz應用。 GaAs PHEMT設計在+3 V偏置時提供出色的+36 dBm 1dB壓縮點線性度性能和+60 dBm三階交調截點。 “關斷”狀態(tài)下，RF1和RF2反射斷開。 片內電路在極低直流電流時采用正控制電源工作。
2025-03-07 15:13:48891 
控制，具有快速開關速度，且直流功耗比基于pin二極管的解決方案小。 HMC1084采用緊湊型外形尺寸，非常適合微波無線電、SATCOM以及傳感器應用。 HMC1084采用無鉛4x4 mm SMT封裝，兼容表面貼裝制造技術。
2025-03-06 11:52:46912 
HMC1055是一款低成本、砷化鎵(GaAs)、單刀單擲(SPST)開關，采用LFCSP表貼封裝。 該開關具有低插入損耗、高隔離度和出色的三階交調性能，非常適合0.5 GHz至4.0 GHz范圍內的許多蜂窩和無線基礎設施應用。
2025-03-06 11:47:17922 
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
HMC232A的工作頻率范圍為100 MHz至12 GHz，在6 GHz時提供優(yōu)于1.5 dB的插入損耗
2025-03-05 16:00:13903 
?：本文檔詳細介紹了如何準確測量高速GaN E-HEMT的性能，包括電流和電壓的測量技術、雙脈沖開關測試、開關能量測量等。 這里給大家?guī)砻赓M的下載地址： *附件：高速GaN E-HEMT的測量技巧.pdf 二、測量技術 1. 短環(huán)路的重要性 ? 原因 ?：長地線會引入不必要的電感，導致
2025-02-27 18:06:411061 在開關模式電源中使用 GaN 開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關模式電源
2025-02-11 13:44:551177 
。本文將深入探討微波電容的基本概念、結構特點、工作原理、性能指標、測量方法以及實際應用，為工程師在設計和測試微波電路時提供全面而詳細的指導。
2025-02-03 14:16:001406 板布置應用商業(yè)無線基礎設施建設蜂窩網絡和WiMAX基礎設施建設通用型寬帶放大器公共移動電臺工業(yè)、科學和醫(yī)療RF-LAMBDA是全球領先的射頻微波與毫米波器件制造商，RF-LAMBDA產品線均依據美國
2025-01-22 09:03:00
Skyworks 的APD2220-000硅PIN二極管致力于性能卓越射頻和微波電路中的開關和衰減器器件需求設計。APD2220-000設計在從低于100 MHz到超過30 GHz的寬頻率范圍內都
2025-01-20 09:31:55
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