芯片可靠性測試要求都有哪些？華碧實驗室通過本文，將為大家簡要解析芯片可靠性測試的要求及標準。

大多數(shù)半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應力。施加的應力可增強或加快潛在的故障機制，幫助找出根本原因，并幫助?TI?采取措施防止故障模式。

在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。

高加速測試是基于?JEDEC?的資質認證測試的關鍵部分。以下測試反映了基于?JEDEC?規(guī)范?JEP47?的高加速條件。如果產(chǎn)品通過這些測試，則表示器件能用于大多數(shù)使用情況。

溫度循環(huán)

根據(jù)?JED22-A104?標準，溫度循環(huán)?(TC)?讓部件經(jīng)受極端高溫和低溫之間的轉換。進行該測試時，將部件反復暴露于這些條件下經(jīng)過預定的循環(huán)次數(shù)。

高溫工作壽命(HTOL)

HTOL?用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測試通常根據(jù)?JESD22-A108?標準長時間進行。

溫濕度偏壓高加速應力測試(BHAST)

根據(jù)?JESD22-A110?標準，THB?和?BHAST?讓器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時處于偏壓之下，其目標是讓器件加速腐蝕。THB?和?BHAST?用途相同，但?BHAST?條件和測試過程讓可靠性團隊的測試速度比?THB?快得多。

熱壓器/無偏壓HAST

熱壓器和無偏壓?HAST?用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與?THB?和?BHAST?一樣，它用于加速腐蝕。不過，與這些測試不同，不會對部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS（也稱為“烘烤”或?HTSL）用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與?HTOL?不同，器件在測試期間不處于運行條件下。

靜電放電(ESD)

靜電荷是靜置時的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個表面獲得電子，而另一個表面失去電子。其結果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當靜電荷從一個表面移到另一個表面時，它便成為靜電放電?(ESD)，并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。

當靜電荷移動時，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結。

JEDEC?通過兩種方式測試?ESD：

1.人體放電模型?(HBM)

一種組件級應力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。

2.帶電器件模型?(CDM)

一種組件級應力，根據(jù)?JEDEC JESD22-C101?規(guī)范，模擬生產(chǎn)設備和過程中的充電和放電事件。

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