高通執(zhí)行副總裁史蒂芬·莫林科夫(Steven Mollenkopf)終于證實(shí)，公司旗下首款采用28納米制造工藝的產(chǎn)品將于今年年底到來(lái)!其實(shí)早前業(yè)內(nèi)就已經(jīng)有消息放出，暗示高通將于今年晚些時(shí)候才發(fā)
2011-07-23 09:14:13
3258 賽靈思的20納米產(chǎn)品以備受市場(chǎng)肯定的28納米制程突破性技術(shù)為基礎(chǔ)，提供超越一個(gè)技術(shù)世代的系統(tǒng)效能、功耗和可編程系統(tǒng)整合度，繼續(xù)超越下一代！
2012-12-03 09:48:01876 采用其28納米工藝制程的 Qualcomm?驍龍?410處理器已成功應(yīng)用于主流智能手機(jī)，這是28納米核心芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的重要一步，開(kāi)啟了先進(jìn)手機(jī)芯片制造落地中國(guó)的新紀(jì)元。
2015-08-11 07:54:462718 就是關(guān)閉XT2晶振了，在低功耗的之前開(kāi)啟XT2作為時(shí)鐘源，進(jìn)入低功耗的時(shí)候關(guān)閉XT2，為什么這時(shí)候功耗依然很大呢，如果在時(shí)鐘初始化的時(shí)候不操作BCSCTL1這個(gè)寄存器的話，進(jìn)入低功耗后電流就非常小，我
2016-11-14 13:10:49
（Microcontroller Unit, MCU）市場(chǎng)，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲(chǔ)器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺(tái)。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時(shí)，95納米5V SG eNVM工藝平臺(tái)以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
65納米和45納米。 65納米IC設(shè)計(jì)規(guī)模極為龐大，復(fù)雜度高，大多采用層次化物理設(shè)計(jì)和低功耗設(shè)計(jì)流程，這使65納米節(jié)點(diǎn)IC設(shè)計(jì)成本和設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)規(guī)模隨之增加。在典型情況下，設(shè)計(jì)成本是隨著設(shè)計(jì)類型的不同而改變
2019-05-20 05:00:10
低功耗MCU，晶振1.晶振有無(wú)源晶振和有源晶振，2pin和4pin，2P的晶振在設(shè)計(jì)、貼片工藝上更方便些。4腳有源晶振比2腳無(wú)源晶振好在哪里？2.供電2.5-5.5V這也算是低功耗？我看國(guó)外的低功耗
2021-10-11 17:18:28
數(shù)據(jù)透?jìng)魇沁x擇低功耗WiFi模塊還是低功耗藍(lán)牙模塊好？
2021-01-04 06:55:35
低功耗以太網(wǎng)PHY對(duì)于樓宇自動(dòng)化的深遠(yuǎn)影響
2020-11-26 06:29:47
Altera公司產(chǎn)品和企業(yè)市場(chǎng)副總裁DannyBiran低功耗是一種戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì) 在器件的新應(yīng)用上，F(xiàn)PGA功耗和成本結(jié)構(gòu)的改進(jìn)起到了非常重要的作用。Altera針對(duì)低功耗，同時(shí)對(duì)體系結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行
2019-07-16 08:28:35
功耗存在。靜態(tài)功耗：也稱待機(jī)功耗，靜態(tài)功耗主要由晶體管的漏電流所導(dǎo)致的功耗。動(dòng)態(tài)功耗：包括開(kāi)關(guān)功耗或者成為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗；動(dòng)態(tài)功耗影響因素：門(mén)寄生電容、時(shí)鐘翻轉(zhuǎn)翻轉(zhuǎn)、時(shí)鐘頻率、供電電壓；降低功耗：應(yīng)當(dāng)在所有涉及層次上進(jìn)行，即系統(tǒng)級(jí)、邏輯級(jí)和物理即，層次越高對(duì)功耗降低越有效；在系統(tǒng)
2021-11-11 06:24:53
。彩燈控制把低功耗藍(lán)牙模塊內(nèi)置于LED內(nèi)，即可通過(guò)APP控制燈泡的色彩、亮暗。在智能家居、連鎖酒店、辦公室、飯店等需要燈光控制調(diào)節(jié)的地方均可以內(nèi)置低功耗藍(lán)牙模塊，改進(jìn)設(shè)備的智能化和時(shí)尚化。計(jì)算機(jī)外設(shè)、I
2019-03-18 02:25:12
可選，并能夠以低電流進(jìn)行備用電池供電。此外，產(chǎn)品還應(yīng)盡可能地提高響應(yīng)速度，并具備更多的內(nèi)部資源。 近日，微芯(Microchip)公司推出的具有多種靈活低功耗休眠模式且工作電流超低的PIC24F
2019-07-10 08:10:06
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
程序使用定時(shí)喚醒采樣方式，每隔一段時(shí)間喚醒，進(jìn)行AD采樣。問(wèn)題在于，如果不使用內(nèi)部2.5V基準(zhǔn)電壓，進(jìn)入低功耗時(shí)候，電流在20uA左右；使用內(nèi)部2.5V基準(zhǔn)電壓，進(jìn)入低功耗前關(guān)閉(ADC12CTL0
2018-06-21 14:54:10
DL-RX809L 基于SOC 的超外差無(wú)線接收芯片設(shè)計(jì)，是一款低功耗、低成本、小體積、帶解碼（學(xué)習(xí)碼）超外差無(wú)線接收模塊。內(nèi)部集成高性價(jià)比無(wú)線數(shù)據(jù)接收芯片及性能優(yōu)異的低功耗單片機(jī)，模塊具有行業(yè)超高
2018-07-07 13:33:46
結(jié)合采用低功耗元件和低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)在目前比以往任何時(shí)候都更有價(jià)值。隨著元件集成更多功能，并越來(lái)越小型化，對(duì)低功耗的要求持續(xù)增長(zhǎng)。當(dāng)把可編程邏輯器件用于低功耗應(yīng)用時(shí)，限制設(shè)計(jì)的低功耗非常重要。如何減小動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗？如何使功耗最小化？
2019-08-27 07:28:24
消費(fèi)電子領(lǐng)域,OEM希望采用FPGA的設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)與ASIC相匹敵的低功耗。盡管基于90nm工藝的FPGA的功耗已低于先前的130nm產(chǎn)品,但它仍然是整個(gè)系統(tǒng)功耗的主要載體。此外,如今的終端產(chǎn)品設(shè)計(jì)大多
2019-07-15 08:16:56
你好微芯片的工作人員！我正在從以下鏈接閱讀關(guān)于降低功耗的一些技巧的文檔：http://ww1.micro..com/...01146B_.%202.pdfOn TIP#3 Configuring
2020-04-30 09:25:33
SimpleLink?超低功耗 無(wú)線微控制
2016-02-25 10:27:27
XLD3011系列是一套采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的三端低功耗高壓電路。它們可以輸出100mA的電流，允許高達(dá)28V的輸入電壓。它們有3.0V到5.0V的幾種固定輸出電壓。CMOS技術(shù)確保低電壓降和低靜太
2022-01-18 10:09:07
XLD3011系列是一套采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的三端低功耗高壓電路。它們可以輸出100mA的電流，允許高達(dá)28V的輸入電壓。它們有3.0V到5.0V的幾種固定輸出電壓。CMOS技術(shù)確保低電壓降和低靜態(tài)
2020-02-20 15:54:30
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
現(xiàn)代化戰(zhàn)爭(zhēng)對(duì)吸波材料的吸波性能要求越來(lái)越高，一般傳統(tǒng)的吸波材料很難滿足需要。由于結(jié)構(gòu)和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術(shù)的新亮點(diǎn)。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
低成本低功耗的同步解調(diào)器設(shè)計(jì)怎么簡(jiǎn)單化？
2021-05-20 06:36:50
HAL250低功耗霍爾開(kāi)關(guān)是采?BCD工藝制作的全極低功耗霍爾ic，BCD?藝把雙極?藝和CMOS工藝，DMOS工藝同時(shí)制作在同一芯?上。HAL250低功耗霍爾開(kāi)關(guān)綜合了雙極器件高耐壓、強(qiáng)負(fù)載的驅(qū)動(dòng)
2021-10-14 11:45:24
關(guān)于黑孔化工藝流程和工藝說(shuō)明，看完你就懂了
2021-04-23 06:42:18
在微功耗場(chǎng)景下，使用RCC是否比低功耗芯片的效率更高？設(shè)計(jì)例子：?jiǎn)位鹑‰婍?xiàng)目，從AC線取電取電，交流220V轉(zhuǎn)直流12V，再通過(guò)DC-DC方案，將12V轉(zhuǎn)為3.3V供Zigbee工作，該Zigbee
2016-06-17 13:50:42
的默認(rèn)值，而且設(shè)計(jì)人員必須能夠在流程中的任何階段修改這些參數(shù)。為了解決這個(gè)問(wèn)題，ReShape流程可以根據(jù)所用的工藝、特定的芯片類型及芯片內(nèi)的特定模塊類型提供層次化的配置文件來(lái)控制這些設(shè)置工作。這樣就消除
2018-11-26 16:21:06
芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)公司微捷碼（Magma）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司近日宣布，已和專為消費(fèi)性應(yīng)用提供超低功耗65納米FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）技術(shù)的先驅(qū)者SiliconBlue科技公司正式簽定技術(shù)合作
2019-07-26 07:29:40
結(jié)合采用
低功耗元件和
低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)在目前比以往任何時(shí)候都更有價(jià)值。隨著元件集成更多功能，并越來(lái)越小型
化，對(duì)
低功耗的要求持續(xù)增長(zhǎng)。當(dāng)把可編程邏輯器件用于
低功耗應(yīng)用時(shí)，限制設(shè)計(jì)的
低功耗非常重要。本文將討論減小動(dòng)態(tài)和靜態(tài)
功耗的各種方法，并且給出一些例子說(shuō)明如何使
功耗最小
化?！ ?/div>
2019-07-12 06:38:08
給予過(guò)高的期望。當(dāng)然，所選擇的工藝不同，結(jié)果也會(huì)不同。雙極性器件具有最終決定帶寬 (BW=gm/2πCc) 的更高跨導(dǎo) (gm)。要弄清楚多低才算低功耗，可以看一下流耗僅為 150nA 的最新 TLV3691。在 1V 以下的工作電壓下，135nW 就是低功耗。
2018-09-13 14:25:14
現(xiàn)在電子產(chǎn)品一般都有要求低功耗，不同的MCU，進(jìn)入低功耗的處理流程可能不一樣，但是大致的流程還是一樣?，F(xiàn)對(duì)MCU進(jìn)入低功耗的處理流程大致如下：（1）關(guān)閉MCU之外的外設(shè)電源，例如：RS485、CAN
2021-11-01 08:10:03
從工藝選擇到設(shè)計(jì)直至投產(chǎn)，設(shè)計(jì)人員關(guān)注的重點(diǎn)是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢(shì)？
2019-09-17 08:18:19
量。通過(guò)采用基于40nm的半導(dǎo)體最新制造工藝以及創(chuàng)新方法來(lái)優(yōu)化這些復(fù)雜的器件，設(shè)計(jì)人員能夠在單芯片中集成更多的功能。這不但降低了總功耗，而且還可以降低后續(xù)工藝節(jié)點(diǎn)每一相應(yīng)功能的功耗。TPACK便是能夠
2019-07-31 07:13:26
一半，而性能提高兩倍。通過(guò)選擇一個(gè)高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個(gè)覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價(jià)值， 為客戶提供具備 ASIC 級(jí)功能
2019-08-09 07:27:00
有這個(gè)功耗存在。靜態(tài)功耗：也稱待機(jī)功耗，靜態(tài)功耗主要由晶體管的漏電流所導(dǎo)致的功耗；動(dòng)態(tài)功耗：包括開(kāi)關(guān)功耗或者稱為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗。動(dòng)態(tài)功耗影響因素：門(mén)寄生電容、時(shí)鐘翻轉(zhuǎn)率、時(shí)鐘頻率、供電電壓；降低功耗：應(yīng)當(dāng)在所有設(shè)計(jì)層次上進(jìn)行，即系統(tǒng)級(jí)、邏輯級(jí)和物理級(jí)，層次越高對(duì)功耗降低越
2021-11-11 06:27:30
的市場(chǎng)前景，眾商家摩拳擦掌、躍躍欲試，試圖在產(chǎn)品終端形態(tài)和穿戴方式，以及應(yīng)用效能和實(shí)際用途方面推陳出新、搶灘市場(chǎng)，這也就對(duì)產(chǎn)品的內(nèi)核模塊設(shè)計(jì)提出了更高的要求——小尺寸、低功耗、高工藝、性能穩(wěn)定、可操作性強(qiáng)
2017-12-12 15:29:01
分享一款巨微MS1581低功耗藍(lán)牙無(wú)線收發(fā)器
2021-01-01 07:46:30
，Vdd為工作電壓。 2 常用的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù) 低功耗設(shè)計(jì)足一個(gè)復(fù)雜的綜合性課題。就流程而言，包括功耗建模、評(píng)估以及優(yōu)化等;就設(shè)計(jì)抽象層次而言，包括自系統(tǒng)級(jí)至版圖級(jí)的所有抽象層次。同時(shí)，功耗優(yōu)化與系統(tǒng)
2016-06-29 11:28:15
復(fù)制性決定了指紋鎖是目前所有鎖具中最為安全的鎖種。指紋鎖除指紋識(shí)別外，根據(jù)國(guó)家公安部規(guī)定，應(yīng)當(dāng)加配應(yīng)急機(jī)械鑰匙。 靈動(dòng)微推出一款針對(duì)指紋鎖應(yīng)用的低功耗MCU，型號(hào)：MM32F031MM32F031
2018-09-06 15:32:41
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
`DL-RX809L 基于SOC 的超外差無(wú)線接收芯片設(shè)計(jì)，是一款低功耗、低成本、小體積、帶解碼（學(xué)習(xí)碼）超外差無(wú)線接收模塊。內(nèi)部集成高性價(jià)比無(wú)線數(shù)據(jù)接收芯片及性能優(yōu)異的低功耗單片機(jī)，模塊具有行業(yè)
2019-02-22 18:23:05
樣板貼片的工藝流程是什么
2021-04-26 06:43:58
終端節(jié)點(diǎn)關(guān)閉低功耗模式和開(kāi)啟低功耗模式，功耗有何區(qū)別？功耗相差多少？
2018-05-22 08:42:02
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
芯片生產(chǎn)工藝流程是怎樣的？
2021-06-08 06:49:47
功耗及其組成部分，總結(jié)降低功耗的若干種常用方案；并重點(diǎn)介紹如何用UPF把低功耗意圖描述出來(lái)以及如何用Synopsys工具實(shí)現(xiàn)整個(gè)流程。 目前常用的低功耗設(shè)計(jì)的一些方法特別是用power-gating
2020-07-07 11:40:06
直到器件／I藝級(jí)的整個(gè)數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程。每個(gè)級(jí)別可以達(dá)到的低功耗設(shè)計(jì)效果不同，抽象層次越高則優(yōu)化的空間越大，效果也越明顯。對(duì)于電路的平均翻轉(zhuǎn)率，通過(guò)軟硬件分工有可能降低電路30％的翻轉(zhuǎn)次數(shù)，而通過(guò)邏輯
2013-05-16 20:00:33
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
stm32進(jìn)入低功耗模式，必須用中斷來(lái)喚醒，現(xiàn)在就是不用這種模式，如何通過(guò)程序來(lái)降低功耗啊
2019-05-06 18:43:22
貼片電阻的生產(chǎn)工藝流程如何
2021-03-11 07:27:02
要。Altera Cyclone V FPGA通過(guò)多種方法幫助設(shè)計(jì)人員降低系統(tǒng)總成本，設(shè)計(jì)人員受益的不僅是TSMC的28nm低功耗（28LP）制造工藝，還包括Cyclone V器件系列內(nèi)置的體系結(jié)構(gòu)，以及
2015-02-09 15:02:06
本資料是關(guān)于如何采用低功耗28nm降低系統(tǒng)總成本
2012-07-31 21:25:06
中芯國(guó)際(SMIC)和Cadence 共同推出用于65納米的低功耗解決方案Reference Flow 4.0
完全集成的能效型流程令快速、輕松地設(shè)計(jì)低功耗尖端器件成為可能
2009-10-31 07:48:011228 高通攜手TSMC，繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴－TSMC前不久日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品
外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28納米制程合作；臺(tái)積電28納米已確定取得富
2010-01-19 15:59:551058 賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺(tái)開(kāi)發(fā)
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，為推進(jìn)可編程勢(shì)在必行之必然趨勢(shì)，正對(duì)系統(tǒng)工
2010-02-23 11:16:21382 統(tǒng)一工藝和架構(gòu)，賽靈思28納米FPGA成就高性能和低功耗的完美融合
賽靈思公司(Xilinx)近日宣布，為推進(jìn)可編程勢(shì)在必行之必然趨勢(shì)，正對(duì)系統(tǒng)工程師在全球發(fā)布賽靈思
2010-03-02 08:48:51576 根據(jù)貫穿整個(gè)IC實(shí)現(xiàn)流程的集成化低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)策略
降低功耗是現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)最具挑戰(zhàn)性需求之一。采用單點(diǎn)工具流程時(shí)，往往只有到了設(shè)計(jì)流程后期階段才會(huì)去考慮降
2010-04-21 10:54:28651 
近期，高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財(cái)年開(kāi)始出樣?；?b class="flag-6" style="color: red">28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征，主要針對(duì)高端
2010-11-24 09:19:571471 本文基于IEEEl801標(biāo)準(zhǔn)Uni-fied Power Format(UPF)，采用Synopsys和Mentor Graphics的EDA工具實(shí)現(xiàn)了包括可測(cè)性設(shè)計(jì)在內(nèi)的“從RTL到GDSII”的完整低功耗流程設(shè)計(jì)。本論文第1部分描述了低功耗技術(shù)和術(shù)語(yǔ)
2011-03-11 11:33:551621 
微捷碼QCP提取器已被臺(tái)積電(TSMC)納入其季度28納米集成電路(IC)EDA質(zhì)量檢驗(yàn)報(bào)告中。這次質(zhì)量檢驗(yàn)讓設(shè)計(jì)師們對(duì)采用QCP解決臺(tái)積電28納米工藝IC日益提高的復(fù)雜性問(wèn)題更有信心。
2011-07-15 08:39:06877 本文采用自頂而目的設(shè)計(jì)原則，從體系結(jié)構(gòu)到電路實(shí)現(xiàn)上分層次探討了時(shí)鐘芯片的功耗來(lái)源，并采取相應(yīng)的控制手段實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗設(shè)計(jì)。
2011-10-08 11:50:042128 
在高層次對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行功耗佑算和功耗優(yōu)化是soc設(shè)計(jì)的關(guān)健技術(shù)本文首先給出soc設(shè)計(jì)的特點(diǎn)和流程，然后綜述目前高層次功耗估算和功耗優(yōu)化的常用方法和技術(shù)，重點(diǎn)論述寄存器傳輸級(jí)和
2011-12-27 16:42:38
46 本白皮書(shū)介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個(gè)方面，其中包括臺(tái)積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書(shū)還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441 臺(tái)積電TSMC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)28納米工藝的ARM處理器了。TSMC在2011年第四季度開(kāi)始從28納米芯片獲得營(yíng)收，目前28納米工藝芯片占有公司總營(yíng)收的額5%。在今年晚些時(shí)候，TSMC將加速28納米芯片的生
2012-04-18 10:22:37830 
日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 中芯國(guó)際新款40納米 Reference Flow5.1結(jié)合了最先進(jìn)的Cadence CCOpt和GigaOpt工藝以及Tempus 時(shí)序簽收解決方案, 新款RTL-to-GDSII數(shù)字流程支持Cadence的分層低功耗流程和最新版本的通用功率格式（CPF）.
2013-09-05 10:45:031839 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺(tái)和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896 “我們與 Cadence 密切合作開(kāi)發(fā)參考
流程，幫助我們的客戶加快其差異化的
低功耗、高性能芯片的設(shè)計(jì)，”中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示，“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實(shí)現(xiàn)工具與中芯國(guó)際
28納米工藝的緊密結(jié)合，能夠幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將
28納米設(shè)計(jì)達(dá)到更低的
功耗以及更快的量產(chǎn)化?！?/div>
2016-06-08 16:09:562242 28納米以后邏輯工藝開(kāi)始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺(tái)積電的主推成為主流，14/16納米都已量產(chǎn)，10納米工藝也有可能在2017年量產(chǎn)；體硅工藝停止在28納米，想增加集成度而又對(duì)FinFET開(kāi)發(fā)成本望而卻步的半導(dǎo)體公司另辟蹊徑。
2016-11-04 19:12:11846 
臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總經(jīng)理金平中指出，臺(tái)積電的超低功耗平臺(tái)包括55納米超低功耗技術(shù)、40納米超低功耗技術(shù)、22納米超低功耗／超低漏電技術(shù)等，都已經(jīng)被各種穿戴式產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用采用，同時(shí)，臺(tái)積電也把超低功耗
2017-12-11 15:03:291409 于聯(lián)電55納米超低功耗工藝（55ULP）的 PowerSlash 基礎(chǔ)IP方案。智原 PowerSlash 與聯(lián)電工藝技術(shù)相互結(jié)合設(shè)計(jì)，為超低功耗的無(wú)線應(yīng)用需求技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化，滿足無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長(zhǎng)期壽命需求。 智原科技營(yíng)銷暨投資副總于德洵表示：物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用建構(gòu)過(guò)程中，效能往往受制于低功耗技術(shù)。
2018-03-05 15:08:005142 位于廈門(mén)火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司日前傳來(lái)喜訊，已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate 工藝制程的客戶產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達(dá) 98%。這是該公司28納米
2018-03-31 15:28:5011192 賽靈思7系列FPGA產(chǎn)品通過(guò)采用新的工藝和新的架構(gòu)方式，成功將產(chǎn)品的功耗顯著降低。7系列FPGA產(chǎn)品的實(shí)測(cè)功耗與上一代產(chǎn)品相比，降低了約一半。采用臺(tái)積電全新28HPL工藝，賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高性能和低功耗。
2018-06-05 13:45:004085 Credo 在2016年展示了其獨(dú)特的28納米工藝節(jié)點(diǎn)下的混合訊號(hào)112G PAM4 SerDes技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗100G光模塊，并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點(diǎn)來(lái)提供創(chuàng)新且互補(bǔ)的112G連接
2018-10-30 11:11:125204 近日，華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029 12月11日，華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-14 15:47:303159 華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780 華虹集團(tuán)旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224 低功耗設(shè)計(jì)是一個(gè)整體的概念，意思是它在每個(gè)設(shè)計(jì)層次上都可以進(jìn)行功耗的優(yōu)化——算法層次的優(yōu)化、RTL級(jí)代碼的優(yōu)化、門(mén)級(jí)網(wǎng)表的優(yōu)化、版圖布局的優(yōu)化等等。
2019-02-02 17:20:005693 持續(xù)創(chuàng)新 28HPL 高性能低功耗工藝，成就跨越全新中低端器件，和 Artix-7 FPGA、Kintex-7 FPGA 及 Zynq-7000 SoC 產(chǎn)品系列的全新低功耗工業(yè)速度等級(jí)的器件敬請(qǐng)
2019-08-01 09:07:323066 
28納米與40納米為目前半導(dǎo)體市場(chǎng)上的主流工藝，無(wú)論是IP、光罩與晶圓等技術(shù)均趨于穩(wěn)定成熟，成本大幅低于FinFET工藝。
2019-09-19 14:43:291446 的功耗高度依賴于用戶的設(shè)計(jì)，沒(méi)有哪種單一的方法能夠?qū)崿F(xiàn)這種功耗的降低。目前許多終端市場(chǎng)對(duì)可編程邏輯器件設(shè)計(jì)的低功耗要求越來(lái)越苛刻。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，OEM希望采用FPGA的設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)與ASIC相匹敵的低功耗。 盡管基于90nm工藝的FPGA的功耗已低
2020-10-28 15:02:132498 級(jí)四個(gè)層次按照自頂向下的電路設(shè)計(jì)方法，在不同設(shè)計(jì)層次上對(duì)功耗進(jìn)行優(yōu)化時(shí)，改善的程度是不同的，設(shè)計(jì)層次越高，優(yōu)化所能達(dá)到的效果越好。本論文對(duì)各個(gè)層次的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行了研究和分析，并將系統(tǒng)級(jí)總線編碼技術(shù)作為
2021-04-13 16:49:3719 現(xiàn)在電子產(chǎn)品一般都有要求低功耗，不同的MCU，進(jìn)入低功耗的處理流程可能不一樣，但是大致的流程還是一樣?，F(xiàn)對(duì)MCU進(jìn)入低功耗的處理流程大致如下：（1）關(guān)閉MCU之外的外設(shè)電源，例如：RS485、CAN
2021-10-25 11:36:0218 都導(dǎo)通時(shí)所引起的功耗。低功耗設(shè)計(jì)方法對(duì)于系統(tǒng)是在低功耗下提高性能，還是高性能下降低功耗，這對(duì)采樣什么樣的低功耗技術(shù)很關(guān)鍵。下圖是基于低功耗反饋的前向設(shè)計(jì)法，如圖，可以看出五個(gè)層次下對(duì)系統(tǒng)的功耗進(jìn)行優(yōu)化，自頂向下分別對(duì)應(yīng)系統(tǒng)級(jí)、行為級(jí)、RTL級(jí)、邏輯級(jí)和物理級(jí)。下圖說(shuō)明了各層次的具體優(yōu)化方法和優(yōu)化效果，可以看到層次
2021-11-06 15:51:0118 功耗存在。靜態(tài)功耗：也稱待機(jī)功耗，靜態(tài)功耗主要由晶體管的漏電流所導(dǎo)致的功耗。動(dòng)態(tài)功耗：包括開(kāi)關(guān)功耗或者成為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗；動(dòng)態(tài)功耗影響因素：門(mén)寄生電容、時(shí)鐘翻轉(zhuǎn)翻轉(zhuǎn)、時(shí)鐘頻率、供電電壓；降低功耗：應(yīng)當(dāng)在所有涉及層次上進(jìn)行，即系統(tǒng)級(jí)、邏輯級(jí)和物理即，層次越高對(duì)功耗降低越有效；在系統(tǒng)
2021-11-06 17:21:0114 低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求，但近年來(lái)，在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動(dòng)下，對(duì)低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。
2023-02-14 09:10:59778 無(wú)壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別如何降低納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率成為目前研究的重要內(nèi)容。燒結(jié)銀的燒結(jié)工藝流程就顯得尤為重要
2022-04-08 10:11:34778 
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