實(shí)現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對(duì)當(dāng)前增長(zhǎng)的人口和能源需求的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動(dòng)這一目標(biāo)達(dá)成的重要?jiǎng)?chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 （GaN）。
2015-04-08 13:37:28
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由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大的一部份，近六成左右，而碳化硅同期的成長(zhǎng)則相對(duì)緩慢，成長(zhǎng)率約在21%左右。
2016-11-28 14:14:131856 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于能夠提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的效率，模組級(jí)電源管理(MLPM)解決方案勢(shì)必會(huì)快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2014年將有40%左右的住宅光伏(PV)裝置將使用MLPM。
2011-03-14 09:41:022682 
近日，研究機(jī)構(gòu)DSCC分析，在未來幾年中，microLED電視將迎來快速增長(zhǎng)，其市場(chǎng)規(guī)模有望從2020年的2500萬(wàn)美元上漲到2026年的2.28億美元。但根據(jù)DSCC的數(shù)據(jù)，microLED電視在
2020-11-16 09:57:478318 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)，2021年以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用的大爆發(fā)。據(jù)公開資料顯示，2020年氮化鎵的市場(chǎng)主要應(yīng)用于光電、射頻、電力電子領(lǐng)域。其中
2021-11-17 10:10:083917 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵開關(guān)管來取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化鎵開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
手機(jī)甚至出廠就直接標(biāo)配氮化鎵快充，也讓更多用戶接觸到氮化鎵快充小巧便攜高性能的特性。未來，氮化鎵快充除了在消費(fèi)電子市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)外，也會(huì)在 PC 電源、新能源汽車等更多行業(yè)上得到應(yīng)用，達(dá)到全面開花
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
對(duì)充電器通用性、便攜性的需求提高，未來GaN快充市場(chǎng)規(guī)模將快速上升，根據(jù)中信證券數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場(chǎng)規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復(fù)合年均增長(zhǎng)率高達(dá)94
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
。憑借高達(dá) 300W 的功率輸出能力和堅(jiān)固的塑料封裝，第四代氮化鎵功率晶體管無疑已成為具有高成本效益的可信賴解決方案。——————市場(chǎng)的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)——————在短期內(nèi)，無線基站市場(chǎng)將繼續(xù)推動(dòng)氮化鎵市場(chǎng)
2017-08-15 17:47:34
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營(yíng)完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價(jià)比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動(dòng)器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場(chǎng)上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時(shí)間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購(gòu)來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
了《“十四五”機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，規(guī)劃明確指出，到2025年我國(guó)將成為全球機(jī)器人技術(shù)創(chuàng)新策源地、高端制造集聚地和集成應(yīng)用新高地。作為工業(yè)機(jī)器人核心控制器件，MCU等控制芯片必將受惠于工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)
2023-02-16 14:11:04
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
，整個(gè)電動(dòng)汽車（EV）市場(chǎng)的增長(zhǎng)率已經(jīng)超過傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)率的10倍。預(yù)計(jì)到2040年，電動(dòng)汽車市場(chǎng)將擁有35％的新車銷量份額，對(duì)于一個(gè)開始批量生產(chǎn)不到10年的市場(chǎng)而言，這樣的新車銷售份額
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運(yùn)行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
受到市場(chǎng)相當(dāng)不錯(cuò)的回響，應(yīng)用需求也越來越多。近年來在消費(fèi)性電源領(lǐng)域引發(fā)話題的手機(jī)快速充電、USB-PD等技術(shù)，就是氮化鎵組件可以大展身手的舞臺(tái)。和電動(dòng)車的情況類似，快速充電也是智能型手機(jī)或便攜設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
快速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。2005年，中國(guó)大陸電源管理IC市場(chǎng)的銷售額達(dá)到30.91億美元，同比增長(zhǎng)29%，大大高于全球8.9%的增長(zhǎng)水平，已占全球市場(chǎng)規(guī)模的13.5%。預(yù)計(jì)2006~2010年，中國(guó)電源管理芯片
2016-01-08 14:57:15
等，市場(chǎng)份額占比分別為17%、12%、10%、8%、7%、7%。中國(guó)市場(chǎng)方面，目前電源管理芯片約占全球 35.9% 的市場(chǎng)份額。隨著下游電子設(shè)備行業(yè)發(fā)展對(duì)電源管理芯片需求的增長(zhǎng)，未來其市場(chǎng)規(guī)模仍將快速增長(zhǎng)。據(jù)
2023-03-03 11:29:26
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
等，市場(chǎng)份額占比分別為17%、12%、10%、8%、7%、7%。中國(guó)市場(chǎng)方面，目前電源管理芯片約占全球 35.9% 的市場(chǎng)份額。隨著下游電子設(shè)備行業(yè)發(fā)展對(duì)電源管理芯片需求的增長(zhǎng)，未來其市場(chǎng)規(guī)模仍將快速增長(zhǎng)。據(jù)
2023-03-03 11:38:53
通過調(diào)研發(fā)現(xiàn)在2019,2020折疊大屏手機(jī)成熟上市后，與此在應(yīng)用體驗(yàn)上相輔相成的智能腕表將面臨快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)，為此將帶動(dòng)相關(guān)零部件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
2018-09-21 10:34:35
的應(yīng)用，包括自動(dòng)駕駛汽車、機(jī)器人、無人機(jī)和安全系統(tǒng)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。
隨著產(chǎn)量的增長(zhǎng)，氮化鎵器件正在取代傳統(tǒng)應(yīng)用的硅MOSFET，例如48 V DC/DC電源，讓數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和游戲等高
2023-06-25 14:17:47
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
，我們的設(shè)備都被連接在了一起，我們需要消耗更多的電能，”GaN開發(fā)團(tuán)隊(duì)的系統(tǒng)和應(yīng)用工程師Eric Faraci說，“更多的能耗意味著需要建造更多的大型電廠。但是，如果我們使用諸如氮化鎵的技術(shù)，我們可以將
2018-08-30 15:05:50
多標(biāo)準(zhǔn)DTV解碼芯片市場(chǎng)將快速增長(zhǎng)
據(jù)iSuppli公司,全球各地從模擬向數(shù)字電視(DTV)廣播過渡,正在促使電視廠商推出具備更先進(jìn)視頻解碼芯片的電視機(jī)。
2009-09-15 14:25:561172 
GaN電源管理芯片市場(chǎng)將增長(zhǎng)快速
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年
2010-03-25 10:12:471636 
隨著氮化鎵（GaN）技術(shù)在射頻（RF）中的應(yīng)用逐漸增多以及LTE基站在中國(guó)的廣泛部署，射頻氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模在2015年增長(zhǎng)將近50%。
2018-04-23 11:53:001608 據(jù)市場(chǎng)研究公司MarketsandMarkets的預(yù)測(cè)，全球生物識(shí)別市場(chǎng)將由2018年的168億美元快速增長(zhǎng)至2023年的418億美元。
2018-08-29 08:56:024208 根據(jù)美國(guó)研究機(jī)構(gòu)Forrester指出，智能家居是物聯(lián)網(wǎng)當(dāng)中最具代表性領(lǐng)域，其正以超預(yù)期的速度在快速增長(zhǎng)，而我國(guó)智能家居的滲透率僅為4.9%，還有很大的發(fā)展空間，預(yù)計(jì)中國(guó)智能家居設(shè)備市場(chǎng)在未來五年的時(shí)間內(nèi)將持續(xù)快速增長(zhǎng)。
2020-03-17 14:20:443511 近年來，國(guó)內(nèi)家用電器、3C產(chǎn)品等領(lǐng)域持續(xù)增長(zhǎng)，中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)保持快速增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2015-2019年中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模逐步增長(zhǎng)。未來，隨著中國(guó)國(guó)產(chǎn)電源管理芯片在新領(lǐng)域的應(yīng)用拓展，國(guó)產(chǎn)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模將快速增長(zhǎng)。中山產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，2020年我國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)781億元。
2020-07-18 09:33:567023 能有效避免交通事故發(fā)生的ADAS或將迎來快速增長(zhǎng)期。據(jù)相關(guān)研究報(bào)告預(yù)計(jì)，2025年國(guó)內(nèi)ADAS市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2250億元。
2020-12-07 16:01:252588 受到5G網(wǎng)絡(luò)商業(yè)化建設(shè)的影響，自2020年起，全球射頻前端市場(chǎng)將迎來快速增長(zhǎng)。2018年至2023年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將以年復(fù)合增長(zhǎng)率16.00%持續(xù)高速增長(zhǎng)，2023年接近313.10億美元。
2020-12-30 16:33:215163 氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個(gè)非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)之際，65W這個(gè)功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點(diǎn)，從而率先成為了各大品牌的必爭(zhēng)之地，ncp1342替代料PN8213氮化鎵充電器主控芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。
2022-05-09 16:42:314115 
大家好，今天我們來了解一下氮化鎵芯片應(yīng)用電路，幫助大家清晰的了解 GaN 產(chǎn)品。 氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個(gè)非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)之際，65W這個(gè)功率段恰到好處的解決了大部分
2023-02-05 11:15:525085 
中國(guó)氮化鎵芯片市場(chǎng)占據(jù)全球約 %的市場(chǎng)份額，為全球最主要的消費(fèi)市場(chǎng)之一，且增速高于全球。2021年市場(chǎng)規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 %。
2023-02-05 13:30:115290 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場(chǎng)快速滲透，長(zhǎng)期在基站、服務(wù)器、新能源汽車等諸多場(chǎng)景也將具有一定的增長(zhǎng)潛力。
2023-02-06 16:44:274965 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204099 Electronic緊緊錨定氮化鎵自主創(chuàng)新，后發(fā)追趕全力競(jìng)速。氮化鎵賦能UE智能插座成效顯著，UE電源技術(shù)取得長(zhǎng)足進(jìn)步，彰顯發(fā)展活力與韌性。從硅到氮化鎵的快速應(yīng)用，是UE電源技術(shù)蓬勃發(fā)展的生動(dòng)腳注。 智能插座研發(fā)的既有路徑是通過采集數(shù)據(jù)“海量篩選”，
2023-03-08 17:28:511078 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體器件集成在一個(gè)芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232504 緊緊錨定氮化鎵自主創(chuàng)新，后發(fā)追趕全力競(jìng)速。氮化鎵賦能UE智能插座成效顯著，UE電源技術(shù)取得長(zhǎng)足進(jìn)步，彰顯發(fā)展活力與韌性。從硅到氮化鎵的快速應(yīng)用，是UE電源技術(shù)蓬勃發(fā)
2023-03-09 10:13:261231 
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。
2023-09-11 17:17:534149 氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色，氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器，監(jiān)測(cè)和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式，確?？斐溥^程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充電速度和電池的充電狀態(tài)，避免過充、過放和過熱等
2023-09-19 17:01:161617 
作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn)，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時(shí)更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:181575 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:3011007 氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎？ 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件，被廣泛應(yīng)用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。對(duì)于氮化鎵激光器芯片的清潔維護(hù)非常重要，而酒精擦拭是一種常見的清潔方法。本文將
2023-11-22 16:27:522259 使用的材料。 氮化鎵的提取過程： 氮化鎵的提取過程主要包括兩個(gè)步驟：金屬鎵的提取和氮化反應(yīng)。 金屬鎵的提取 金屬鎵是氮化鎵的基本組成元素之一。為了提取金屬鎵，我們通常采用化學(xué)反應(yīng)的方法。常用的方法是將氮化鎵芯片在高
2023-11-24 11:15:206428 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對(duì)高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應(yīng)用領(lǐng)域，并
2024-01-10 09:25:573840 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們?cè)谛阅堋?yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和差異。 首先，從材料屬性上來看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143854 氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯片制備、工廠測(cè)試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:414134 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點(diǎn)備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關(guān)重要。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵
2024-01-10 10:11:392149 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:193277 、應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要研究課題。隨著智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長(zhǎng)。然而，傳統(tǒng)的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:582335 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成雙氮化鎵功率管的有源鉗位反激電源管理芯片DK8612AD數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-11 11:16:20
14 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能AC-DC 氮化鎵電源管理芯片DK80xxAP數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-11 11:19:070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能AC-DC 氮化鎵電源管理芯片DK020G數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-23 17:21:402 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片DK036G數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-23 17:23:345 DK065G鉦銘科氮化鎵電源芯片規(guī)格書V1.1
2024-07-10 11:25:019 ，市場(chǎng)潛力巨大。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)，氮化鎵功率元件市場(chǎng)的營(yíng)收將在2024年顯著增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到13.3億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)65%。這一增長(zhǎng)趨
2024-07-24 10:55:201572 
充電源市場(chǎng)的比重越來越高，比如深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的氮化鎵快充芯片U8722AH，就在電源應(yīng)用市場(chǎng)上有著不錯(cuò)的口碑！
2024-08-15 18:01:021457 在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)，小伙伴們一定要關(guān)注起來，不要錯(cuò)過氮化鎵持續(xù)拓展市場(chǎng)的巨大潛力！
2024-12-24 16:06:001241 氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和高頻率的開關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜?？蛻糇罱鼰豳u的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 需求主要集中在內(nèi)置的LED燈耳勺、續(xù)航及APP連接上，一顆小功率的電源管理芯片即可滿足。關(guān)注這個(gè)品類的小伙伴，可以了解下深圳銀聯(lián)寶的氮化鎵電源管理芯片U8722SP！
2025-07-09 18:13:243450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-24 16:47:181
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