大家好，今天我們來了解一下氮化鎵芯片應用電路，幫助大家清晰的了解 GaN 產(chǎn)品。

氮化鎵快充已然成為了當下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之際，65W這個功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點，從而率先成為了各大品牌的必爭之地。

氮化鎵是國內(nèi)常說的第三代半導體材料的一種，由氮和鎵兩種離子組成的一種半導體材料，它具有能量帶隙寬、原子鍵強、熱導率高、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）和抗輻照能力強等性質(zhì)，GaN在高溫下依然能夠表現(xiàn)出優(yōu)異的開關性能，這保證了GaN功率器件在不同溫度、電流以及開關速度下均能保持極小的開關損耗。本質(zhì)是將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、能效比、可靠性和降低產(chǎn)品成本。

下面我們來看一看英諾賽科 GaN 產(chǎn)品。

氮化鎵 GaN 產(chǎn)品應用電路

英諾賽科的 GaN 產(chǎn)品的 Vgs 開通閾值電壓為 1.7V，建議的驅(qū)動電壓為 5.5V-6.5V，通常選取的電壓為 6V。

通常使用控制 IC，需要將控制輸出電壓轉(zhuǎn)換為 6V，英諾賽科 GaN 產(chǎn)品需要外部驅(qū)動轉(zhuǎn)換電路。

有兩種方式轉(zhuǎn)換：

使用電阻電容分壓電路

英諾賽科推廣的 Demo 板即采用此電路，如下圖所示：

以 QR 電路結(jié)構(gòu)，控制芯片 NCP1342 應用電路；NCP1342 DRV 高電平輸出 （12V） R3、 R4、C1 構(gòu)成的分壓電路；Cgs

電容較小，很快被充電至 Vgsth 值，C1 電容值推薦 680pF至1nF 之間。

使用驅(qū)動IC

本文整理自：充電頭網(wǎng)、氮化鎵、驪微電子