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      NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

      數(shù)據(jù)：

      NXH100B120H3Q0是一款功率集成模塊（PIM），包含一個(gè)雙升壓級(jí)，由兩個(gè)50A / 1200V IGBT，兩個(gè)20A / 1200V SiC二極管和兩個(gè)用于IGBT的25A / 1600V反并聯(lián)二極管組成。另外還包括兩個(gè)用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個(gè)板載熱敏電阻。
      特性 優(yōu)勢(shì)
      • IGBT規(guī)格：VCE（SAT）= 1.77 V，ESW = 2200 uJ
      • 具有低VCE（SAT）的快速IGBT以實(shí)現(xiàn)高效率
      • 25 A / 1600 V旁路和反并聯(lián)二極管
      • 低VF旁路二極管，在旁路模式下具有出色的效率
      • SiC整流器規(guī)格：VF = 1.44 V
      • 用于高速開(kāi)關(guān)的SiC二極管
      • 焊針和壓合銷選項(xiàng)
      • 靈活安裝
      應(yīng)用 終端產(chǎn)品
      • MPPT提升階段
      • Bat tery Charger Boost Stage
      • 太陽(yáng)能逆變器
      • 儲(chǔ)能系統(tǒng)

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（4）
      元器件購(gòu)買 NXH100B120H3Q0 相關(guān)庫(kù)存