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SN74CB3Q3244 8 位 FET 總線開關(guān),2.5V/3.3V 低壓高帶寬總線開關(guān)

數(shù)據(jù):

描述

SN74CB3Q3244是一款高帶寬FET總線開關(guān),利用電荷泵提升傳輸晶體管的柵極電壓,提供低而平坦的導(dǎo)通狀態(tài)阻力(r on )。低而平坦的導(dǎo)通電阻允許最小的傳播延遲,并支持?jǐn)?shù)據(jù)輸入/輸出(I /O)端口上的軌到軌切換。該器件還具有低數(shù)據(jù)I /O電容,可最大限度地減少數(shù)據(jù)總線上的電容負(fù)載和信號(hào)失真。 SN74CB3Q3244專為支持高帶寬應(yīng)用而設(shè)計(jì),提供優(yōu)化的接口解決方案,非常適合寬帶通信,網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)密集型計(jì)算系統(tǒng)。

SN74CB3Q3244由兩個(gè)4位總線交換機(jī)組成單獨(dú)的輸出使能(10E \,2OE \)輸入。它可以用作兩個(gè)4位總線開關(guān)或一個(gè)8位總線開關(guān)。當(dāng)OE \為低電平時(shí),相關(guān)的4位總線開關(guān)接通,A端口連接到B端口,允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng)OE \為高電平時(shí),相關(guān)的4位總線開關(guān)關(guān)閉,A和B端口之間存在高阻態(tài)。

該器件完全適用于部分關(guān)斷應(yīng)用我關(guān)。 I off 電路可防止在斷電時(shí)損壞通過器件的電流。器件在斷電期間具有隔離功能。

為了確保上電或斷電期間的高阻態(tài),OE \應(yīng)通過上拉電阻連接到V CC ;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。

特性

  • 高帶寬數(shù)據(jù)路徑(最高500 MHz
  • 器件上電或掉電的5 V容差I(lǐng) /O
  • 低和平導(dǎo)通電阻(r) on )特征超出工作范圍(r on = 4 典型的)
  • 數(shù)據(jù)I /O端口上的軌到軌切換
    • 0至5V切換使用3.3VV CC < /li>
    • 0~3.3V切換2.5V CC
  • 雙向數(shù)據(jù)流,近零傳播延遲
  • 低輸入/輸出電容可最大限度地減少負(fù)載和信號(hào)失真(C io(OFF )= 3.5 pF典型值)
  • 快速開關(guān)頻率(f OE =最大20 MHz)
  • 數(shù)據(jù)和控制輸入提供下沖鉗位二極管
  • 低功耗(I CC = 0.7 mA典型值)
  • V CC 工作范圍從2開始。 3 V至3.6 V
  • 數(shù)據(jù)I /O支持0至5 V信號(hào)電平(0.8 V,1.2 V,1.5 V,1.8 V,2.5 V,3.3 V,5 -V)
  • 控制輸入可由TTL或5 V /3.3 V CMOS輸出驅(qū)動(dòng)
  • I off 支持部分關(guān)斷模式操作
  • 閂鎖性能超過每JESD 78 mA,Class II
  • 每個(gè)JESD測(cè)試的ESD性能22
    • 2000-V人體模型(A114- B,II類)
    • 1000V充電器件型號(hào)(C101)
  • 支持?jǐn)?shù)字和模擬應(yīng)用:差分信號(hào)接口,存儲(chǔ)器交錯(cuò),總線隔離,低失真信號(hào)門控

有關(guān)CB3Q系列性能特性的更多信息,請(qǐng)參考TI應(yīng)用報(bào)告 CBT-C,CB3T和CB3Q信號(hào)開關(guān)系列,文獻(xiàn)編號(hào)SCDA008。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?模擬開關(guān)/多路復(fù)用器

?
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Typ) (uA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (μA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74CB3Q3244
1:1 SPST ? ?
8 ? ?
Single ? ?
N/A ? ?
N/A ? ?
2.3 ? ?
3.6 ? ?
4 ? ?
500 ? ?
Catalog ? ?
-40 to 85 ? ?
20BGA MICROSTAR JUNIOR: 12 mm2: 3 x 4(BGA MICROSTAR JUNIOR)
20SSOP: 52 mm2: 6 x 8.65(SSOP)
20TSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(TSSOP)
20TVSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TVSOP)
20VQFN: 16 mm2: 3.5 x 4.5(VQFN) ? ?
BGA MICROSTAR JUNIOR
SSOP
TSSOP
TVSOP
VQFN ? ?
3.6 ? ?
9 ? ?
64 ? ?
1000 ? ?
2000 ? ?
Powered off protection ? ?
1 ? ?
9 ? ?
3.5 ? ?
1 ? ?
2 ? ?
0.8 ? ?
1.7 ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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