TPS51116-EP DDR 同步降壓控制器

數(shù)據(jù)：完整DDR，DDR2，DDR3 和LPDDR3 存儲器電源解決方案同步降壓控制器，3A 低壓降穩(wěn)壓器(LDO)，經(jīng)緩沖基準(zhǔn) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)

描述

TPS51116為DDR /SSTL-2，DDR2 /SSTL-18，DDR3 /SSTL-15和LPDDR3內(nèi)存系統(tǒng)提供一個(gè)完整的電源。它集成了TPS51116在空間非常寶貴的系統(tǒng)中提供最低的總體解決方案成本.TPS51116同步控制器運(yùn)行具有自適應(yīng)接通時(shí)間控制的定頻400kHz，偽恒定頻率脈寬調(diào)制（PWM），此控制可在D-CAP模式中進(jìn)行配置，此模式可簡化使用并實(shí)現(xiàn)最快瞬態(tài)響應(yīng)或者在電流模式中支持陶瓷輸出電容器.1.1灌電流/拉電流LDO僅需20μF（2×10μF）陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)。此外，LDO電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗.TPS51116支持所有睡眠狀態(tài)控制，此類控制在S3（掛起到RAM）中將VTT置于高Z狀態(tài)并且在S4 /S5（掛起到硬盤）中將VDDQ，VTT和VTTREF（軟關(guān)閉）放。TPS51116具有所有保護(hù)特性，其中包括熱關(guān)斷并采用20引腳散熱薄型小外形尺寸（HTSSOP）將PowerPAD封裝。

特性

同步降壓控制器（VDDQ）
- 寬輸入電壓范圍：3.0V至28V
- 負(fù)載階躍響應(yīng)為100ns的D-CAP?模式
- 電流模式選項(xiàng)支持陶瓷輸出電容器
- 支持S4 /S5狀態(tài)內(nèi)的軟關(guān)閉
- R _{DS（接通）}或電阻器的電流感測
- 2.5V（DDR），1.8V（DDR2），可調(diào)節(jié)至
  1.5V（DDR3）或1.2V（LPDDR3）或
  0.75V至3.0V的輸出電壓范圍
- 配備有電源正常，過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)
1A LDO（VTT），經(jīng)緩沖基準(zhǔn)（VREF）
- 灌電流和拉電流的能力達(dá)到1A
- 提供LDO輸入以優(yōu)化功率損耗
- 只需20μF陶瓷輸出電容器
- 經(jīng)緩沖的低噪聲10mA VREF輸出
- 針對VREF和VTT的±20mV精度
- 在S3中支持高阻抗（high-Z），在S4 /S5中支持軟關(guān)閉
- 過熱保護(hù)

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?DDR 存儲器電源產(chǎn)品

?
DDR Memory Type
Iout VTT (Max) (A)
Iq (Typ) (mA)
Output
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Regulator Type
Vout VTT (Min) (V)
?

TPS51116-EP
DDR DDR2 DDR3 DDR3L DDR4 LPDDR2 LPDDR3 ? ?
3 ? ?
0.8 ? ?
VDDQ VREF VTT ? ?
3 ? ?
28 ? ?
Complete Solution Shutdown Pin for S3 ? ?
HiRel Enhanced Product ? ?
-55 to 125 ? ?
HTSSOP ? ?
20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) ? ?
Step-Down Controller Plus LDO ? ?
0.6 ? ?