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      CSD18502KCS 40V，N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款2.4mΩ，40V，TO-220 NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

      要了解所有可用封裝，請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。最大R θJC =0.6oC/W，脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比
      ≤1％

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 邏輯電平
      • 無鉛端子鍍層
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 晶體管（TO）-220塑料封裝

      應(yīng)用范圍

      • 直流 - 直流轉(zhuǎn)換
      • 次級(jí)側(cè)同步整流器
      • 電機(jī)控制

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD18502KCS
      40 ? ?
      Single ? ?
      4.3 ? ?
      2.9 ? ?
      400 ? ?
      52 ? ?
      8.4 ? ?
      TO-220 ? ?
      20 ? ?
      1.8 ? ?
      212 ? ?
      100 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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