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數(shù)據(jù): CSD16570Q5B 25V N 通道 NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
這款25V,0.49mΩ,SON 5mm×6mm NexFET?功率MOSFET用于最大限度地減小ORing和熱拔插應(yīng)用的電阻,不適用于開關(guān)應(yīng)用。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD16570Q5B |
|---|
| 25 ? ? |
| Single ? ? |
| 0.82 ? ? |
| 0.59 ? ? |
| 400 ? ? |
| 95 ? ? |
| 31 ? ? |
| SON5x6 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.5 ? ? |
| 456 ? ? |
| 100 ? ? |
| Yes ? ? |
型號(hào):CSD16570Q5B 封裝:VSON8_5X6MM
品牌:TI 描述:MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=590mΩ@10V
金額:¥
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