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      CSD17573Q5B CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此0.84mΩ，30V，SON 5mm×6mm NexFET?功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大降低損耗。

      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 超低導(dǎo)通電阻R DS（上）
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 無引引腳鍍層
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • SON 5mm×6mm塑料封裝

      所有商標(biāo)均為其所有各自所有者。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17573Q5B
      30 ? ?
      Single ? ?
      1.45 ? ?
      1 ? ?
      400 ? ?
      49 ? ?
      11.9 ? ?
      SON5x6 ? ?
      20 ? ?
      1.4 ? ?
      332 ? ?
      100 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

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