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CSD17573Q5B CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

此0.84mΩ,30V,SON 5mm×6mm NexFET?功率MOSFET被設計成功轉換應用中大降低損耗。

特性

  • 低Q g 和Q gd
  • 超低導通電阻R DS(上)
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 無引引腳鍍層
  • 符合RoHS環(huán)保標準
  • 無鹵素
  • SON 5mm×6mm塑料封裝

所有商標均為其所有各自所有者。

參數(shù) 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD17573Q5B
30 ? ?
Single ? ?
1.45 ? ?
1 ? ?
400 ? ?
49 ? ?
11.9 ? ?
SON5x6 ? ?
20 ? ?
1.4 ? ?
332 ? ?
100 ? ?
Yes ? ?

技術文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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