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      CSD17575Q3 30V，N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

      頂視圖要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R θJA = 45°C /W，這是在一塊厚度為0.060英寸的FR4印刷電路板（ PCB）上的1平方英寸 2盎司銅過渡墊片上測得的典型值。最大R θJC = 1.5°C /W，脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1％

      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 低R DS（上）
      • 低熱阻
      • 雪崩級
      • 無鉛端子鍍層
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）3.3mm×3.3mm塑料封裝

      應(yīng)用

      • 用于網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計(jì)算系統(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器
      • 已針對同步場效應(yīng)應(yīng)晶體管（FET）應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17575Q3
      30 ? ?
      Single ? ?
      3.2 ? ?
      2.3 ? ?
      240 ? ?
      23 ? ?
      5.4 ? ?
      SON3x3 ? ?
      20 ? ?
      1.4 ? ?
      182 ? ?
      60 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

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