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數(shù)據(jù): CSD19506KTT 80V N 溝道 NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表
這款80V,2.0mΩ,D 2 PAK(TO-263)NexFET功率MOSFET被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低損耗。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD19506KTT | CSD18535KTT | CSD18536KTT | CSD18542KTT | CSD19505KTT | CSD19535KTT | CSD19536KTT |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 80 ? ? | 60 ? ? | 60 ? ? | 60 ? ? | 80 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? |
| Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? |
| ? | 2.9 ? ? | 2.2 ? ? | 5.1 ? ? | ? | ? | ? |
| 2.3 ? ? | 2 ? ? | 1.6 ? ? | 4 ? ? | 3.1 ? ? | 3.4 ? ? | 2.4 ? ? |
| 400 ? ? | 400 ? ? | 400 ? ? | 400 ? ? | 400 ? ? | 400 ? ? | 400 ? ? |
| 120 ? ? | 63 ? ? | 108 ? ? | 44 ? ? | 76 ? ? | 75 ? ? | 118 ? ? |
| 20 ? ? | 10.4 ? ? | 14 ? ? | 6.9 ? ? | 11 ? ? | 11 ? ? | 17 ? ? |
| D2PAK ? ? | D2PAK ? ? | D2PAK ? ? | D2PAK ? ? | D2PAK ? ? | D2PAK ? ? | D2PAK ? ? |
| 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? |
| 2.5 ? ? | 1.9 ? ? | 1.8 ? ? | 1.8 ? ? | 2.6 ? ? | 2.7 ? ? | 2.5 ? ? |
| 291 ? ? | 279 ? ? | 349 ? ? | 170 ? ? | 212 ? ? | 197 ? ? | 272 ? ? |
| 200 ? ? | 200 ? ? | 200 ? ? | 200 ? ? | 200 ? ? | 200 ? ? | 200 ? ? |
| No ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? | No ? ? | No ? ? | No ? ? |