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      CSD85302L CSD85302L

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款20V，18.7mΩ，采用1.35mm×1.35mm接合柵格陣列（LGA）封裝的雙路NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）設(shè)計(jì)為在最小外形尺寸中最大限度地降低電阻。該器件的外形尺寸較小并采用共漏極配置，非常適合小型手持設(shè)備中由電池供電的應(yīng)用。

      特性

      • 共漏極配置
      • 低導(dǎo)通電阻
      • 1.35mm×1.35mm小外形封裝
      • 無著且無鹵素
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 人體放電模式（HBM）靜電放電（ESD）保護(hù)＆gt; 2.5kV

      應(yīng)用

      • USB Type-C /PD
      • 電池管理
      • 電池保護(hù)

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD85302L CSD83325L CSD87313DMS CSD87501L
      20 ? ? 12 ? ? 30 ? ? 30 ? ?
      Dual Common Drain ? ? Dual ? ? Dual Common Drain ? ? Dual Common Drain ? ?
      24 ? ? 5.9 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ?
      ? ? ? 3.9 ? ?
      37 ? ? 52 ? ? ? 72 ? ?
      6 ? ? 8.4 ? ? 28 ? ? 15 ? ?
      1.4 ? ? 1.9 ? ? 6 ? ? 6 ? ?
      LGA 1.35x1.35 ? ? LGA ? ? SON3x3 ? ? LGA ? ?
      29 ? ? 8.4 ? ? 6.6 ? ? ?
      10 ? ? 10 ? ? 10 ? ? 20 ? ?
      0.9 ? ? 0.95 ? ? 0.9 ? ? 1.8 ? ?
      Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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