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      3天內(nèi)不再提示

      CSD25211W1015 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

      頂視圖R θJA = 119°C /W，這是在厚度為0.06英寸的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 2盎司銅過(guò)渡片上測(cè)得的典型值。脈寬≤10μs，占空比≤2％

      特性

      • 超低導(dǎo)通電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 小尺寸封裝1.0mm x 1.5mm
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無(wú)鉛
      • 柵 - 源電壓鉗位
      • 柵極靜電放電（ESD）保護(hù)-3kV
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無(wú)鹵素

      應(yīng)用范圍

      • 電池管理
      • 負(fù)載開(kāi)關(guān)
      • 電池保護(hù)

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD25211W1015
      -20 ? ?
      -6 ? ?
      Single ? ?
      33 ? ?
      44 ? ?
      -9.5 ? ?
      -3.2 ? ?
      3.4 ? ?
      0.2 ? ?
      1.1 ? ?
      -0.8 ? ?
      WLP 1.0x1.5 ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買(mǎi) CSD25211W1015 相關(guān)庫(kù)存

      • MOSFETs

        型號(hào)：CSD25211W1015 封裝：DSBGA6

        品牌：TI 描述：CSD25211W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

        金額：￥1.58662

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