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      CSD25310Q2 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款19.9mΩ，20V P通道器件被設(shè)計(jì)成在超薄且盡可能小的外形尺寸封裝內(nèi)以出色的熱特性提供盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。與低導(dǎo)通電阻，與SON 2mm x 2mm塑料封裝內(nèi)的極小封裝尺寸組合在一起，使得此器件成為電池供電，空間受限運(yùn)行的理想選擇。

      頂視圖要了解所有可用封裝，請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R θJA = 43°C /W，這是在0.060英寸厚環(huán)氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1in2銅（2盎司）過渡墊片上測(cè)得的典型值。脈沖持續(xù)時(shí)間10μs，占空比≤2％

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低導(dǎo)通電阻
      • 低熱阻
      • 無鉛
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）2mm x 2mm塑料封裝

      應(yīng)用范圍

      • 電池管理
      • 負(fù)載管理
        • < li>電池保護(hù)

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD25310Q2 CSD25402Q3A CSD25404Q3
      -20 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
      -8 ? ? -12 ? ? -12 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      23.9 ? ? 8.9 ? ? 6.5 ? ?
      32.5 ? ? 15.9 ? ? 12.1 ? ?
      89 ? ? 300 ? ? 150 ? ?
      -48 ? ? -82 ? ? -240 ? ?
      -9.6 ? ? -15 ? ? -18 ? ?
      3.6 ? ? 7.5 ? ? 10.8 ? ?
      0.5 ? ? 1.1 ? ? 2.2 ? ?
      1.1 ? ? 2.4 ? ? 2.8 ? ?
      -0.85 ? ? -0.9 ? ? -0.9 ? ?
      SON 2x2 ? ? SON 3x3 ? ? SON 3x3 ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購買 CSD25310Q2 相關(guān)庫存

      • MOSFETs

        型號(hào)：CSD25310Q2 封裝：WSON6

        品牌：TI 描述：表面貼裝型 P 通道 20 V 20A（Ta） 2.9W（Ta） 6-WSON（2x2）

        金額：￥5.52843

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