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數(shù)據(jù): 20V P 通道NexFET? 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表
這款-20V,7.7mΩNexFET功率MOSFET被設計成最大限度地減少SON 3×3封裝內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換負載管理應用中的損耗,此封裝類型針對器件的尺寸提供出色的熱性能。
頂視圖R θJA = 55°C /W,這是在厚度為0.060“的環(huán)氧樹脂(FR4)印刷電路板(PCB)上的1英寸 2 銅過渡墊片(2盎司)上測得的典型值。脈寬≤300μs,占空比≤2%
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| ? |
| CSD25402Q3A | CSD25310Q2 | CSD25404Q3 |
|---|---|---|
| -20 ? ? | -20 ? ? | -20 ? ? |
| -12 ? ? | -8 ? ? | -12 ? ? |
| Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? |
| 8.9 ? ? | 23.9 ? ? | 6.5 ? ? |
| 15.9 ? ? | 32.5 ? ? | 12.1 ? ? |
| 300 ? ? | 89 ? ? | 150 ? ? |
| -82 ? ? | -48 ? ? | -240 ? ? |
| -15 ? ? | -9.6 ? ? | -18 ? ? |
| 7.5 ? ? | 3.6 ? ? | 10.8 ? ? |
| 1.1 ? ? | 0.5 ? ? | 2.2 ? ? |
| 2.4 ? ? | 1.1 ? ? | 2.8 ? ? |
| -0.9 ? ? | -0.85 ? ? | -0.9 ? ? |
| SON 3x3 ? ? | SON 2x2 ? ? | SON 3x3 ? ? |
型號:CSD25402Q3A 封裝:VSONP8
品牌:TI 描述:MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=76A RDS(ON)=8.9mΩ@4.5V VSONP8
金額:¥1.76400
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