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      CSD23203W CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款-8V，16.2mΩ，P通道器件經(jīng)過設(shè)計(jì)，能夠以具有出色散熱特性的1×1.5 mm超薄小外形封裝提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低導(dǎo)通電阻R DS（上）
      • 小尺寸
      • 低厚度，0.62mm高
      • 無鉛
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • CSP 1mm×1.5mm晶圓級封裝

      所有商標(biāo)均為各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD23203W
      -8 ? ?
      -6 ? ?
      Single ? ?
      19.4 ? ?
      26.5 ? ?
      53 ? ?
      -54 ? ?
      -3 ? ?
      4.9 ? ?
      0.6 ? ?
      1.3 ? ?
      -0.8 ? ?
      WLP 1.0x1.5 ? ?

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