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數(shù)據(jù): CSD25202W15 20V P 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
這款21mΩ,20V器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的1.5mm×1.5mm小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和低高度結(jié)合在一起,使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應(yīng)用。
所有商標(biāo)均為他們各自的所有者。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| ? |
| CSD25202W15 |
|---|
| -20 ? ? |
| -6 ? ? |
| Single ? ? |
| 26 ? ? |
| 32 ? ? |
| 52 ? ? |
| -38 ? ? |
| -4 ? ? |
| 5.8 ? ? |
| 0.8 ? ? |
| 1.1 ? ? |
| -0.75 ? ? |
| WLP 1.5x1.5 ? ? |