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      3天內不再提示

      CSD23202W10 CSD23202W10 12V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據：

      描述

      這款12V，44mΩ器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的1mm×1mm小外形
      封裝內提供最低的導通電阻和柵極電荷。

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 小尺寸封裝1mm x 1mm
      • 薄型，0.62mm高度
      • 無鉛
      • 柵極靜電放電（ESD）保護 - 3kV
      • 符合RoHS環(huán)保標準
      • 無鹵素

      應用范圍

      • 電池管理
      • 負載開關
      • 電池保護

      參數(shù) 與其它產品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD23202W10
      -12 ? ?
      -6 ? ?
      Single ? ?
      53 ? ?
      66 ? ?
      92 ? ?
      -25 ? ?
      -2.2 ? ?
      2.9 ? ?
      0.28 ? ?
      0.55 ? ?
      -0.6 ? ?
      WLP 1.0x1.0 ? ?

      技術文檔

      數(shù)據手冊（1）
      元器件購買 CSD23202W10 相關庫存