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數(shù)據(jù): LM5113-Q1 汽車 90V、1.2A/5A 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B)
LM5113-Q1專為同時(shí)驅(qū)動(dòng)采用同步降壓,升壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN) FET或硅質(zhì)MOSFET而設(shè)計(jì),適用于汽車應(yīng)用。此器件具有一個(gè)集成于內(nèi)部的100V自舉二極管,還為高側(cè)和低側(cè)輸出分別提供了獨(dú)立的輸入,可實(shí)現(xiàn)最大程度的靈活控制。側(cè)偏置電壓在內(nèi)部被鉗位為5.2V,可防止柵極電壓超過增強(qiáng)模式GaN FET的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與TTL邏輯兼容,無論VDD電壓多高,它都能夠承受高達(dá)14V的輸入電壓.LM5113-Q1具有分柵輸出的能力,可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強(qiáng)度。
此外,LM5113-Q1具有非??煽康墓嚯娏髂芰?,使能柵極保持低電平,從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生誤導(dǎo)通.LM5113-Q1的工作頻率最高可達(dá)數(shù)MHz.LM5113-Q1采用帶有裸露焊盤的標(biāo)準(zhǔn)10引腳WSON封裝,可改善功耗。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
| ? |
|---|
| Driver Configuration |
| Number of Channels (#) |
| Power Switch |
| Bus Voltage (V) |
| Peak Output Current (A) |
| Input VCC (Min) (V) |
| Input VCC (Max) (V) |
| Rise Time (ns) |
| Fall Time (ns) |
| Prop Delay (ns) |
| Input Threshold |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| ? |
| LM5113-Q1 | LMG1020 | LMG1205 | LMG1210 |
|---|---|---|---|
| Half Bridge ? ? | Low Side ? ? | Half Bridge ? ? | Half Bridge ? ? |
| 2 ? ? | 1 ? ? | 2 ? ? | 2 ? ? |
| MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? |
| 90 ? ? | ? | 90 ? ? | 200 ? ? |
| 5 ? ? | 7 ? ? | 5 ? ? | 3 ? ? |
| 4.5 ? ? | 4.75 ? ? | 4.5 ? ? | 6 ? ? |
| 5.5 ? ? | 5.25 ? ? | 5.5 ? ? | 18 ? ? |
| 7 ? ? | 0.21 ? ? | 7 ? ? | 0.5 ? ? |
| 3.5 ? ? | 0.21 ? ? | 3.5 ? ? | 0.5 ? ? |
| 30 ? ? | 2.5 ? ? | 35 ? ? | 10 ? ? |
| TTL ? ? | TTL ? ? | TTL ? ? | TTL ? ? |
| Automotive ? ? | Catalog ? ? | Catalog ? ? | Catalog ? ? |
| -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? |
| WSON ? ? | DSBGA ? ? | DSBGA ? ? | WQFN ? ? |
| See datasheet (WSON) ? ? | See datasheet (DSBGA) ? ? | See datasheet (DSBGA) ? ? | 19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) ? ? |