優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 最大額定電源電壓：44 V
• 模擬信號(hào)范圍：V_SS 至 V_DD
• 低導(dǎo)通電阻：<35 Ω
• 超低功耗：< 35 μW
• 快速轉(zhuǎn)換時(shí)間：160 ns（最大值）
• 先開后合式開關(guān)動(dòng)作
• DG419的直接替代產(chǎn)品

ADG419-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）。

• 下載ADG419-EP 數(shù)據(jù)手冊(cè)(pdf)
• 軍用溫度范圍：-55℃至+125℃
• 受控制造基線
• 唯一封裝/測(cè)試廠
• 唯一制造廠
• 增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知
• 認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供
• V62/10615 DSCC圖紙?zhí)?/li>

產(chǎn)品詳情

ADG419是一款單芯片CMOS單刀雙擲（SPDT）開關(guān)，采用增強(qiáng)型LC2MOS工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和低泄漏電流特性。

ADG419的導(dǎo)通電阻曲線在整個(gè)模擬輸入范圍都非常平坦，可確保其擁有出色的線性度和低失真性能。該器件還提供高開關(guān)速度和高信號(hào)帶寬。CMOS結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而該器件非常適合便攜式電池供電儀表。

接通時(shí)，ADG419的各開關(guān)在兩個(gè)方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號(hào)范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。在斷開條件下，達(dá)到電源電壓的信號(hào)電平被阻止。ADG419為先開后合式開關(guān)。

ADG419-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）。

應(yīng)用

方框圖