采用新型場截止IGBT技術(shù)，安森美半導(dǎo)體的新系列場截止第三代IGBT為太陽能，UPS，電機(jī)控制，ESS和HVAC應(yīng)用提供最佳性能傳導(dǎo)和開關(guān)損耗是必不可少的。 最高結(jié)溫：TJ = 175°C 正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運(yùn)行 高電流能力 低飽和電壓：VCE（sat）= 1.5 V（典型值）@ IC = 100 A 高輸入阻抗 快速切換

短路額定值為5 us

擰緊參數(shù)分布 這些器件無鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)