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      FGH40N65UFD 650 V 40 A 1.8 V TO-247

      數(shù)據：

      飛兆半導體的場截止IGBT系列采用新型場截止IGBT技術，為光伏逆變器，UPS，焊機和PFC等低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
      特性
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 1.8V @ I C = 40A
      • 高輸入阻抗
      • 快速開關：E OFF = 12uJ / A
      • 符合RoHS標準
      應用
      • 發(fā)電和配電

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數(shù)據手冊（1） 相關資料（2）
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